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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>磁單極子的研究促進新一代自旋電子存儲器的開發(fā)

磁單極子的研究促進新一代自旋電子存儲器的開發(fā)

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2018-09-25 17:09:01462

設(shè)計:小型超寬帶共面波導(dǎo)(CPW)饋電的MEMS單極子柔性天線

摘要: 設(shè)計了種小型超寬帶共面波導(dǎo)(CPW)饋電的MEMS單極子柔性天線,具有結(jié)構(gòu)簡單、質(zhì)輕、易集成、可柔性彎曲的特點。該天線采用了具有高柔彈性和良好的自我恢復(fù)性的PDMS材料為介質(zhì)基板,在柔性基板側(cè)設(shè)計了圓盤狀的金屬輻射結(jié)構(gòu),采用了CPW結(jié)構(gòu)與天線集成于基板同側(cè)。
2019-03-08 10:11:125004

四家存儲器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析

技術(shù)確實降低了每千兆字節(jié)的成本。本報告展示了目前市場上四家存儲器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716

相變存儲器的工作原理和最新的研究進展

代表的多種新型存儲器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注,本文介紹相變存儲器的工作原理、技術(shù)特點及其國內(nèi)外最新研究進展。 、相變存儲器的工作原理 相變存儲器(Phase Change Random Access Memo
2019-03-19 15:43:0110827

新一代存儲器材料新突破 光控多位元存儲器材料

新一代存儲器材料又有新突破!臺成功大學(xué)物理系研究團隊最新發(fā)表存儲器新材料「鐵酸鉍(BiFeO3)」操控方式,相關(guān)研究成果本月初獲刊載于國際頂尖期刊「自然材料」(Nature Materials)。
2019-05-23 10:56:021438

成功研發(fā)新一代光控多位元存儲器材料

新一代存儲器材料又有新突破!臺成功大學(xué)物理系研究團隊最新發(fā)表存儲器新材料「鐵酸鉍(BiFeO3)」操控方式,相關(guān)研究成果本月初獲刊載于國際頂尖期刊「自然材料」(Nature Materials)。
2019-09-04 16:44:361072

科學(xué)家成功開發(fā)出自旋轉(zhuǎn)移矩-磁性隨機存儲器

人類正處于個“信息大爆炸”的時代。我們平時使用的計算機與電子產(chǎn)品都需要處理大量的信息,那么這些信息(程序與數(shù)據(jù))會放在哪里呢?答案是:存儲器(Memory)。
2019-09-10 15:19:401816

英特爾重返存儲器市場推出新一代存儲器半導(dǎo)體

全球第的非存儲器半導(dǎo)體企業(yè)英特爾在韓國推出新一代存儲器半導(dǎo)體,外界解讀,英特爾選在存儲器半導(dǎo)體強國發(fā)表新產(chǎn)品,是在向全球前兩大存儲器半導(dǎo)體企業(yè)三星電子、SK海力士宣戰(zhàn)。
2019-09-27 17:20:141177

MRAM PCM還是ReRAM 下一代存儲器非常值得關(guān)注

存儲器芯片開發(fā)的主要挑戰(zhàn)是面對日益增長的微處理性能提高,如何保持同步提供高吞吐速度與較低功耗?面對挑戰(zhàn)存儲器制造商選擇改變計算架構(gòu)和移至更小的工藝節(jié)點生產(chǎn)。除此之外,很多業(yè)者也在尋找其他路徑,研發(fā)更先進的存儲器以替代當(dāng)前的存儲器
2020-01-02 09:28:435022

如何使用eMMC陣列進行高速固態(tài)存儲器研究與設(shè)計

存在壞塊檢測、編碼校驗、擦寫均衡過于復(fù)雜等系列缺陷,增加了系統(tǒng)開發(fā)成本,影響了項目開發(fā)效率和系統(tǒng)升級。eMM(embedded Multi Media Card)因其速度快、設(shè)計簡單、便于升級與管理的優(yōu)勢,解決了NANDFLASH開發(fā)缺陷。針對傳統(tǒng)存儲器的上述問題,結(jié)合eMMC的優(yōu)勢
2020-01-07 10:23:0033

通過自旋電子隨機存取存儲器來深入研究自旋

我們許多人都知道,隨機存取存儲器(Random Access Memory,縮寫:RAM;也叫主存)是與電腦的中央處理直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器
2020-01-13 11:50:272642

