各種存儲器比較（PCM，STTRAM，SRAM，DRAM，Flash NAND，HDD），看出憶阻器在集成密度，數據的讀寫時間有著比較明顯的優勢。

　　綜合起來可以看出憶阻器在集成密度，數據的讀寫時間有著比較明顯的優勢：

　　Endurance：代表器件最大的擦寫次數；

　　STTRAM：自旋扭矩轉換隨機存儲器，物理機制是磁致阻變效應；

　　SRAM：靜態隨機存儲器，主要用來制造CPU與主板之間的緩存。

　　優點是速度快（可以看到這種存儲器的讀寫速度是最快的）；

　　缺點是集成密度低，掉電不能保存數據。

　　DRAM：動態隨機存儲器，用途主要在內存上。憶阻器的大部分參數可以和DRAM相比，也可以用來制造內存。

　　Flash（NAND）：閃存。用途：固態硬盤，便攜式存儲器。

　　HDD：硬盤。

　　優點是價格低廉（這種存儲器的單位容量所需要的價格是最低的，

　　缺點也是顯而易見的，讀寫速度比其他存儲器低很多數量級。