国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

我國(guó)碳基半導(dǎo)體制備材料取得關(guān)鍵性突破

21克888 ? 來(lái)源:中國(guó)電子報(bào) ? 作者:中國(guó)電子報(bào) ? 2020-05-27 14:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

中國(guó)電子報(bào)報(bào)道,5月26日,北京元芯碳基集成電路研究院宣布,由該院中國(guó)科學(xué)院院士北京大學(xué)教授彭練矛和張志勇教授帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì),經(jīng)過多年研究與實(shí)踐,解決了長(zhǎng)期困擾碳基半導(dǎo)體材料制備的瓶頸,如材料的純度、密度與面積問題。他們的這項(xiàng)研究成果已經(jīng)被收錄在今年5月22日的《科學(xué)》期刊“應(yīng)用物理器件科技”欄目中。

目前,大到航空航天、金融保險(xiǎn)、衛(wèi)生醫(yī)療等領(lǐng)域,小到智能手機(jī)、家用電器等數(shù)碼家電所使用芯片絕大部分采用硅基材料的集成電路技術(shù),該項(xiàng)技術(shù)被國(guó)外廠家長(zhǎng)期壟斷,國(guó)內(nèi)電子產(chǎn)品所需要的芯片則大多依賴進(jìn)口。據(jù)統(tǒng)計(jì),中國(guó)每年進(jìn)口芯片的花費(fèi)高達(dá)3000億美元,甚至超過了進(jìn)口石油的花費(fèi)。

“采用硅以外的材料做集成電路,包括鍺、砷化鉀、石墨烯和碳,一直是國(guó)外半導(dǎo)體前沿的技術(shù)。而碳基半導(dǎo)體則具有成本更低、功耗更小、效率更高的優(yōu)勢(shì),更適合在不同領(lǐng)域的應(yīng)用而成為更好的半導(dǎo)體材料選項(xiàng)。我們的碳基半導(dǎo)體研究是代表世界領(lǐng)先水平的。”彭練矛院士說(shuō)。

以企業(yè)應(yīng)用為例:與國(guó)外硅基技術(shù)制造出來(lái)的芯片相比,我國(guó)碳基技術(shù)制造出來(lái)的芯片在處理大數(shù)據(jù)時(shí)不僅速度更快,而且至少節(jié)約30%的功耗。碳基技術(shù)在不久的將來(lái)可以應(yīng)用于國(guó)防科技、衛(wèi)星導(dǎo)航、氣象監(jiān)測(cè)、人工智能、醫(yī)療器械等多重領(lǐng)域。由于碳基材質(zhì)的特殊性,它能讓電路做到像創(chuàng)可貼一樣柔軟,這樣的柔性器械,如果應(yīng)用于醫(yī)療領(lǐng)域?qū)⑹够颊邠碛懈邮孢m的檢查體驗(yàn);因碳基材質(zhì)特點(diǎn),在一些高輻射、高溫度的極端環(huán)境里,采用碳基技術(shù)制造出的機(jī)器人將更好的代替人類執(zhí)行危險(xiǎn)系數(shù)更高的任務(wù);談到個(gè)人應(yīng)用:碳基技術(shù)若應(yīng)用到智能手機(jī)上,因其擁有更低的功耗,將使待機(jī)時(shí)間更加延長(zhǎng)。“現(xiàn)在我們用手機(jī)看電影3個(gè)小時(shí)的可能就沒電了。若將手機(jī)植入碳基技術(shù)的芯片,至少可以看上9個(gè)小時(shí)的電影都不會(huì)斷電,且手機(jī)開多少個(gè)程序都不會(huì)出現(xiàn)卡頓。”北京元芯碳基集成電路研究院研發(fā)部負(fù)責(zé)人許海濤說(shuō)。

