集微網(wǎng)消息，據(jù)中科院報道，近日，中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所催化基礎(chǔ)國家重點(diǎn)實(shí)驗室研究員，傅強(qiáng)團(tuán)隊與臺積電Lain-Jong Li團(tuán)隊、***交通大學(xué)Wen-Hao Chang團(tuán)隊、美國萊斯大學(xué)B. I. Yakobson團(tuán)隊、北京大學(xué)教授張艷峰團(tuán)隊合作，在2英寸晶圓襯底上成功外延生長單晶六方氮化硼（hBN）單層薄膜。

據(jù)悉，六方氮化硼是一類重要的二維半導(dǎo)體層狀材料，如何在晶圓上實(shí)現(xiàn)單晶六方氮化硼薄膜的可控生長是六方氮化硼未來應(yīng)用于集成電路中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。對此，研究人員在藍(lán)寶石基底上生長表面取向為（111）的無晶界單晶銅薄膜，以此作為襯底進(jìn)一步制備完全有序的六方氮化硼晶圓片。

此外，為解決對大面積單層薄膜結(jié)構(gòu)單晶性質(zhì)的表征和確認(rèn)這個難題，研究人員借助于實(shí)驗室自行研制的深紫外激光PEEM/LEEM裝備，在1英寸晶圓表面上選取近百個微米尺寸的微區(qū)進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析，實(shí)驗結(jié)果證實(shí)，六方氮化硼薄膜與Cu(111)襯底表面取向完全一致，確認(rèn)了該單層薄膜的單晶特性。

據(jù)了解，相關(guān)成果已在《自然》上發(fā)表。同時，該工作還得到國家自然科學(xué)基金科學(xué)中心項目、中科院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項B類“能源化學(xué)轉(zhuǎn)化的本質(zhì)與調(diào)控”、國家重大科研裝備研制項目等資助。