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S3C2440內部集成了一個Nand flash控制器。S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性：
- 一個引導啟動單元
- Nand Flash存儲器接口，支持8位或16位的每頁大小為256字，512字節(jié)，1K字和2K字節(jié)的Nand flash
- 軟件模式：用戶可以直接訪問Nand Flash存儲器，此特性可以用于Nand Flash存儲器的讀、擦除和編程。
- ?S3C2440支持8/16位的Nand Flash存儲器接口總線
- 硬件ECC生成，檢測和指示（軟件糾錯）。
- Steppingstone接口，支持大/小端模式的按字節(jié)/半字/字訪問。
我用的開發(fā)板是天嵌的TQ2440，板子用到的Nand Flash是Samsung公司的K9F2G08U0A，它是8位的Nand flash。本文只介紹Nand Flash的電路原理和Nand Flash的讀、寫、擦除等基本操作，暫不涉及Nand Flash啟動程序的問題。
Nand Flash的電路連接如圖 1所示：
圖 1 Nand Flash電路原理
上圖的左邊為K9F2G08U0A與2440的連接圖，原理方面就不多介紹，去看看datasheet估計就懂得了，右邊的部分是S3C2440的Nand控制器的配置。配置引腳NCON，GPG13，GPG14和GPG15用來設置Nand Flash的基本信息，Nand控制器通過讀取配置引腳的狀態(tài)獲取外接的Nand Flash的配置信息，圖 2是這四個配置引腳的定義：
圖 2 Nand控制配置引腳信息
由于K9F2G08U0A的總線寬度為8位，頁大小為2048字節(jié)，需要5個尋址命令，所以NCON、GPG13和GPG14應該接高電平，GPG15應該接低電平。
K9F2G08U0A沒有地址或數據總線，只有8個IO口，這8個IO口用于傳輸命令、地址和數據。K9F2G08U0A主要以page（頁）為單位進行讀寫，以block（塊）為單位進行擦除。每一頁中又分為main區(qū)和spare區(qū)，main區(qū)用于正常數據的存儲，spare區(qū)用于存儲一些附加信息，如塊好壞的標記、塊的邏輯地址、頁內數據的ECC校驗和等。K9F2G08U0A的存儲陣列如圖 3所示：
圖 3 K9F2G08U0A內部存儲陣列
由上圖，我們可以知道：K9F2G08U0A的一頁為（2K＋64）字節(jié)（2K表示的是main區(qū)容量， 64表示的是spare區(qū)容量），它的一塊為64頁，而整個設備包括了2048個塊。這樣算下來一共有2112M位容量，如果只算main區(qū)容量則有256M字節(jié)（即256M×8位）。
圖 4 K9F2G08U0A地址序列
要實現用8個IO口來要訪問這么大的容量，如圖 4所示：K9F2G08U0A規(guī)定了用5個周期來實現。第一個周期訪問的地址為A0~A7；第二個周期訪問的地址為A8~A11，它作用在IO0~IO3上，而此時IO4~IO7必須為低電平；第三個周期訪問的地址為A12~A19；第四個周期訪問的地址為A20~A27；第五個周期訪問的地址為A28，它作用在IO0上，而此時IO1~IO7必須為低電平。前兩個周期傳輸的是列地址，后三個周期傳輸的是行地址。通過分析可知，列地址是用于尋址頁內空間，行地址用于尋址頁，如果要直接訪問塊，則需要從地址A18開始。由于所有的命令、地址和數據全部從8位IO口傳輸，所以Nand flash定義了一個命令集來完成各種操作。有的操作只需要一個命令（即一個周期）即可，而有的操作則需要兩個命令（即兩個周期）來實現。K9F2G08U0A的命令說明如圖 5所示：
圖 5 K9F2G08U0A命令表
為了方便使用，我們宏定義了K9F2G08U0A的常用命令
#define CMD_READ1 0x00 //頁讀命令周期1
#define CMD_READ2 0x30 //頁讀命令周期2
#define CMD_READID 0x90 //讀ID命令
#define CMD_WRITE1 0x80 //頁寫命令周期1
#define CMD_WRITE2 0x10 //頁寫命令周期2
#define CMD_ERASE1 0x60 //塊擦除命令周期1
#define CMD_ERASE2 0xd0 //塊擦除命令周期2