更強大的電子自旋現(xiàn)象有望為下一代存儲技術(shù)鋪路

東京工業(yè)大學(xué)(Tokyo Tech)的科學(xué)家們報告了種新的材料組合,它為基于自旋的磁性隨機存取存儲器(RAM)奠定了基礎(chǔ)。
2020-02-03 17:32:35963

存儲器和新興非易失性存儲器技術(shù)的特點

的網(wǎng)絡(luò)開發(fā)和商業(yè)化,但首先讓我們看下當(dāng)前存儲器和新興的非易失性存儲器技術(shù)的特點,并了解為什么MRAM能夠立足出來。 非易失性存儲器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲器技術(shù)與已建立的存儲器(SRAM,DRAM,NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:161487

如何實現(xiàn)結(jié)構(gòu)緊湊型超寬帶單極子天線的設(shè)計

的應(yīng)用。另方面,為了應(yīng)對無線通信系統(tǒng)日趨小型化集成化的趨勢,超寬帶天線的小型化成為近年來研究的熱點與難點。寬帶平面單極子天線由于具有超寬頻帶,良好的輻射特性,緊湊的結(jié)構(gòu)和容易制作等優(yōu)勢而成為將來最有前景的超寬帶天線
2020-08-20 18:50:001

MRAM(磁性RAM)是種使用電子自旋存儲信息的存儲技術(shù)

MRAM(磁性RAM)是種使用電子自旋存儲信息的存儲技術(shù)(MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力,能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲存儲器的密度與SRAM的速度結(jié)合在起,同時
2020-08-07 17:06:122668

MRAM是種非易失性的磁性隨機存儲器,其原理是怎樣的

MRAM是種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力,以及DRAM的高集成度,基本上可以無限次地重復(fù)寫入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:592572

印刷單極子天線的設(shè)計資料詳細說明

本文提出了種用于無線局域網(wǎng)(WLAN)和X波段衛(wèi)星通信系統(tǒng)的超寬帶(UWB)應(yīng)用的印刷單極子天線的設(shè)計。采用了兩種不同類型的饋電線路,即簡單型和錐形饋電線路來激勵所提出的天線。為了提高
2020-11-03 08:00:004

電子自旋器件的優(yōu)點與運用

電子自旋器件是將自旋屬性引入半導(dǎo)體器件中,用電子電荷和自旋共同作為信息的載體,稱為電子自旋器件,已研制成功的自旋電子器件包括巨磁電阻、自旋閥、磁隧道結(jié)和磁性隨機存取存儲器
2021-04-02 10:28:567935

電子存儲器Selectron原理介紹合集

電子存儲器Selectron原理介紹合集(小米嵌入式開發(fā)工程師筆試)-電子存儲器Selectron原理介紹合集電子存儲器Selectron原理介紹合集
2021-07-30 09:42:0911

存儲器介紹

存儲器介紹(嵌入式開發(fā)英文怎么說)-存儲器介紹,有需要的可以參考!
2021-07-30 16:10:0218

PLC系統(tǒng)存儲器與用戶存儲器的功能

PLC系統(tǒng)存儲器與用戶存儲器的功能(嵌入式開發(fā)板有哪些功能接口)-該文檔為PLC系統(tǒng)存儲器與用戶存儲器的功能總結(jié)文檔,是份很不錯的參考資料,具有較高參考價值,感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 09:47:1012

51匯編():存儲器結(jié)構(gòu)

文章目錄內(nèi)存結(jié)構(gòu)程序存儲器數(shù)據(jù)存儲器通用寄存區(qū)位尋址區(qū)般RAM區(qū)特殊功能寄存區(qū)內(nèi)存結(jié)構(gòu)MCS-51單片機在物理結(jié)構(gòu)上有四個存儲空間:片內(nèi)程序存儲器、片外程序存儲器、MCS-51單片機在物理結(jié)構(gòu)
2021-11-23 09:36:0513

存儲器理解

存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門,之后在此基礎(chǔ)上,形成組合邏輯用于存儲信息,例如R-S鎖存和門控D鎖存,進而進步組合復(fù)雜化,形成我們
2021-11-26 19:36:0437

