NVMe SSD是未來的發(fā)展趨勢(shì)，隨著NVMe SSD在主存儲(chǔ)領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用，面向NVMe SSD的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)必將是一個(gè)熱門話題。RISL架構(gòu)是一種NVMe SSD友好的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法，符合了SSD的讀寫特性，可以很好的發(fā)揮SSD的性能優(yōu)勢(shì)。

　　閃存介質(zhì)的大規(guī)模使用給傳統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)帶來了強(qiáng)烈的沖擊，傳統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)的很多設(shè)計(jì)理念不再適用于閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)。傳統(tǒng)存儲(chǔ)在設(shè)計(jì)過程中緊緊圍繞磁盤抖動(dòng)問題，所以在數(shù)據(jù)布局方面會(huì)適應(yīng)磁盤的順序讀寫特征。在設(shè)計(jì)過程中會(huì)大量采用內(nèi)存作為磁盤緩存，利用數(shù)據(jù)局部性特征過濾掉大量的磁盤操作，并且將小寫聚合成大寫;在IO調(diào)度器方面，通過LBA的調(diào)度將地址臨近的IO進(jìn)行聚合，從而可以優(yōu)化IO Pattern，使得磁盤的讀寫操作具有更強(qiáng)的順序性;在磁盤內(nèi)部，通過NCQ方式減少磁頭的抖動(dòng)，根據(jù)磁頭當(dāng)前所在位置對(duì)輸入IO進(jìn)行重新排序與調(diào)度，從而達(dá)到減少磁盤抖動(dòng)的目的，提升磁盤訪問性能。但是在SSD這種介質(zhì)上，磁盤所存在的IO特性已經(jīng)蕩然無存，傳統(tǒng)對(duì)磁盤所做的大量?jī)?yōu)化并不能給SSD帶來價(jià)值，在有些情況下反而會(huì)影響性能。在基本存儲(chǔ)介質(zhì)、存儲(chǔ)原理發(fā)生變革的情況下，存儲(chǔ)系統(tǒng)軟件的設(shè)計(jì)也需要做出調(diào)整，閃存系統(tǒng)設(shè)計(jì)一方面需要充分利用SSD帶來的價(jià)值，另一方面需要規(guī)避SSD所存在的問題。總的來說，如下圖所示，存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要緊緊圍繞應(yīng)用與介質(zhì)特性。磁盤和SSD相比存在一些共同的特性，但是各自又存在自己獨(dú)特的特性。為了更好的發(fā)揮SSD特性，滿足應(yīng)用需求，需要設(shè)計(jì)面向SSD的存儲(chǔ)軟件系統(tǒng)。

　　面向SSD設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)系統(tǒng)軟件，一方面需要發(fā)揮SSD的特性，另一方面需要規(guī)避SSD的問題。

　　NVMe SSD具有的特性可以歸納如下：

　　1， 具有極高的順序?qū)懶阅?，一般的隨機(jī)寫性能。SSD內(nèi)部采用日志型的寫入方式，新寫入的數(shù)據(jù)都會(huì)被寫入到新的NAND單元，并且建立LBA與PBA之間的映射關(guān)系。正因?yàn)槿绱耍琒SD內(nèi)部存在垃圾回收機(jī)制，對(duì)無效LBA映射單元進(jìn)行回收。垃圾回收會(huì)對(duì)SSD性能產(chǎn)生重大影響，通常所說的SSD穩(wěn)態(tài)性能，就是在SSD內(nèi)部垃圾回收單元正常運(yùn)行情況下的測(cè)試結(jié)果。對(duì)于大塊順序?qū)憗碚f，每次寫入的LBA都是連續(xù)的，因此可以大大簡(jiǎn)化SSD內(nèi)部的垃圾回收運(yùn)行機(jī)制，減少垃圾回收過程中的數(shù)據(jù)搬移操作，從而提升SSD的整體性能。對(duì)于隨機(jī)寫操作，LBA地址與PBA進(jìn)行雜亂映射，垃圾回收過程中存在大量的數(shù)據(jù)搬移操作，一方面影響SSD的寫放大;另一方面會(huì)造成SSD性能下降。因此，對(duì)于NVMe SSD來說，順序?qū)懶阅芤哂陔S機(jī)寫性能。為了最大程度的發(fā)揮SSD性能，對(duì)SSD盡可能采用順序?qū)懭氲姆绞?，并且采用與SSD內(nèi)部Data Frame對(duì)齊的大數(shù)據(jù)塊方式，這是對(duì)SSD最為友好的IO模式。