#define CMD_STATUS 0x70 //讀狀態(tài)命令
#define CMD_RESET 0xff //復位
#define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //隨意讀命令周期1
#define CMD_RANDOMREAD2 0xE0 //隨意讀命令周期2
#define CMD_RANDOMWRITE 0x85 //隨意寫命令
接下來介紹幾個Nand Flash控制器的寄存器。Nand Flash控制器的寄存器主要有NFCONF（Nand Flash配置寄存器），NFCONT（Nand Flash控制寄存器），NFCMMD（Nand Flash命令集寄存器），NFADDR（Nand Flash地址集寄存器），NFDATA（Nand Flash數據寄存器），NFMECCD0/1（Nand Flash的main區(qū)ECC寄存器），NFSECCD（Nand Flash的spare區(qū)ECC寄存器），NFSTAT（Nand Flash操作狀態(tài)寄存器），NFESTAT0/1（Nand Flash的ECC狀態(tài)寄存器），NFMECC0/1（Nand Flash用于數據的ECC寄存器），以及NFSECC（Nand Flash用于IO的ECC寄存器）。
（1）NFCONF:2440的NFCONF寄存器是用來設置NAND Flash的時序參數TACLS、TWRPH0、TWRPH1。配置寄存器的［3:0］是只讀位，用來指示外部所接的Nand Flash的配置信息，它們是由配置引腳NCON，GPG13，GPG14和GPG15所決定的（比如說K9F2G08U0A的配置為NCON、GPG13和GPG14接高電平，GPG15接低電平，所以［3:0］位狀態(tài)應該是1110）。
（2）NFCONT：用來使能/禁止NAND Flash控制器、使能/禁止控制引腳信號nFCE、初始化ECC。它還有其他功能，在一般的應用中用不到，比如鎖定NAND Flash。
（3）NFCMMD：對于不同型號的Flash，操作命令一般不一樣。參考前面介紹的K9F2G08U0A命令序列。
（4）NFADDR：當寫這個寄存器時，它將對Flash發(fā)出地址信號。只用到低8位來傳輸，所以需要分次來寫入一個完整的32位地址，K9F2G08U0A的地址序列在圖4已經做了詳細說明。
（5）NFDATA：只用到低8位，讀、寫此寄存器將啟動對NAND Flash的讀數據、寫數據操作。
（6）NFSTAT：只用到位0，用來檢測NAND是否準備好。0：busy，1：ready。
NFCONF寄存器使用TACLS、TWRPH0、TWRPH1這3個參數來控制NAND Flash信號線CLE/ALE與寫控制信號nWE的時序關系，它們之間的關系如圖6和圖7所示：
圖6 CLE/ALE時序圖
圖7 nWE和nRE時序圖
TACLS為CLE/ALE有效到nWE有效之間的持續(xù)時間，TWRPH0為nWE的有效持續(xù)時間，TWRPH1為nWE無效到CLE/ALE無效之間的持續(xù)時間，這些時間都是以HCLK為單位的。通過查閱K9F2G08U0A的數據手冊，我們可以找到并計算與S3C2440相對應的時序：K9F2G08U0A中的Twp與TWRPH0相對應，Tclh與TWRPH1相對應， TACLS應該是與Tcls相對應。K9F2G08U0A給出的都是最小時間， 2440只要滿足它的最小時間即可。TACLS、TWRPH0、TWRPH1這三個變量取值大一些會更保險，在這里，這三個值分別取1，2和0。
下面就開始詳細介紹K9F2G08U0A的基本操作，包括復位，讀ID，頁讀、寫數據，隨意讀、寫數據，塊擦除等。
為了更好地應用ECC和使能Nand Flash片選，我們還需要一些宏定義：
#define NF_nFCE_L（） {rNFCONT &= ~（1《《1）; }
#define NF_CE_L（） NF_nFCE_L（） //打開nandflash片選
#define NF_nFCE_H（） {rNFCONT |= （1《《1）; }
#define NF_CE_H（） NF_nFCE_H（） //關閉nandflash片選
#define NF_RSTECC（） {rNFCONT |= （1《《4）; } //復位ECC
#define NF_MECC_UnLock（） {rNFCONT &= ~（1《《5）; } //解鎖main區(qū)ECC