一代光盤存儲器是什么存儲器

光盤存儲器種采用光存儲技術(shù)存儲信息的存儲器,主要聚焦激光束在盤式介質(zhì)上非接觸地記錄高密度信息。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種,前者構(gòu)成光盤介質(zhì),后者構(gòu)成磁光盤介質(zhì)。
2022-01-03 06:37:003334

EMI輻射基本理論和模型分析

按照天線發(fā)射的模型分為:單極子天線模型,耦極天線模型,環(huán)天線模型;其中單極子天線是耦極天線的單極接地模型。
2022-05-11 16:34:228507

長江存儲推出新一代商用固態(tài)硬盤PC300系列產(chǎn)品

2022年6月23日,長江存儲推出新一代商用固態(tài)硬盤——PC300系列產(chǎn)品。該產(chǎn)品是長江存儲針對新一代全場景應(yīng)用需求開發(fā)的PCIe 4.0 NVMe M.2固態(tài)硬盤,可靈活適配筆記本、超薄本、二合電腦、臺式電腦、IoT/嵌入式設(shè)備及服務(wù)等終端,滿足全場景存儲應(yīng)用需求。
2022-06-23 10:51:095791

MRAM(磁性隨機存儲器)是否可替代取代電子存儲器

自旋電子存儲器已經(jīng)面世。MRAM(磁性隨機存儲器)已經(jīng)商業(yè)化,在某些情況下可以取代電子存儲器,但它是基于鐵磁開關(guān)的。
2022-07-22 17:05:142353

具有自旋相關(guān)的光電流和零電荷電流的應(yīng)用研究

轉(zhuǎn)矩振蕩自旋轉(zhuǎn)移隨機存取存儲器研究工作。到目前為止,已經(jīng)提出了幾種產(chǎn)生純自旋電流的方法,如光學(xué)注入、自旋霍爾效應(yīng)、非局域自旋注入、在三端器件中產(chǎn)生和動態(tài)自旋注入等。
2022-11-11 11:31:412374

使用引力電子自旋量子比特的1位可逆RAM

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2022-12-14 09:28:320

種雙阻帶橢圓單極子UWB天線的設(shè)計

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2023-10-25 11:12:333

自旋漲落增強的聲磁矩

磁有序體系中聲磁矩的探索取得了進展,研究人員在反鐵磁體中觀測到巨大的聲磁矩及其臨界漲落增強效應(yīng)。該研究揭示了多體關(guān)聯(lián)和自旋漲落對聲在磁有序系統(tǒng)獲得大的磁矩及其臨界現(xiàn)象中所扮演的關(guān)鍵角色。
2023-11-15 12:34:232241

華大電子和中國移動聯(lián)合發(fā)布新一代超級SIM芯片

華大電子和中國移動研究院在“超級SIM鏈2023年第二次產(chǎn)業(yè)全會暨成果發(fā)布會”共同宣布,基于華大電子安全芯片CIU98M50的新一代超級SIM芯片正式發(fā)布。由華大電子首研、中國移動研究院協(xié)同
2023-12-07 09:28:041379

ram存儲器和rom存儲器的區(qū)別是什么

定義: RAM(Random Access Memory):隨機存取存儲器,是種易失性存儲器,主要用于計算機和其他設(shè)備的臨時存儲。 ROM(Read-Only Memory):只讀存儲器,是
2024-08-06 09:17:482549

內(nèi)存儲器分為隨機存儲器和什么

,Read-Only Memory)。 、隨機存儲器(RAM) 隨機存儲器的定義和特點 隨機存儲器(RAM)是種可讀寫的存儲器,其特點是可以隨機訪問存儲器中的任何位置,并且讀寫速度相對較快。RAM的主要作用是為計算機的中央處理(CPU)提供臨時存儲空間,以便快速處理數(shù)據(jù)和執(zhí)
2024-10-14 09:54:114300

自旋憶阻:最像大腦的存儲器

件。 現(xiàn)在很明顯,利用大數(shù)據(jù)和AI的能源消耗將會激增,不可避免地導(dǎo)致大量數(shù)據(jù)的計算處理變得復(fù)雜。因此,TDK的目標(biāo)是開發(fā)電子模擬人類大腦突觸的設(shè)備:憶阻。 這里需要注意的是,傳統(tǒng)的內(nèi)存元素將數(shù)據(jù)存儲為0或1。另方面,自旋憶阻可以
2024-12-07 10:08:20952

種寬帶雙圓極化印刷單極子天線

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2025-05-28 14:09:560

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