4月6日，深圳丹邦科技股份有限公司（以下簡稱“丹邦科技”）發布2020年非公開發行股票預案公告，擬非公開發行募資17.8億元。

公告顯示，丹邦科技本次非公開發行的股票數量不超過本次非公開發行前公司總股本的30%，即發行數量合計不超過164，376，000 股（含本數）。

募資17.8億

公告顯示，丹邦科技本次非公開發行股票募集資金總額不超過17.8億元，主要用于量子碳化合物厚膜產業化項目、新型透明PI膜中試項目、量子碳化合物半導體膜研發項目、以及補充流動資金，三個項目建設周期均為2.5年，建設地點位于廣東省東莞市松山湖科技產業園工業西三路廣東丹邦工業園。

其中，量子碳化合物厚膜產業化項目投資總額為12.31億元，擬使用募集資金10.3億元；新型透明PI膜中試項目投資總額為4.65億元；量子碳化合物半導體膜研發項目投資總額為1.21億元。

資料顯示，丹邦科技經營范圍包括開發、生產經營柔性覆合銅板、液晶聚合導體材料，高頻柔性電路、柔性電路封裝基板、高精密集成電路、新型電子元器件、二維半導體材料、聚酰亞胺薄膜、量子碳基膜、多層石墨烯膜、屏蔽隱身膜等。

公司主要產品包括柔性FCCL、高密度FPC、芯片封裝COF基板、芯片及器件封裝產品及柔性封裝相關功能熱固化膠、微粘性膠膜等，主要應用于空間狹小，可移動折疊的高精尖智能終端產品，在消費電子、醫療器械、特種計算機、智能顯示、高端裝備產業等所有微電子領域都得到廣泛應用。

丹邦科技表示，本次募集資金投資項目的總體目標即：大批量生產量子碳化合物厚膜、中試新型透明PI膜、研發量子碳化合物半導體膜，為實現公司成為國際領先的新型半導體材料企業的發展愿景打下堅實基礎。

研發量子碳化合物半導體膜

當前，半導體新材料的突破將成為半導體產業未來發展的關鍵。傳統硅基半導體性能已接近極限，而量子碳化合物半導體膜有望成為綜合性能更好的新型化合物半導體材料。

量子碳化合物半導體膜作為一種新型的化合物半導體材料，與GaAs、GaN以及SiC等其他化合物半導體材料相比，具有高頻、高效率、抗輻射、耐高低溫、耐高壓、低功耗、高熱導等化合物半導體材料的特性。

公告顯示，丹邦科技此次投資項目之一量子碳化合物半導體膜研發項目投資總額為1.21億元，擬使用募集資金1.2億元，主要建設內容為利用公司現有廠房進行改造并引進設備開展新型化合物半導體材料——量子碳化合物半導體膜的研發。

從金額上看，在四個擬募投項目中，盡管“量子碳化合物半導體膜研發項目”的投資額最少，但該項目對于丹邦科技在新材料領域由高分子材料拓展至化合物半導體材料，具有重大戰略意義。

丹邦科技在PI膜分子結構設計、成膜及燒結工藝的研發過程中，通過納米金屬材料的摻雜、雜化，并進行離子交換和離子注入，使薄膜表面形成分布均勻的納米量子點，實現了薄膜帶隙的開啟與調控，使其具備二維半導體性能。

丹邦科技將以此為基礎，切入化合物半導體材料領域，開展量子碳化合物半導體膜研發項目，擬研制耐高低溫、高壓、高頻性能、大寬幅、超柔韌、超薄層微結構的化合物半導體材料。

丹邦科技表示，本次量子碳化合物半導體膜研發項目得以實施后，公司有望在化合物半導體材料領域實現重大技術突破，提升公司的技術領先地位，亦有助于提升我國在化合物半導體材料領域的自主創新能力與競爭力。
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