在當前復雜的國際形勢下，工業半導體材料、芯片、器件及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的發展滯后將制約我國新舊動能轉化及產業轉型，進而影響國家經濟發展。

10月8日，工信部網站發布《關于政協十三屆全國委員會第二次會議第2282號（公交郵電類256號）提案答復的函》，在答復函中，工信部就加快支持工業半導體芯片技術研發及產業化自主發展的政策扶持、開放合作、關鍵技術突破、以及人才培養等四個方面做出了答復。

具體答復如下：

一、關于制定工業半導體芯片發展戰略規劃，出臺扶持技術攻關及產業發展政策的建議

為推動我國工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業發展，我部、發展改革委及相關部門，積極研究出臺政策扶持產業發展。

一是2014年國務院發布的《推進綱要》中，已經將工業半導體芯片相關產品作為發展重點，通過資金、應用、人才等方面政策推動產業進步。

二是發展改革委、我部研究制定了集成電路相關布局規劃，推動包括工業半導體材料、芯片等產業形成區域集聚、主體集中的良性發展局面。

三是按照國發〔2011〕4號文件的有關要求，對符合條件的工業半導體芯片設計、制造等企業的企業所得稅、進口關稅等方面出臺了多項稅收優惠政策，對相關領域給予重點扶持。

四是圍繞能源、交通等國家重點工業領域，充分發揮相關行業組織作用，通過舉辦產用交流對接會、新產品推介會、發布典型應用示范案例等方式，為我國工業半導體芯片企業和整機企業搭建交流合作平臺。

下一步，我部及相關部門將持續推進工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業發展，根據產業發展形勢，調整完善政策實施細則，更好的支持產業發展。通過行業協會等加大產業鏈合作力度，深入推進產學研用協同，促進我國工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業的技術迭代和應用推廣。

二、關于開放合作，推動我國工業半導體芯片材料、芯片、器件及IGBT模塊產業發展的建議

集成電路是高度國際化、市場化的產業，資源整合、國際合作是快速提升產業發展能力的重要途徑。我部與相關部門積極支持國內企業、高校、研究院所與先進發達國家加強交流合作。引進國外先進技術和研發團隊，推動包括工業半導體芯片、器件等領域國際專家來華交流，支持海外高層次產業人才來華發展，提升我國在工業半導體芯片相關領域的研發能力和技術實力。

下一步，我部和相關部門將繼續加快推進開放發展。引導國內企業、研究機構等加強與先進發達國家產學研機構的戰略合作，進一步鼓勵我國企業引進國外專家團隊，促進我國工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業研發能力和產業能力的提升。

三、關于步步為營分階段突破關鍵技術的建議

為解決工業半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關鍵性技術問題，我部等相關部門積極支持工業半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵技術攻關。

一是2017年我部推出“工業強基IGBT器件一條龍應用計劃”，針對新能源汽車、智能電網、軌道交通三大領域，重點支持IGBT設計、芯片制造、模塊生產及IDM、上游材料、生產設備制造等環節，促進IGBT及相關產業的發展。

二是指導湖南省建立功率半導體制造業創新中心建設，整合產業鏈上下游資源，協同攻關工業半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵共性技術。

三是指導中國寬禁帶半導體及應用產業聯盟發布《中國IGBT技術與產業發展路線圖（2018-2030）》，引導我國IGBT行業技術升級，推動相關產業發展。

下一步，我部將繼續支持我國工業半導體領域成熟技術發展，推動我國芯片制造領域良率、產量的提升。積極部署新材料及新一代產品技術的研發，推動我國工業半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊產業的發展。

四、關于高度重視人才隊伍的培養，出臺政策和措施建立這一領域長期有效的人才培養計劃的建議

當前，人才問題特別是高端人才團隊短缺成為制約我國工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業可持續發展的關鍵因素，為此我部及相關部門積極推動我國相關產業人才的培養。

一是我部、教育部共同推動籌建集成電路產教融合發展聯盟，促進產業界和學術界的資源整合，推動培養擁有工程化能力的產業人才。

二是同時以集成電路為試點實施關鍵領域核心技術緊缺博士人才自主培養專項，根據行業企業需要，依托高水平大學和國內骨干企業，針對性地培養一批高端博士人才。

三是教育部、我部等相關部門印發了《關于支持有關高校建設示范性微電子學院的通知》，支持26所高校建設或籌建示范性微電子學院，推動高校與區域內集成電路領域骨干企業、國家公共服務平臺、科技創新平臺、產業化基地和地方政府等加強合作。

下一步，我部與教育部等部門將進一步加強人才隊伍建設。推進設立集成電路一級學科，進一步做實做強示范性微電子學院，加快建設集成電路產教融合協同育人平臺，保障我國在工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業的可持續發展。