格芯今日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生產流片。

此次公告是一個重要的行業里程碑，表明eMRAM可在物聯網(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應用中作為先進工藝節點的高性價比選擇。

格芯的eMRAM產品旨在替代高容量嵌入式NOR閃存(eFlash)，幫助設計人員擴展現有物聯網和微控制器單元架構，以實現28nm以下技術節點的功率和密度優勢。

格芯表示，該款eMRAM是一款可靠的多功能嵌入式非易失性存儲器(eNVM)，已通過了5次嚴格的回流焊實測，在-40℃至125℃溫度范圍內具有100,000次使用壽命和10年數據保存期限。FDX eMRAM解決方案支持AEC-Q100 2級設計，且還在開發工藝，預計明年將支持AEC-Q100 1級解決方案。

eMRAM是一種可擴展功能，預計將在FinFET和未來的FDX平臺上推出，作為公司先進eNVM路線圖的組成部分。格芯位于德國德累斯頓1號晶圓廠的先進300mm產品線將為MRAM22FDX的量產提供支持。

Intel、三星也在研究eMRAM

除了格芯，Intel、三星多年來一直都在研究eMRAM。

2019年2月有報告顯示，英特爾自己的商用MRAM（磁阻隨機存取存儲器）已經準備好大批量生產。

當時，英特爾工程師Ligiong Wei在論文中說，英特爾嵌入式MRAM技術可在200攝氏度下實現長達10 年的記憶期，并可在超過100萬個開關周期內實現持久性。MRAM省電的特性，意味著英特爾嵌入式MRAM將很有可能先用于移動設備上。

并且嵌入式 MRAM 被認為特別適用于例如物聯網 (IoT) 設備之類的應用，也趕搭上 5G 世代的列車。

三星也在2019年3月6日宣布正式量產首款商用的eMRAM（嵌入式磁隨機存取存儲器），采用三星的28FDS（28nm FD-SOI，耗盡型絕緣層上硅）工藝制造。

三星當時宣布，將在2019年擴大其高密度非易失性存儲器解決方案的選擇范圍，包括推出1Gb的eMRAM的測試芯片。并且宣稱他們基于28FDS工藝的eMRAM技術能提供更低的成本和功耗，在寫入速度上也更具優勢。其物理特性決定在寫入數據前不需要擦除周期，寫入速度比現在的eFlash快1000倍。eMRAM在工作時電壓比eFlash更低，所以功耗更低。

為什么都在研究eMRAM？

據了解，作為常用的eFlash閃存技術的發展到了瓶頸期，這種基于電荷存儲方式的存儲器已經面臨了很多挑戰。而eMRAM作為基于電阻的存儲方式在非易失性，隨機訪問等方面擁有比eFlash更好的表現。

eMRAM綜合了RAM內存、NAND閃存的新型非易失性存儲介質斷電后不會丟失數據，寫入速度則數千倍于閃存，可以兼做內存和硬盤，甚至統一兩者。同時很關鍵的是，它對制造工藝要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品價格自然不會太離譜。

MRAM主要利用磁致電阻的變化來表示二進制的0和1，從而實現數據的存儲，是一種非易失性存儲技術，這意味著即使斷電情況下，它仍然會保留住信息，同時它還有不輸于DRAM的容量密度及使用壽命，平均能耗也遠低于DRAM。由于不管是DRAM內存還是NAND閃存，制程微縮已遭遇瓶頸，相對地，MRAM未來制程微縮仍有許多發展空間，MRAM因此備受期待，認為可以取代DRAM內存和NAND閃存。

經過十余年的發展，eMRAM 技術終于在 2018 年下半年進入成熟期，行業市場普遍接納了其作為 28nm 及以下工藝節點嵌入式存儲技術的最佳解決方案。eMRAM 得益于其優良的技術特性，便成為了 eFlash 和 eSRAM （L3 及以下層級的緩存應用）的最佳替代方案。正是因為其巨大的市場潛力，eMRAM獲得了晶圓代工廠的青睞，這也是格芯、英特爾、三星等晶圓代工廠都紛紛投入研究eMRAM的原因。

電子發燒友綜合報道，參考自超能網、格芯官微，轉載請注明上述來源和出處。