#define NF_MECC_Lock（） {rNFCONT |= （1《《5）; } //鎖定main區(qū)ECC
#define NF_SECC_UnLock（） {rNFCONT &= ~（1《《6）; } //解鎖spare區(qū)ECC
#define NF_SECC_Lock（） {rNFCONT |= （1《《6）; } //鎖定spare區(qū)ECC
NFSTAT是另一個比較重要的寄存器，它的第0位可以用于判斷nandflash是否在忙，第2位用于檢測RnB引腳信號：
#define NF_WAITRB（） {while（！（rNFSTAT&（1《《0）））;} //等待Nand Flash不忙
#define NF_CLEAR_RB（） {rNFSTAT |= （1《《2）; } //清除RnB信號
#define NF_DETECT_RB（） {while（?。╮NFSTAT&（1《《2）））;}
//等待RnB信號變高，即不忙
NFCMMD，NFADDR和NFDATA分別用于傳輸命令，地址和數據，為了方便起見，我們可以定義一些宏定義用于完成上述操作：
#define NF_CMD（data） {rNFCMD = （data）; } //傳輸命令
#define NF_ADDR（addr） {rNFADDR = （addr）; } //傳輸地址
#define NF_RDDATA（） rNFDATA） //讀32位數據
#define NF_RDDATA8（） （rNFDATA8） //讀8位數據
#define NF_WRDATA（data） {rNFDATA = （data）; } //寫32位數據
#define NF_WRDATA8（data） {rNFDATA8 = （data）; } //寫8位數據
首先，是初始化操作
void rNF_Init（void）
{
rNFCONF = （TACLS《《12）|（TWRPH0《《8）|（ TWRPH1《《4）|（0《《0）;//初始化時序參數
rNFCONT =
（0《《13）|（0《《12）|（0《《10）|（0《《9）|（0《《8）|（1《《6）|（1《《5）|（1《《4）|（1《《1）|（1《《0）; //非鎖定，屏蔽nandflash中斷，初始化ECC及鎖定main區(qū)和spare區(qū)ECC，使能nandflash片選及控制器
rNF_Reset（）;//復位芯片
}
復位操作，寫入復位命令
static void rNF_Reset（）
{
NF_CE_L（）; //打開nandflash片選
NF_CLEAR_RB（）; //清除RnB信號
NF_CMD（CMD_RESET）; //寫入復位命令
NF_DETECT_RB（）; //等待RnB信號變高，即不忙
NF_CE_H（）; //關閉nandflash片選
}
讀取K9F2G08U0A芯片ID的操作如下：時序圖在datasheet的figure18。首先需要寫入讀ID命令（0x90），然后再寫入0x00地址，并等待芯片就緒，就可以讀取到一共五個周期的芯片ID，第一個周期為廠商ID，第二個周期為設備ID，第三個周期至第五個周期包括了一些具體的該芯片信息，函數如下
static char rNF_ReadID（）
{
char pMID;
char pDID;
char cyc3， cyc4， cyc5;
NF_nFCE_L（）; //打開nandflash片選
NF_CLEAR_RB（）; //清RnB信號
NF_CMD（CMD_READID）; //讀ID命令
NF_ADDR（0x0）; //寫0x00地址
for （ i = 0; i 《 100; i++ ）;等一段時間
//讀五個周期的ID
pMID = NF_RDDATA8（）; //廠商ID：0xEC
pDID = NF_RDDATA8（）; //設備ID：0xDA
cyc3 = NF_RDDATA8（）; //0x10
cyc4 = NF_RDDATA8（）; //0x95
cyc5 = NF_RDDATA8（）; //0x44
NF_nFCE_H（）; //關閉nandflash片選
return （pDID）;
}
下面介紹Nand Flash讀操作，讀操作是以頁為單位進行的。如果在讀取數據的過程中不進行ECC校驗判斷，則讀操作比較簡單，在寫入讀命令的兩個周期之間寫入要讀取的頁地址，然后讀取數據即可。如果為了更準確地讀取數據，則在讀取完數據之后還要進行ECC校驗判斷，以確定所讀取的數據是否正確。
