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中國半導體存儲器開始生產(chǎn) NAND之后DRAM大規(guī)模生產(chǎn)計劃揭曉

漁翁先生 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:Allen Yin ? 2019-11-14 11:07 ? 次閱讀
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中美貿(mào)易爭端下的中國半導體趨勢成為一個熱門話題。隨著福建晉華,華為等事件的發(fā)生,我國開始更加堅定發(fā)展自己的半導體產(chǎn)業(yè),DRAM制造商合肥長鑫,福建晉華,紫光集團旗下長江存儲,江波龍已經(jīng)開始自行設(shè)計生產(chǎn)DRAM。

JHICC在美國禁運下自行開始準備生產(chǎn)DRAM

去年11月,美國司法部對聯(lián)電和福建晉華(JHICC)的員工進行了起訴。在此之前,10月29日,又以國家安全為由,美國商務(wù)部將JHICC列入了出口限制清單,并禁止美國公司與JHICC公司打交道。這使得美國設(shè)備制造商(如Applied Materials,Lam Research,KLA等)無法正常為JHICC提供生產(chǎn)設(shè)備,導致后者最后被迫停止運營。

但是,JHICC似乎最近已經(jīng)開始準備復興。在韓國,它招募了為三星和SK海力士工作的DRAM工程師,在中國和中國***地區(qū),它招募了從電路設(shè)計到設(shè)備維護的數(shù)十人。

由于美國的制造設(shè)備提供商無法提供現(xiàn)場工程支持,JHICC將盡力招募盡可能多的工程人員來優(yōu)化生產(chǎn)線設(shè)備設(shè)置和參數(shù)設(shè)置。可以猜測的是,他們的目標是使已進入休眠狀態(tài)的DRAM生產(chǎn)線復蘇。據(jù)***市場趨勢研究公司TrendForce稱,JHICC將于明年年底開始生產(chǎn),但最初的生產(chǎn)規(guī)模預計不到每月10,000個。

在突然到來的日韓出口爭端中,韓國半導體公司受到日本相關(guān)材料禁運的影響,有傳言稱韓國的半導體存儲產(chǎn)品線將會受到?jīng)_擊。該事件似乎對中國的DRAM制造商來說是個利好信息。

DDR4 DRAM經(jīng)過兩輪終于開始生產(chǎn)

另一家DRAM制造商,合肥市長鑫存儲技術(shù)有限公司(CXMT)已開始小規(guī)模生產(chǎn)DDR4 8G位DRAM,并準備批量生產(chǎn)用于智能手機的LPDDR4 DRAM。據(jù)說到2021年以后,月產(chǎn)量將達到100,000或更多。

盡管該公司擔心被美國困住,但并未采用***華亞(現(xiàn)在的美光內(nèi)存***)開發(fā)的技術(shù),更改了技術(shù)引進政策,并更換了管理團隊。該公司最終收購了奇夢達的46nm堆棧結(jié)構(gòu)DRAM(已開發(fā)但尚未發(fā)布)。

公開資料顯示,CXMT與兆易創(chuàng)新達成了合作協(xié)議,共同開發(fā)19nm工藝的DRAM內(nèi)存,去年底已經(jīng)推出了8Gb DDR4內(nèi)存樣品,今年Q3季度推出8Gb LPDDR4內(nèi)存樣品,年底正式量產(chǎn),月產(chǎn)能將達到2萬片晶圓。

長江存儲將于年底啟動DRAM大規(guī)模生產(chǎn)工廠建設(shè)

紫光集團旗下長江存儲YMTC一直在開發(fā)和制造DRAM,除了今年年底開始量產(chǎn)的3D NAND業(yè)務(wù)外,該公司已經(jīng)開始行動,重新進入DRAM業(yè)務(wù)。6月30日,成立了一個新的DRAM事業(yè)部,***原DRAM制造商Inotera Memories(現(xiàn)為美光技術(shù)***公司)的首席執(zhí)行官Charles Kao擔任了CEO。8月27日,DRAM事業(yè)部的總部在重慶兩江新區(qū)成立,并與重慶市人民政府合作設(shè)立了DRAM研發(fā)中心和DRAM批量生產(chǎn)工廠。

據(jù)了解,紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造,該工廠計劃于2019年底開工建設(shè),預計2021年建成投產(chǎn)。在芯片工廠建成前,紫光集團先期在現(xiàn)有芯片工廠內(nèi)設(shè)立產(chǎn)品中試生產(chǎn)線,進行產(chǎn)品生產(chǎn)工藝技術(shù)研發(fā),待工藝成熟后在紫光重慶芯片工廠量產(chǎn)。

江波龍(FORESEE)微存儲新品DDR3L正式量產(chǎn)!

11月13日,江波龍電子(FORESEE)宣布面向智能電子終端設(shè)備應(yīng)用的微型嵌入式DRAM存儲新品DDR3L開始投產(chǎn),讀寫速率滿足主流應(yīng)用1866Mbps需求,最高可達2133Mbps。同時DDR4產(chǎn)品已開始納入研發(fā)進程。

據(jù)悉,目前FORESEE微存儲DDR3L產(chǎn)品已在海思、中興微、瑞芯微、全志、Amlogic、國科微、國芯等平臺主控端完善認證,為不同應(yīng)用場景提供芯片級支持。

預計2020年國產(chǎn)DRAM全球占比不到3%

在中國,韓國SK Hynix正在無錫開始大規(guī)模生產(chǎn)DRAM,但明年國產(chǎn)DRAM產(chǎn)品的生產(chǎn)仍然非常有限。根據(jù)TrendForce的最新預測,中國存儲器制造商在2020年的DRAM產(chǎn)量僅不到全球產(chǎn)業(yè)投入的3%。

但有必要強調(diào)一點,繼NAND之后,DRAM大規(guī)模生產(chǎn)計劃的輪廓變得清晰起來,中國很可能最終將成為存儲大國。但是,可能需要花更多時間確定國產(chǎn)存儲器制造商何時會對DRAM市場的全球供需平衡產(chǎn)生顯著影響。

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