AI 對算力提出了更高的要求，傳統(tǒng)的芯片面臨挑戰(zhàn)，不過在量子計算和類腦計算獲得長足發(fā)展之前，芯片算力的提升依舊依靠現有技術的提升和創(chuàng)新。存內計算芯片在 AI 時代中也獲得了不少關注，不過普渡大學的工程師開發(fā)的方法是從材料的角度進行創(chuàng)新，實現了芯片在計算的同時也可以存儲。研究人員稱，未來如果這種芯片的進一步改進將有利于類腦計算的發(fā)展。

計算機芯片使用兩個不同的組件來處理和存儲信息。如果工程師可以將兩種組件組合成一個或彼此相鄰放置，那么芯片上將有更多的空間，從芯片速度更快，性能更強大。

普渡大學（Purdue University）的工程師已經開發(fā)出一種方法，將用于處理信息的數百萬個微型開關（通常稱為晶體管）也能在芯片上進行信息的存儲。

這種方法在《自然電子》上發(fā)表的一篇論文中進行了詳細介紹，它通過解決另一個問題來實現這一目標：將晶體管與比大多數計算機中使用的性能更高的存儲技術相結合，稱為鐵電性 RAM。

研究人員數十年來一直試圖將兩者整合在一起，但問題在于鐵電材料和硅（構成晶體管的半導體材料）之間的界面。另外，鐵電 RAM 作為片上的獨立單元運行，從而限制了其大幅提升計算效率的潛力。

由普渡大學電氣與計算機工程教授 Peide Ye，Richard J. 和 Mary Jo Schwartz 帶領的團隊發(fā)現了如何克服硅與鐵電材料之間致命的敵對關系的方法。

“我們使用了具有鐵電特性的半導體。兩種材料就變成一種材料，這樣就不必擔心接口問題。” Ye 說。

結果就成為了所謂的鐵電半導體場效應晶體管，其構建方式與當前計算機芯片上使用的晶體管相同。

α硒化銦材料不僅具有鐵電性能，而且還解決了“ 禁帶寬度 ” 通常充當絕緣體而不是半導體常規(guī)鐵電材料的問題，這意味著電流無法通過并且沒有計算發(fā)生。

α-硒化銦的禁帶寬度小得多，這使得這種材料成為半導體而不會失去鐵電性能。

普渡大學電氣和計算機工程博士后研究員 Mengwei Si 構建并測試了該晶體管，發(fā)現其性能可與現有的鐵電場效應晶體管相媲美，并表示通過一步優(yōu)化性能還會更好。普渡大學電氣與計算機工程助理教授 Sumeet Gupta，獲得博士學位的 Atanu Saha 對建模提供了支持。

Si 和 Ye 的團隊還與佐治亞理工學院的研究人員合作，將α-硒化銦建立在稱為鐵電隧道結的芯片空間中，工程師可以利用該空間來增強芯片的功能。該團隊在 12 月 9 日在 2019 IEEE 國際電子設備會議上介紹了這項研究工作。

過去，研究人員無法建立高性能的鐵電隧道結，因為它的寬帶隙使材料太厚，無法通過電流。由于α-硒化銦的帶隙小得多，因此該材料的厚度僅為 10 納米，從而可以允許更多的電流流過。

更大的電流可以讓芯片的面積縮小至幾納米，從而使芯片的晶體管密度更高、更節(jié)能。Ye 補充表示，較薄的材料-甚至可以減小到原子的厚度，也意味著隧道結兩側的電極可以小得多，這對于構建模擬人腦的電路非常有用。