在上文中已經介紹過，Nand Flash的每一頁有兩區(qū)：main區(qū)和spare區(qū)，main區(qū)用于存儲正常的數據，spare區(qū)用于存儲其他附加信息，其中就包括ECC校驗碼。當我們在寫入數據的時候，我們就計算這一頁數據的ECC校驗碼，然后把校驗碼存儲到spare區(qū)的特定位置中，在下次讀取這一頁數據的時候，同樣我們也計算ECC校驗碼，然后與spare區(qū)中的ECC校驗碼比較，如果一致則說明讀取的數據正確，如果不一致則不正確。ECC的算法較為復雜，好在S3C2440能夠硬件產生ECC校驗碼，這樣就省去了不少的麻煩事。S3C2440既可以產生main區(qū)的ECC校驗碼，也可以產生spare區(qū)的ECC校驗碼。因為K9F2G08U0A是8位IO口，因此S3C2440共產生4個字節(jié)的main區(qū)ECC碼和2個字節(jié)的spare區(qū)ECC碼。在這里我們規(guī)定，在每一頁的spare區(qū)的第0個地址到第3個地址存儲main區(qū)ECC，第4個地址和第5個地址存儲spare區(qū)ECC。
產生ECC校驗碼的過程為：在讀取或寫入哪個區(qū)的數據之前，先解鎖該區(qū)的ECC，以便產生該區(qū)的ECC。在讀取或寫入完數據之后，再鎖定該區(qū)的ECC，這樣系統就會把產生的ECC碼保存到相應的寄存器中。main區(qū)的ECC保存到NFMECC0/1中（因為K9F2G08U0A是8位IO口，因此這里只用到了NFMECC0），spare區(qū)的ECC保存到NFSECC中。對于讀操作來說，我們還要繼續(xù)讀取spare區(qū)的相應地址內容，以得到上次寫操作時所存儲的main區(qū)和spare區(qū)的ECC，并把這些數據分別放入NFMECCD0/1和NFSECCD的相應位置中。最后我們就可以通過讀取NFESTAT0/1（因為K9F2G08U0A是8位IO口，因此這里只用到了NFESTAT0）中的低4位來判斷讀取的數據是否正確，其中第0位和第1位為main區(qū)指示錯誤，第2位和第3位為spare區(qū)指示錯誤。
下面是一段具體的頁讀操作程序：
U8 rNF_ReadPage（ U32 page_number ）
{
U32 i， mecc0， secc;
NF_RSTECC（）; //復位ECC
NF_MECC_UnLock（）; //解鎖main區(qū)ECC
NF_nFCE_L（）;//使能芯片
NF_CLEAR_RB（）;//清除RnB
NF_CMD（CMD_READ1）; //頁讀命令周期1，0x00
//寫入5個地址周期
NF_ADDR（0x00）; //列地址A0-A7
NF_ADDR（0x00）; //列地址A8-A11
NF_ADDR（（addr） & 0xff）; //行地址A12-A19
NF_ADDR（（addr 》》 8） & 0xff）; //行地址A20-A27
NF_ADDR（（addr 》》 16） & 0xff）; //行地址A28
NF_CMD（CMD_READ2）; //頁讀命令周期2，0x30
NF_DETECT_RB（）; ////等待RnB信號變高，即不忙
for （i = 0; i 《 2048; i++）
{
buf［i］ = NF_RDDATA8（）;//讀取一頁數據內容
}
NF_MECC_Lock（）; //鎖定main區(qū)ECC值
NF_SECC_UnLock（）; //解鎖spare區(qū)ECC
mecc0=NF_RDDATA（）; //讀spare區(qū)的前4個地址內容，即第2048~2051地址，這4個字節(jié)為main區(qū)的ECC
//把讀取到的main區(qū)的ECC校驗碼放入NFMECCD0/1的相應位置內
rNFMECCD0=（（mecc0&0xff00）《《8）|（mecc0&0xff）;
rNFMECCD1=（（mecc0&0xff000000）》》8）|（（mecc0&0xff0000）》》16）;
NF_SECC_Lock（）; //鎖定spare區(qū)的ECC值
secc=NF_RDDATA（）; //繼續(xù)讀spare區(qū)的4個地址內容，即第2052~2055地址，其中前2個字節(jié)為spare區(qū)的ECC值
//把讀取到的spare區(qū)的ECC校驗碼放入NFSECCD的相應位置內