據(jù)了解,碳基技術(shù)也是發(fā)達(dá)國(guó)家一直研發(fā)預(yù)替代硅基的新技術(shù)。由于我國(guó)碳基技術(shù)起步較早,目前的技術(shù)是基于二十年前彭練矛院士提出的無(wú)摻雜碳基CMOS技術(shù)發(fā)展而來(lái),近年來(lái)取得了一系列突破性的進(jìn)展,極大地提升了我國(guó)在世界半導(dǎo)體行業(yè)的話語(yǔ)權(quán)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30734

    瀏覽量

    264069
  • 衛(wèi)星導(dǎo)航
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    266

    瀏覽量

    27859
  • 碳基半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    8

    瀏覽量

    8682
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    蘇州納米所納米加工平臺(tái)在InP半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域取得新進(jìn)展

    、5G網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域。近期,蘇州納米所納米加工平臺(tái)基于在InP材料外延、器件設(shè)計(jì)、器件制備等方面的積累在InP半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域取得
    的頭像 發(fā)表于 12-23 06:50 ?136次閱讀
    蘇州納米所納米加工平臺(tái)在InP<b class='flag-5'>基</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>激光器領(lǐng)域<b class='flag-5'>取得</b>新進(jìn)展

    比肩進(jìn)口!我國(guó)突破光刻膠“卡脖子”技術(shù)

    收購(gòu)湖北三峽實(shí)驗(yàn)室重大科技成果“光刻膠用光引發(fā)劑制備專有技術(shù)及實(shí)驗(yàn)設(shè)備所有權(quán)”,標(biāo)志著我國(guó)在這一關(guān)鍵材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破性進(jìn)展。 ? “這不僅是
    的頭像 發(fā)表于 12-17 09:16 ?6449次閱讀

    英特爾半導(dǎo)體制造技術(shù)突破:2D 材料晶體管、新型電容器、12吋硅氮化鎵

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?在 2025 年 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議上,Intel 及 Intel Foundry 研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合全球頂尖科研機(jī)構(gòu),發(fā)布了一系列面向先進(jìn)半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)突破。這些成果
    的頭像 發(fā)表于 12-16 09:33 ?2103次閱讀

    晶圓清洗材料半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵清潔要素

    半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓清洗是保障芯片性能與良率的核心環(huán)節(jié)之一。隨著制程技術(shù)向納米級(jí)演進(jìn),污染物對(duì)器件功能的影響愈發(fā)顯著,而清洗材料的選擇直接決定了清潔效率、工藝兼容及環(huán)境可持續(xù)。以
    的頭像 發(fā)表于 11-24 15:07 ?586次閱讀

    解鎖化合物半導(dǎo)體制造新范式:端到端良率管理的核心力量

    先進(jìn)材料正在催生傳統(tǒng)硅技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的創(chuàng)新突破。然而,化合物半導(dǎo)體制造面臨獨(dú)特挑戰(zhàn),亟需高精尖解決方案支撐。本文將深入剖析:先進(jìn)數(shù)據(jù)分析與端到端
    的頭像 發(fā)表于 10-14 09:19 ?816次閱讀
    解鎖化合物<b class='flag-5'>半導(dǎo)體制</b>造新范式:端到端良率管理的核心力量

    革新科研智造,引領(lǐng)材料未來(lái)——高通量智能科研制備工作站

    、氣萃結(jié)晶、真空閃蒸及退火等多功能工藝模塊。實(shí)現(xiàn)了從材料制備到處理的全流程自動(dòng)化運(yùn)行,顯著減少人為誤差,提高實(shí)驗(yàn)的一致和可重復(fù)性。 靈活可擴(kuò)展,助力多領(lǐng)域創(chuàng)新 工作站支持模塊化自由組合,可根據(jù)光伏
    發(fā)表于 09-27 14:17