　　2， 具有極高的隨機(jī)讀性能。SSD內(nèi)部采用NANDFlash存儲(chǔ)介質(zhì)，對(duì)于這種介質(zhì)不存在類似磁盤的隨機(jī)讀問題。對(duì)于讀請(qǐng)求，在SSD內(nèi)部的固件首先將LBA轉(zhuǎn)換成PBA，然后從NAND介質(zhì)上讀取數(shù)據(jù)。

　　通過SSD的讀寫特性分析，我們?cè)O(shè)計(jì)了以RISL架構(gòu)為核心的存儲(chǔ)系統(tǒng)。RISL是Random Input Stream Layout的縮寫，該架構(gòu)最大的特性是充分利用NVMeSSD的讀寫特性，將業(yè)務(wù)的隨機(jī)IO寫請(qǐng)求轉(zhuǎn)換成順序數(shù)據(jù)流寫入SSD。在RISL層將寫請(qǐng)求進(jìn)行聚合，轉(zhuǎn)換成順序數(shù)據(jù)流之后再寫入存儲(chǔ)層，對(duì)于SSD而言可以做到順序?qū)懭氲男Ч嵘薙SD內(nèi)部固件的工作效率，從而提升系統(tǒng)整體性能。在讀請(qǐng)求處理方面，RISL內(nèi)部建立了請(qǐng)求映射表，通過請(qǐng)求映射表將用戶請(qǐng)求轉(zhuǎn)換至SSD請(qǐng)求，對(duì)于SSD而言實(shí)現(xiàn)了讀請(qǐng)求隨機(jī)訪問的目的。RISL架構(gòu)的存儲(chǔ)系統(tǒng)框架如下圖所示：

　　RISL系統(tǒng)分成兩大部分，一部分是StorageService System，該部分負(fù)責(zé)寫請(qǐng)求順序化以及讀請(qǐng)求的映射處理，并且在寫請(qǐng)求處理過程中可以加入數(shù)據(jù)去重、壓縮等機(jī)制，更加高效的使用SSD存儲(chǔ)空間;另一部分是FlashRAID存儲(chǔ)層，對(duì)外提供存儲(chǔ)對(duì)象Container。FlashRAID提供的存儲(chǔ)對(duì)象分為兩大類，一類為Sealed Container，該類對(duì)象具備只讀特性;另一類為Active Container，具備可寫特性。寫數(shù)據(jù)流只會(huì)往Active Container中寫入數(shù)據(jù)，當(dāng)Active Container被寫滿之后，該類對(duì)象會(huì)轉(zhuǎn)換成Sealed Container。為了保證在系統(tǒng)突然斷電情況下的數(shù)據(jù)一致性，設(shè)計(jì)采用了NVDIMM存儲(chǔ)介質(zhì)，通過該介質(zhì)對(duì)用戶數(shù)據(jù)進(jìn)行聚合處理，將隨機(jī)的業(yè)務(wù)寫數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成順序數(shù)據(jù)流。聚合完成的順序數(shù)據(jù)流通過數(shù)據(jù)去重引擎以及數(shù)據(jù)壓縮引擎進(jìn)行數(shù)據(jù)縮減操作，提升SSD的利用率。在數(shù)據(jù)寫過程中會(huì)產(chǎn)生大量的元數(shù)據(jù)，這些元數(shù)據(jù)都具有小數(shù)據(jù)的特性，通過NVDIMM的聚合首先將元數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成大數(shù)據(jù)塊，然后再寫入持久化SSD介質(zhì)，這樣可以避免元數(shù)據(jù)操作引入的小寫問題。