rNFSECCD=（（secc&0xff00）《《8）|（secc&0xff）;
NF_nFCE_H（）; //關閉nandflash片選
//判斷所讀取到的數據是否正確
if （（rNFESTAT0&0xf） == 0x0）
return 0x66; //正確
else
return 0x44; //錯誤
}
這段程序是把某一頁的內容讀取到全局變量數組buffer中。該程序的輸入參數直接就為K9F2G08U0A的第幾頁，例如我們要讀取第128064頁中的內容，可以調用該程序為：rNF_ReadPage（128064）。由于第128064頁是第2001塊中的第0頁（128064＝2001×64＋0），所以為了更清楚地表示頁與塊之間的關系，也可以寫為：rNF_ReadPage（2001*64）。
頁寫操作的大致流程為：在兩個寫命令周期之間分別寫入頁地址和數據，當然如果為了保證下次讀取該數據時的正確性，還需要把main區(qū)的ECC值和spare區(qū)的ECC值寫入到該頁的spare區(qū)內。然后我們還需要讀取狀態(tài)寄存器，以判斷這次寫操作是否正確。下面就給出一段具體的頁寫操作程序，其中輸入參數也是要寫入數據到第幾頁：
U8 rNF_WritePage（U32 page_number）
{
U32 i， mecc0， secc;
U8 stat， temp;
temp = rNF_IsBadBlock（page_number》》6）; //判斷該塊是否為壞塊
if（temp == 0x33）
return 0x42; //是壞塊，返回
NF_RSTECC（）; //復位ECC
NF_MECC_UnLock（）; //解鎖main區(qū)的ECC
NF_nFCE_L（）; //打開nandflash片選
NF_CLEAR_RB（）; //清RnB信號
NF_CMD（CMD_WRITE1）; //頁寫命令周期1
//寫入5個地址周期
NF_ADDR（0x00）; //列地址A0~A7
NF_ADDR（0x00）; //列地址A8~A11
NF_ADDR（（page_number） & 0xff）; //行地址A12~A19
NF_ADDR（（page_number 》》 8） & 0xff）; //行地址A20~A27
NF_ADDR（（page_number 》》 16） & 0xff）; //行地址A28
for （i = 0; i 《 2048; i++）//寫入一頁數據
{
NF_WRDATA8（（char）（i+6））;
}
NF_MECC_Lock（）; //鎖定main區(qū)的ECC值
mecc0=rNFMECC0; //讀取main區(qū)的ECC校驗碼
//把ECC校驗碼由字型轉換為字節(jié)型，并保存到全局變量數組ECCBuf中
ECCBuf［0］=（U8）（mecc0&0xff）;
ECCBuf［1］=（U8）（（mecc0》》8） & 0xff）;
ECCBuf［2］=（U8）（（mecc0》》16） & 0xff）;
ECCBuf［3］=（U8）（（mecc0》》24） & 0xff）;
NF_SECC_UnLock（）; //解鎖spare區(qū)的ECC
//把main區(qū)的ECC值寫入到spare區(qū)的前4個字節(jié)地址內，即第2048~2051地址
for（i=0;i《4;i++）
{
NF_WRDATA8（ECCBuf［i］）;
}
NF_SECC_Lock（）; //鎖定spare區(qū)的ECC值
secc=rNFSECC; //讀取spare區(qū)的ECC校驗碼
//把ECC校驗碼保存到全局變量數組ECCBuf中
ECCBuf［4］=（U8）（secc&0xff）;
ECCBuf［5］=（U8）（（secc》》8） & 0xff）;
//把spare區(qū)的ECC值繼續(xù)寫入到spare區(qū)的第2052~2053地址內
for（i=4;i《6;i++）
{
NF_WRDATA8（ECCBuf［i］）;
}
NF_CMD（CMD_WRITE2）; //頁寫命令周期2
delay（1000）; //延時一段時間，以等待寫操作完成
NF_CMD（CMD_STATUS）; //讀狀態(tài)命令
//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語句的作用與NF_DETECT_RB（）;相同
do{
stat = NF_RDDATA8（）;