    如何精準(zhǔn)計(jì)算半導(dǎo)體制冷片的實(shí)際功率需求

    電子散熱與溫控領(lǐng)域中,半導(dǎo)體制冷片因其高效、無(wú)噪音、無(wú)振動(dòng)等優(yōu)勢(shì)而被廣泛應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮半導(dǎo)體制冷片的性能,關(guān)鍵在于準(zhǔn)確計(jì)算其實(shí)際功率需求。若功率匹配不當(dāng),可能導(dǎo)致能效低下甚至設(shè)備損壞。本文
    的頭像 發(fā)表于 09-04 14:34 ?1458次閱讀
    如何精準(zhǔn)計(jì)算<b class='flag-5'>半導(dǎo)體制</b>冷片的實(shí)際功率需求

    MOCVD技術(shù)丨實(shí)現(xiàn)6英寸藍(lán)寶石基板GaNLED關(guān)鍵突破

    半導(dǎo)體照明與光電子領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)發(fā)光二極管(LED)憑借其卓越性能,長(zhǎng)期占據(jù)研究焦點(diǎn)位置。它廣泛應(yīng)用于照明、顯示、通信等諸多關(guān)鍵領(lǐng)域。在6英寸藍(lán)寶石基板上,基于六方氮化硼(h-BN)模板
    的頭像 發(fā)表于 08-11 14:27 ?1943次閱讀
    MOCVD技術(shù)丨實(shí)現(xiàn)6英寸藍(lán)寶石基板GaN<b class='flag-5'>基</b>LED<b class='flag-5'>關(guān)鍵</b><b class='flag-5'>突破</b>

    基于納米材料的TPU導(dǎo)電長(zhǎng)絲制備與性能研究

    、金屬材料與復(fù)合材料等各領(lǐng)域的研究開發(fā)、工藝優(yōu)化與質(zhì)量監(jiān)控.基于納米材料的TPU導(dǎo)電長(zhǎng)絲制備與性能研究【江南大學(xué)趙樹強(qiáng)】基于
    的頭像 發(fā)表于 07-11 10:21 ?506次閱讀
    基于<b class='flag-5'>碳</b>納米<b class='flag-5'>材料</b>的TPU導(dǎo)電長(zhǎng)絲<b class='flag-5'>制備</b>與性能研究

    最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測(cè)

    。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中
    發(fā)表于 04-15 13:52

    半導(dǎo)體材料發(fā)展史:從硅到超寬禁帶半導(dǎo)體的跨越

    半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影,更是人類對(duì)材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶
    的頭像 發(fā)表于 04-10 15:58 ?3180次閱讀

    有機(jī)半導(dǎo)體材料及電子器件電性能測(cè)試方案

    有機(jī)半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料,1986年第一個(gè)聚噻吩場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明以來(lái),有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)飛速發(fā)展。有機(jī)物作為半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 04-09 15:51 ?1235次閱讀
    有機(jī)<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>材料</b>及電子器件電性能測(cè)試方案

    靜電卡盤:半導(dǎo)體制造中的隱形冠軍

    半導(dǎo)體制造的精密工藝流程中,每一個(gè)零部件都扮演著至關(guān)重要的角色,而靜電卡盤(Electrostatic Chuck,簡(jiǎn)稱E-Chuck)無(wú)疑是其中的佼佼者。作為固定晶圓的關(guān)鍵設(shè)備,靜電卡盤以其獨(dú)特的靜電吸附原理、高精度的溫度控制能力以及廣泛的適用
    的頭像 發(fā)表于 03-31 13:56 ?4757次閱讀
    靜電卡盤:<b class='flag-5'>半導(dǎo)體制</b>造中的隱形冠軍

    我國(guó)首發(fā)8英寸氧化鎵單晶,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破

    2025年3月5日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布,成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志著我國(guó)
    的頭像 發(fā)表于 03-07 11:43 ?2898次閱讀
    <b class='flag-5'>我國(guó)</b>首發(fā)8英寸氧化鎵單晶,<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)迎新<b class='flag-5'>突破</b>!