歐盟項目TARANTO于2017年立項，XMOD也有幸成為其中的一員。項目的目標很明確，打破下一個BiCMOS技術平臺發展的技術障礙，允許提高HBT（異質結雙極晶體管）的性能，并且具有更高的集成度。這種新一代的晶體管HBT將是滿足高速通信系統和智能系統集成所需的高數據速率，以及將用于未來全自動傳輸系統的智能移動性系統的關鍵因素。

該項目的主要目標是開發晶體管HBT，它提供了非常高密度CMOS工藝的高最大頻率（FMAX：600 GHz）：130／90nm的IFX，55／28納米的ST，而IHP將在項目上實現700GHz的最大頻率并保持IFX和ST-BiCMOS工藝兼容。項目聯盟聚集了價值鏈中的主要歐洲玩家，這些應用以非常高的頻率，從實驗室到工業應用，從而確保最高的科學水平和能力來驗證并進行適當的演示工作。

項目總花費 4300萬歐元（3億人民幣），時間從2017年4月到 2020年3月，跨度3年。每個成員的花費在預算中公開，非常明確。如果有出入，會在后續的項目中給與調整。這些費用是公司接項目的成本費用，凡是參與這些項目的公司會通過各個國家的稅收調節等手段讓公司在總的收入上減稅，最后不會吃虧。參與伙伴總共30個左右，主要來自法國，德國，奧地利，意大利，比利時，希臘等。其中的工作分配也是非常鮮明，工藝，仿真，模型，封裝，測試，應用，系統以及項目協調組織等各家公司，科學院所和學校，正所謂集眾家之所長，基礎的搞基礎科研，應用的搞應用，設計的搞設計，互相幫襯，至于市場，項目立項本身基于市場需求，所以目標明確。下圖是一些成員獲得的項目經費：

其實這個項目的設立，不是空穴來風，回顧SiGe HBT高頻應用的平臺, 從DOTSFIVE，DOTSEVEN，CT209-RF2THZ SISOC等歐盟項目的前期工作來看，走到這步，已經經歷了10多年的積累，所以在上述的各個領域獲得了很多的Know-How和優秀的產品，比如Infineon的77GHz雷達芯片和博世的雷達防撞系統等。 其中也不乏創新公司通過歐盟項目，逐漸成長壯大起來，比如Silicon Radar，Micram 等產品設計公司。

半導體產業鏈很長，每個產品牽涉很多知識，所以XMOD也一直通過在參與歐盟項目的同時，把那些愿意把技術和產品轉移的公司引入國內，一方面可以彌補國內某些領域的短板，另一方面可以等國內高頻工藝線成熟直接上線生產出自己的產品，前期的引進和交流是為了以后少走彎路，節約時間。目前也有前瞻想法的國內技術平臺，已經或者準備去歐洲開辟聯絡窗口，我覺得是不錯的方向，畢竟歐盟項目很多，牽涉面非常廣泛，所以，國家有意識的引入一些對自己有幫助的歐洲公司，給與扶持和幫助，那么通過點帶面的初步合作， 也許在某些方面能迎頭趕上，減少差距。 每年舉辦的MOS-AK中國器件模型國際會議，也是朝著這個目標在前進。

前段時間一直在想，如何把歐洲好的工藝引進來，其實這不是讓歐洲企業來占領中國市場，而是給國內企業鍛煉的機會。畢竟只有通過實踐，才知道自己缺什么，哪些沒有想到。對于掌握國家項目資金的專家，也可以學習歐盟項目的做法，從市場上尋找最強的項目幫手來讓自身的產品更富有競爭力，同時也積極培育那些小而美的公司，使他們能夠茁壯成長。

中興通訊事件，漢芯事件也好，走過的路，獲得的是經驗和教訓，如何真正擁有制造中國芯的生態圈，路還很長，雖然有很多挫折，但是少犯同樣的錯誤是我們半導體人應該而且必須做的。