}while（?。╯tat&0x40））;
NF_nFCE_H（）; //關閉Nand Flash片選
//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則寫操作正確，否則錯誤
if （stat & 0x1）
{
temp = rNF_MarkBadBlock（page_number》》6）;//標注該頁所在的塊為壞塊
if （temp == 0x21）
return 0x43 //標注壞塊失敗
else
return 0x44; //寫操作失敗
}
else
return 0x66; //寫操作成功
}
該段程序先判斷該頁所在的壞是否為壞塊，如果是則退出。在最后寫操作失敗后，還要標注該頁所在的塊為壞塊，其中所用到的函數rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock，我們在后面介紹。我們再總結一下該程序所返回數值的含義，0x42：表示該頁所在的塊為壞塊；0x43：表示寫操作失敗，并且在標注該頁所在的塊為壞塊時也失?。?x44：表示寫操作失敗，但是標注壞塊成功；0x66：寫操作成功。
擦除是以塊為單位進行的，因此在寫地址周期是，只需寫三個行周期，并且要從A18開始寫起。與寫操作一樣，在擦除結束前還要判斷是否擦除操作成功，另外同樣也存在需要判斷是否為壞塊以及要標注壞塊的問題。下面就給出一段具體的塊擦除操作程序：
U8 rNF_EraseBlock（U32 block_number）
{
char stat， temp;
temp = rNF_IsBadBlock（block_number）; //判斷該塊是否為壞塊
if（temp == 0x33）
return 0x42; //是壞塊，返回
NF_nFCE_L（）; //打開片選
NF_CLEAR_RB（）; //清RnB信號
NF_CMD（CMD_ERASE1）; //擦除命令周期1
//寫入3個地址周期，從A18開始寫起
NF_ADDR（（block_number 《《 6） & 0xff）; //行地址A18~A19
NF_ADDR（（block_number 》》 2） & 0xff）; //行地址A20~A27
NF_ADDR（（block_number 》》 10） & 0xff）; //行地址A28
NF_CMD（CMD_ERASE2）; //擦除命令周期2
delay（1000）; //延時一段時間
NF_CMD（CMD_STATUS）; //讀狀態(tài)命令
//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語句的作用與NF_DETECT_RB（）;相同
do{
stat = NF_RDDATA8（）;
}while（！（stat&0x40））;
NF_nFCE_H（）; //關閉Nand Flash片選
//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則擦除操作正確，否則錯誤
if （stat & 0x1）
{
temp = rNF_MarkBadBlock（page_number》》6）; //標注該塊為壞塊
if （temp == 0x21）
return 0x43 //標注壞塊失敗
else
return 0x44; //擦除操作失敗
}
else
return 0x66; //擦除操作成功
}
該程序的輸入參數為K9F2G08U0A的第幾塊，例如我們要擦除第2001塊，則調用該函數為：rNF_EraseBlock（2001）。
K9F2G08U0A除了提供了頁讀和頁寫功能外，還提供了頁內地址隨意讀、寫功能。頁讀和頁寫是從頁的首地址開始讀、寫，而隨意讀、寫實現了在一頁范圍內任意地址的讀、寫。隨意讀操作是在頁讀操作后輸入隨意讀命令和頁內列地址，這樣就可以讀取到列地址所指定地址的數據。隨意寫操作是在頁寫操作的第二個頁寫命令周期前，輸入隨意寫命令和頁內列地址，以及要寫入的數據，這樣就可以把數據寫入到列地址所指定的地址內。下面兩段程序實現了隨意讀和隨意寫功能，其中隨意讀程序的輸入參數分別為頁地址和頁內地址，輸出參數為所讀取到的數據，隨意寫程序的輸入參數分別為頁地址，頁內地址，以及要寫入的數據。
U8 rNF_RamdomRead（U32 page_number， U32 add）
{
NF_nFCE_L（）; //打開Nand Flash片選
NF_CLEAR_RB（）; //清RnB信號
