集微網7月20報道，華虹半導體有限公司95納米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存儲器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）工藝平臺通過不斷的創新升級，技術優勢進一步增強，可靠性相應大幅提升。

華虹半導體95納米SONOS eNVM工藝技術廣泛應用于微控制器（MCU）、物聯網（IoT）等領域，具有穩定性好、可靠性高、功耗低等優點。相對上一代技術，95納米SONOS eNVM 5V工藝實現了更小設計規則，獲得了同類產品芯片面積的縮小；邏輯部分芯片門密度較現有業界同類工藝提升超過40%，達到業界領先水平；所需光罩層數較少，能夠提供更具成本效益的解決方案。同時，95納米SONOS eNVM 5V工藝具有更高集成度和領先的器件性能，存儲介質擦/寫特性達到了2毫秒的先進水平；低功耗器件驅動能力提高20%，僅用5V器件可以覆蓋1.7V至5.5V的寬電壓應用。

華虹半導體持續深耕，95納米SONOS eNVM采用全新的存儲器結構以及優化操作電壓，大大提高了閾值電壓的窗口。在相同測試條件下，SONOS IP的擦寫能力達到1000萬次，可靠性提升20倍；在85℃條件下，數據保持能力可長達30年，處于國際領先水平。華虹半導體致力于持續優化工藝水平，在提升數據保持能力條件下，同時提升擦寫次數，更好地滿足市場對超高可靠性產品的需求。

此外，隨著高可靠性工藝平臺及衍生工藝受到青睞，公司基于SONOS工藝的eNVM更可以涵蓋MTP（Multi-Time Programmable Memory）應用。通過簡化設計、優化IP面積和減少測試時間等，在IP面積、測試時間、使用功耗和擦寫能力上比MTP性能更優，更具競爭力。在此基礎上增加配套的可選器件，進一步滿足電源管理和RF類產品的需求。