在電源系統中,MOSFET驅動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉換為高速的大電流信號,以便以最快的速度打開和關閉MOSFET。由于驅動器IC與MOSFET的位置相鄰,所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性。
2021-03-07 10:56:00
3259 
HIP221x驅動器專為嚴苛工作條件下的可靠運行而設計,其高速、高壓HS引腳可承受高達-10V的持續電壓,并以50V/ns速度轉換。
2020-06-29 10:54:06
1552 ,可產生精確的邊沿和快速上升和下降時間。 MIC4414采用4.5V至18V電源供電,可吸收和提供高達1.5A的峰值電流,在12ns內切換1000pF電容。通態柵極驅動輸出電壓約等于電源電壓(無內部穩壓器或鉗位)
2020-04-16 10:14:10
18V轉5V,18V轉3.3V,18V轉3V,18V轉5V穩壓芯片,18V轉3.3V穩壓芯片,18V轉3V穩壓芯片, 18V常降壓轉成5V電壓,3.3V電壓和3V電壓給其他芯片或設備供電,適用于這個
2020-10-15 17:06:36
MOSFET驅動器的主要用途有哪些?MOSFET或IGBT哪一種驅動器最適合您的應用呢?
2021-11-08 06:11:40
你好,我正在尋找這兩個MOSFET的驅動器IC,FDD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產生,為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
新型LCD驅動器是如何推動移動電視發展的?
2021-06-08 06:31:55
將減小元件尺寸,從而減小成本、系統尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化,其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸,從而減小成本、系統尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化,其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸,從而減小成本、系統尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化,其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
高速低側柵極驅動器14nsUCC27201A3A,120V高側和低側驅動器20ns表1:高速驅動器 系統效率是一個團隊努力的結果。本博客系列介紹了高速和高電流柵極驅動器是關鍵件。立即訪問
2019-03-08 06:45:10
高速柵極驅動器可以實現相同的效果。高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管,對于大多數類型的FET是固有的。它由p-n結點形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-2-18 21:36 編輯
Diodes Incorporated AL1697 18V 離線式可調光 LED 驅動器是一款高性能、高
2019-02-16 10:26:04
概述:IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器,它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起,在最高20V
2021-05-18 07:25:34
控制系統給出一個PWM的信號,PWM通過一個電路,轉變成6V或者18V的電壓輸出,該電路輸出的中位電壓是12V。默認時是在中位的,當在中位時,控制的設備是不動作的,當設備信號端檢測到6V(18V
2017-06-21 11:23:39
在電機驅動、電源轉換和工業控制等功率應用領域,一款性能卓越、穩定可靠的半橋驅動器對提升整機效率和可靠性至關重要。SLM2015CA-DG作為一款160V/200V高速半橋驅動芯片,憑借其出色的驅動
2025-11-26 08:20:51
等LED照明驅動領域。 適用于100mA,300mA等多種規格。SM7525隔離PSR 18V/290mA方案典型系統規格18V/290mA輸入電壓90Vac~264Vac輸出電壓8V-18V輸出電流
2016-01-07 13:55:46
柵極電壓,在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間,也可以通過集成在柵極驅動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅動電壓為Vgs=10~15V,而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V前后驅動,以充分獲得低導通電阻。也就是說,兩者的區別之一是驅動電壓要比
2018-11-30 11:34:24
工作電壓范圍:兼容多種電源設計,保障MOSFET/IGBT驅動可靠穩定。
3. 10-20V輸入引腳寬范圍:增強信號兼容性,降低電壓波動致驅動失效風險。
高效驅動,降低系統損耗
1. 4A拉/灌電流
2025-10-21 09:09:18
DC-DC轉換器(Buck, Boost, Buck-Boost)
電機驅動器(有刷/無刷直流電機、步進電機)
逆變器與UPS系統
工業自動化中的功率開關與繼電器驅動
任何需要緊湊、高速、可靠MOSFET
2025-07-28 09:07:47
,SiLM27519提供 IN+ 和 IN- 雙輸入引腳。
支持反相或非反相驅動配置:用戶可根據控制信號邏輯需求靈活選擇,無需外部反相器,簡化設計并提高系統集成度。這是其顯著優勢!