NF_CMD（CMD_READ1）; //頁讀命令周期1
//寫入5個地址周期
NF_ADDR（0x00）; //列地址A0~A7
NF_ADDR（0x00）; //列地址A8~A11
NF_ADDR（（page_number） & 0xff）; //行地址A12~A19
NF_ADDR（（page_number 》》 8） & 0xff）; //行地址A20~A27
NF_ADDR（（page_number 》》 16） & 0xff）; //行地址A28
NF_CMD（CMD_READ2）; //頁讀命令周期2
NF_DETECT_RB（）; //等待RnB信號變高，即不忙
NF_CMD（CMD_RANDOMREAD1）; //隨意讀命令周期1
//頁內地址
NF_ADDR（（char）（add&0xff））; //列地址A0~A7
NF_ADDR（（char）（（add》》8）&0x0f））; //列地址A8~A11
NF_CMD（CMD_RANDOMREAD2）; //隨意讀命令周期2
return NF_RDDATA8（）; //讀取數據
}
U8 rNF_RamdomWrite（U32 page_number， U32 add， U8 dat）
{
U8 temp，stat;
NF_nFCE_L（）; //打開Nand Flash片選
NF_CLEAR_RB（）; //清RnB信號
NF_CMD（CMD_WRITE1）; //頁寫命令周期1
//寫入5個地址周期
NF_ADDR（0x00）; //列地址A0~A7
NF_ADDR（0x00）; //列地址A8~A11
NF_ADDR（（page_number） & 0xff）; //行地址A12~A19
NF_ADDR（（page_number 》》 8） & 0xff）; //行地址A20~A27
NF_ADDR（（page_number 》》 16） & 0xff）; //行地址A28
NF_CMD（CMD_RANDOMWRITE）; //隨意寫命令
//頁內地址
NF_ADDR（（char）（add&0xff））; //列地址A0~A7
NF_ADDR（（char）（（add》》8）&0x0f））; //列地址A8~A11
NF_WRDATA8（dat）; //寫入數據
NF_CMD（CMD_WRITE2）; //頁寫命令周期2
delay（1000）; //延時一段時間
NF_CMD（CMD_STATUS）; //讀狀態(tài)命令
//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語句的作用與NF_DETECT_RB（）;相同
do{
stat = NF_RDDATA8（）;
}while（?。╯tat&0x40））;
NF_nFCE_H（）; //關閉Nand Flash片選
//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則寫操作正確，否則錯誤
if （stat & 0x1）
return 0x44; //失敗
else
return 0x66; //成功
}
下面介紹上文中提到的判斷壞塊以及標注壞塊的那兩個程序：rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock。在這里，我們定義在spare區(qū)的第6個地址（即每頁的第2054地址）用來標注壞塊，0x44表示該塊為壞塊。要判斷壞塊時，利用隨意讀命令來讀取2054地址的內容是否為0x44，要標注壞塊時，利用隨意寫命令來向2054地址寫0x33。下面就給出這兩個程序，它們的輸入參數都為塊地址，也就是即使僅僅一頁出現問題，我們也標注整個塊為壞塊。
U8 rNF_IsBadBlock（U32 block）
{
return rNF_RamdomRead（block*64， 2054）;
}
U8 rNF_MarkBadBlock（U32 block）
{
U8 result;
result = rNF_RamdomWrite（block*64， 2054， 0x33）;
if（result == 0x44）
return 0x21; //寫壞塊標注失敗
else
return 0x60; //寫壞塊標注成功
}
關于Nand Flash的基本操作就介紹到這吧
工商網監(jiān)
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