近日，IC Insights發(fā)布了2020-2024年全球晶圓產(chǎn)能報告。

報告指出，通常IC行業(yè)通過增加晶圓產(chǎn)能來滿足其大部分需求，而不是通過增加每個晶圓上切分的數(shù)量。

數(shù)據(jù)顯示，從2000年到2019年，每片晶圓的優(yōu)質(zhì)IC出貨量平均每年僅增長0.9％。因此，在2000-2019年期間，IC的年平均增長量的約86％是通過增加晶圓產(chǎn)能來滿足，只有14％才歸因于每個晶圓上合格芯片數(shù)量的增加。

據(jù)悉，半導(dǎo)體市場在2017～2018年間出現(xiàn)過存儲芯片及部份邏輯芯片缺貨的情況，DRAM及NAND Flash價格大漲，存儲芯片廠因此大舉擴(kuò)充產(chǎn)能以回應(yīng)市場的強(qiáng)勁需求。

不過，由于市場低迷以及產(chǎn)能的過剩，2019年全球晶圓廠平均產(chǎn)能利用率從2018年的94％下降至86％，2019年存儲芯片價格也一路走跌，因此，許多存儲芯片廠暫緩了產(chǎn)能擴(kuò)充計劃。

但由于計劃僅被推遲而未被取消，且近期DRAM及NAND Flash市況回溫，部分存儲芯片廠重啟產(chǎn)能擴(kuò)充計劃，預(yù)計2020年及2021年全球新增晶圓產(chǎn)能將大幅增加，進(jìn)入高速擴(kuò)張期。

預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，2020年，每年可增加多達(dá)1790萬片晶圓（相當(dāng)于200毫米當(dāng)量），到2021年有望再增加2080萬個，創(chuàng)下歷史新高。

新增產(chǎn)能主要來自于韓國三星、SK海力士等，以及長江儲存、武漢新芯、華虹宏力等中國大陸半導(dǎo)體廠。

整體來看，在過去五年（2014-2019）間，年平均產(chǎn)能增長率僅為5.1％。而2019-2024年間，預(yù)計IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能的年增長率將略微提高至5.9％。

同時報告還指出，將有十家300mm晶圓廠預(yù)計于2020年開業(yè)，其中兩家在中國。