砷化鎵（GaAs）及氮化鎵（GaN）晶圓代工龍頭穩(wěn)懋公告2019年第二季營(yíng)收情形，營(yíng)收金額來(lái)到1.41億美元。第二季營(yíng)收相較于第一季成長(zhǎng)20.2%，而年增（減）率情形持續(xù)受到中美貿(mào)易摩擦影響，小幅衰退6.9%；然而該事件影響幅度已有逐漸趨緩跡象，預(yù)估2019年第三季營(yíng)收可望優(yōu)于第二季表現(xiàn)，對(duì)比第二季營(yíng)收有機(jī)會(huì)再成長(zhǎng)30%左右。

5G通訊設(shè)備及基地臺(tái)需求帶動(dòng)下，穩(wěn)懋營(yíng)收已較2019年第一季明顯回升

由于受到中美貿(mào)易戰(zhàn)拖累影響，砷化鎵及氮化鎵晶圓代工龍頭大廠穩(wěn)懋營(yíng)收自2018年第三季開(kāi)始明顯遭遇到波及，相較2017年同期逐步出現(xiàn)衰退9.2%，甚至2018年第四季及2019年第一季相比于同期，下滑幅度更為顯著，分別為-25.8%與-23.3%。

在全球大環(huán)境充滿(mǎn)不確定及消費(fèi)性商品需求疲軟之際，2019年第二季，穩(wěn)懋受惠于5G在通訊相關(guān)設(shè)備與基地臺(tái)設(shè)備部分營(yíng)收相對(duì)抗跌，甚至出現(xiàn)逆勢(shì)成長(zhǎng)。

GaN元件對(duì)于5G基地臺(tái)需求加持，穩(wěn)懋將逐漸擺脫中美貿(mào)易戰(zhàn)陰霾

憑借5G基礎(chǔ)建設(shè)發(fā)展，基地臺(tái)相關(guān)設(shè)備中的功率放大器（Power Amplifier，PA）逐漸受到關(guān)注。由于基地臺(tái)訊號(hào)傳遞距離及使用功率考量，相較于手機(jī)使用的PA元件（GaAs pHEMT）有所不同，基地臺(tái)PA元件更需轉(zhuǎn)換為可使用在更高頻、大功率之GaN HEMT元件為主，藉此提升基地臺(tái)設(shè)備之效能與耐用度。

若進(jìn)一步分析GaN on Si元件之基地臺(tái)設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈（如下圖所示），主要以Si基板供應(yīng)商、GaN磊晶廠、制造代工廠與封測(cè)代工廠等為主，其中GaN制造代工廠的制程質(zhì)量，將決定PA等基地臺(tái)設(shè)備元件的功能表現(xiàn)。

由穩(wěn)懋營(yíng)收情形可知，基地臺(tái)設(shè)備部分一直以來(lái)對(duì)于整體營(yíng)收占比愈趨顯著，從原先2017年第四季的低點(diǎn)12%，逐漸成長(zhǎng)至2019年第二季29%。

再以整體營(yíng)收來(lái)看，可發(fā)現(xiàn)隨著時(shí)間季度推進(jìn)，穩(wěn)懋基地臺(tái)設(shè)備產(chǎn)值更有逐季提升趨勢(shì)，甚至2019年第二季已達(dá)到高點(diǎn)4千1百萬(wàn)美元，推升該季營(yíng)收表現(xiàn)，因此雖受中美貿(mào)易戰(zhàn)影響，但現(xiàn)階段5G通訊設(shè)備發(fā)展與布局仍持續(xù)進(jìn)行中，對(duì)于穩(wěn)懋GaN元件于基地臺(tái)設(shè)備的使用與建置上，其營(yíng)收方面將逐漸擺脫中美摩擦陰霾。