　　對(duì)于讀操作，邏輯處理過程比較簡(jiǎn)單，在RISL架構(gòu)中維護(hù)了一個(gè)數(shù)據(jù)映射表格，通過該表格實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)請(qǐng)求與SSD請(qǐng)求之間的映射。SSD請(qǐng)求在存儲(chǔ)介質(zhì)上隨機(jī)分布，獲取并發(fā)讀取效果。RISL架構(gòu)中的數(shù)據(jù)映射表格容量與存儲(chǔ)容量相關(guān)，為了提升IO性能，該映射表格通常會(huì)全部加載在內(nèi)存中。此外，該表格在寫處理過程中會(huì)對(duì)其進(jìn)行修改，在讀操作過程中會(huì)對(duì)其進(jìn)行檢索，因此，如何保證該表格的并發(fā)訪問是設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)的重點(diǎn)。

　　存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)本質(zhì)上就是數(shù)據(jù)布局的設(shè)計(jì)。從數(shù)據(jù)布局的角度來看RISL，其可以很好的與NVMe SSD的特性進(jìn)行匹配。下圖所示是RISL架構(gòu)的數(shù)據(jù)布局圖：

　　其中綠點(diǎn)表示讀請(qǐng)求，紅點(diǎn)表示寫請(qǐng)求。從圖中可以看出寫請(qǐng)求在SSD上具有很強(qiáng)的局部性，具備順序?qū)懙奶攸c(diǎn);讀請(qǐng)求在SSD上具有很強(qiáng)的離散性。讀寫請(qǐng)求在SSD上沒有沖突，但是在NVDIMM中具有混合訪問特性，也就是說熱點(diǎn)數(shù)據(jù)在NVDIMM中進(jìn)行處理，避免讀寫在SSD中沖突，從而可以緩解讀請(qǐng)求由于寫請(qǐng)求而引入的延遲的問題。從圖中也可以看出RISL架構(gòu)的數(shù)據(jù)布局與磁盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)布局完全不同，從而也說明了RISL是一種面向SSD設(shè)計(jì)、SSD友好的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法。

　　RISL架構(gòu)設(shè)計(jì)還需要考慮的一個(gè)問題是數(shù)據(jù)回收（GarbageCollection）。由于RISL將用戶隨機(jī)寫請(qǐng)求轉(zhuǎn)換成了順序IO流，簡(jiǎn)化了SSD內(nèi)部的數(shù)據(jù)回收操作，該問題被轉(zhuǎn)移到了系統(tǒng)層面去解決。由于系統(tǒng)層面離業(yè)務(wù)層更近，因此可以與業(yè)務(wù)進(jìn)行配合更好的實(shí)現(xiàn)垃圾數(shù)據(jù)的回收。在面向Flash的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，有一種設(shè)計(jì)思路是將底層的FTL轉(zhuǎn)移到系統(tǒng)層去實(shí)現(xiàn)，該想法的一個(gè)缺陷是需要定制化SSD，將NAND Flash的接口直接暴露給系統(tǒng)層。RISL架構(gòu)可以在標(biāo)準(zhǔn)SSD上實(shí)現(xiàn)，但同樣可以在系統(tǒng)層實(shí)現(xiàn)垃圾數(shù)據(jù)塊的回收，并且可以與業(yè)務(wù)配合提升閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能。這是RISL架構(gòu)的優(yōu)勢(shì)。

　　在RISL架構(gòu)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，我們實(shí)現(xiàn)了閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)的原型系統(tǒng)。如下圖所示，在多塊Intel NVMe SSD盤的基礎(chǔ)上，當(dāng)寫IOPS達(dá)到80萬時(shí)，IO的平均延遲可以控制在160us左右。達(dá)到了高IOPS、低IO延遲的設(shè)計(jì)目標(biāo)。