據“無錫高新區在線”公眾號消息，2月21日下午，無錫先導集成電路裝備與材料產業園簽約儀式舉行。儀式上，作為產業園的首個落戶項目，吳越半導體氮化鎵襯底及芯片制造項目正式簽約。無錫先導集成電路裝備與材料產業園項目規劃占地700畝，總投資150億元，擬分3期進行建設。

此次先導集團建設全國首個集成電路裝備和核心材料產業園，攜手業界知名公司共建化合物半導體國產自主創新供應鏈，合作研制新型定制化、差異化的設備、零部件和材料，形成具有產業特色的集成電路特色裝備與材料的產業生態，必將為無錫加快打造培育“世界級”產業集群，做強產業鏈各環節，促進產業基礎高端化，提升產業鏈現代化水平，夯實無錫經濟的“產業底盤”做出新的貢獻。

先導智能是全球新能源裝備龍頭企業，目前在新能源裝備領域全球第一，多項產品技術水平達到國際領先水平。公司于2015年上市，當前主要業務正從鋰電、光伏自動化設備向鋰電、光伏整線自動化方案、泛半導體工藝設備逐漸布局。為解決我國集成電路產業設備、核心零部件材料國產化比例不足等問題。

為促進半導體產業發展，近年來，無錫已引進多個集成電路項目，去年5月份就投資近413億元，簽約拉普拉斯半導體等18個項目，今年一月份，總投資20億，簽約韓國SK海力士，共建集成電路產業園，此前已有多項合作。

此次無錫先導集成電路裝備與材料產業園項目，規劃占地700畝，總投資150億元，擬分3期進行建設。整個產業園以總部大樓、特色IC設計孵化器、專用裝備基地、高端材料區、特色工藝區進行布局，計劃5年后形成國內領先的半導體裝備與核心零部件材料產業集群，最終形成具有產業特色的集成電路特色裝備與材料的產業生態，填補無錫地區的產業鏈空白。

吳越半導體氮化鎵襯底及芯片制造項目為首個落戶無錫先導集成電路裝備與材料產業園的項目，主要進行2-6英寸氮化鎵自支撐單晶襯底及GaN-On-GaN功率芯片、射頻芯片的研發和生產。項目總投資約人民幣37億元，計劃用地50畝，全部建成投產后，不僅能夠打通從材料到芯片到器件的整個產業鏈，創造年30億元的銷售額，還能夠填補無錫市在化合物半導體原材料領域的空白，提升我國半導體事業的發展水準。

電子發燒友綜合報道 參考自MEMS、證券時報、無錫高新區在線等，轉載請注明上述來源和出處。