高集成度與可靠
2025-07-26 09:13:52
在當今功率電子設計中,驅動器的性能往往決定著整個系統的效率與可靠性,SiLM27524NCA-DG雙通道低邊門極驅動器,以其18ns的極速傳輸延遲和4.5A/5.5A的非對稱驅動能力,提供了全新
2025-11-17 08:25:27
供5A的強勁拉灌電流,其納秒級的開關速度與高欠壓保護閾值,使其成為替代傳統分立驅動方案、提升系統可靠性的理想選擇。核心特性:
高壓高速驅動:支持9V至30V的寬驅動電源范圍,在18V供電下可提供5A的峰值
2025-12-29 08:33:43
在開關電源系統中,門極驅動器是高效驅動功率器件、實現快速開關操作的關鍵組件,它能有效降低開關功率損耗,從而顯著提高系統效率。對于GaN等先進的寬帶隙功率器件技術而言,系統對驅動器的性能提出了更高
2025-11-04 08:48:24
設計的雙通道、單輸入、死區可編程的隔離柵極驅動器,在高速開關應用和高可靠性系統中表現出色。
核心優勢聚焦:
獨創死區可編程 (DT): SiLM8254的核心亮點在于其可編程死區時間功能。通過外部簡單配置
2025-07-14 09:34:01
概述:TC427是TELCOM半導體公司生產的一款1.5A雙高速功率MOSFET驅動器。雙列直插DIP或貼片SOIC 8腳封裝。輸出峰值電流1.5A,最大輸入電壓18V。
2021-05-18 07:50:05
溫度為-40°C至105°C應用開關電源DC/DC轉換器電機控制器線路驅動器D類開關放大器說明UCC27423/4/5系列高速雙MOSFET驅動器可以將大峰值電流傳輸到電容負載。提供三種標準邏輯選項-雙
2020-10-14 16:57:53
Si-MOSFET/IGBT不斷改進,以及對GaN和SiC工藝技術的引進,現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此,需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅動器。這些驅動器的電隔離裝置體積小巧,可集成到驅動器芯片
2021-01-22 06:45:02
什么是MOSFET驅動器?MOSFET驅動器功耗包括哪些部分?如何計算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅動器
2018-09-01 09:53:17
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號,比較用的三角波為10Mhz。需要開關頻率能大于20Mhz的mosfet驅動器。請問mosfet驅動器的最高工作頻率是由什么參數決定的?有能達到20Mhz以上的mosfet驅動器嗎?`
2018-04-11 23:31:46
均采用 TO-247-4L 封裝,其中包括一個驅動器發射極/源極引腳。兩種情況均僅使用單極柵極驅動:IGBT為15V/0V,SiCMOSFET為18V/0V。表 1 顯示了使用相應條件執行的測試列表
2023-02-21 16:36:47
使用新型薄氧化層漏極延伸MOS器件,該驅動器可實現可靠的高壓操作,而這一新型器件通過CMOS技術實現時無需額外的費用。那么,我們該如何利用射頻功率放大器驅動器實現無線系統呢?
2019-07-31 06:07:48
工作電壓范圍為 4.4V 至 18V 的系統提供三相無刷直流 (BLDC) 電機驅動器解決方案。該設計采用 DRV10974 電機驅動器,從而能夠添加用于實現閉環速度控制的 MCU。DRV10974
2018-07-03 09:40:10
請問TI有沒有芯片可以支持以下電路設計的:輸入為+4~+6V;輸出為+16~+18V(0.2mA)和-16~-18V(0.1mA)。或者只輸出-16~-18V(0.1mA)。求解答~~ 謝謝!!
2016-01-25 15:59:28
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
在高度可靠、高性能的應用中,如電動/混合動力汽車,隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進,以及對GaN和SiC工藝技術的引進,現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
求一個18V的電機驅動模塊或者設計思路!
2018-04-14 15:38:02
Portfolio系統,跨越12v 到80v 的范圍往往需要一個司機與較高的供應額定值,支持高功率18v 鉆頭和80v 割草機。雖然選擇合適的集成三相無刷直流電機驅動器是有限的,一套有能力的100伏半橋可以
2022-04-14 14:43:07
濾波得到約300V高壓直流電壓,然后通過PN8126電源驅動芯片進行調制,經過高頻變壓器轉換為交流信號輸出低壓交流,然后再整流、濾波、穩壓得到18V電源。 `
2021-01-15 15:35:48
`請問電磁爐的igbt驅動電壓能大于18V嗎?`
2019-08-22 15:50:47
與TC4427類似的驅動器有哪些,哪些比18v大
2019-01-08 10:36:55
MOSFET驅動器與MOSFET的匹配設計本應用筆記將詳細討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關的MOSFET 驅動器功耗。還將討論如何根據MOSFET 所需的導通和截止時間將MOSFET 驅動器的
2010-06-11 15:23:20
214 基于CMOS的隔離柵極驅動器以提高電源供電系統設計
與傳統的解決方案相比,完全集成的隔離柵極驅動器械可以顯著地提高開關電源的效率,性能和可靠性.
2010-06-19 09:29:31
44 lVO3120 IGBT/MOSFET驅動器:這些2.5A和0.5A的驅動器的供電電壓范圍為15V~32V,工作溫度范圍為+40℃~+110℃。
2010-07-02 17:18:43
115
18V穩壓電源電路
2008-06-04 09:51:35
2202 
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 級新版本,該器件是一個高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 驅動器,以在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和
2008-12-09 02:33:47
2132 
18V監測電路圖
2008-12-23 17:41:22
1025 
18V監測器電路
2009-01-10 12:06:40
1022 
18V監測器電路圖
2009-04-17 11:23:36
899 
ADI發表全新的高速MOSFET驅動器系列
美商亞德諾公司(Analog Devices;ADI)發表全新的高速18伏特MOSFET(金屬氧化半導體場效晶體管)驅動器家族,能提供2A與4A的峰值電流,同時
2009-11-23 08:41:40
1075 具有高開關速度和過溫保護功能的MOSFET驅動器
日前,Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅動器系列,該系列產品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產品具有14
2009-12-03 10:03:51
1300 Linear推出高速同步MOSFET驅動器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449,該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N
2010-02-01 10:22:16
1135 
凌力爾特推出高速同步MOSFET驅動器LTC4449
凌力爾特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449,該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。
2010-02-04 08:40:55
1641 
利用智能MOSFET驅動器提升數字控制電源性能
在電源系統中,MOSFET驅動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉換為高速的大電流信號,以便以最快的
2010-02-04 10:41:50
1501 
ADI公司推出高速、四通道MOSFET驅動器-ADP3654
2010-09-20 09:24:36
2257 
MAX15024/MAX15025單/雙通道、高速MOSFET柵極驅動器,能夠在高達1MHz的工作頻率下驅動大的容性負載。
2011-05-03 09:42:34
3683 
M2105-雙路20v MOSFET驅動器芯片相關資料
2018-04-08 17:49:58
64 MCP14E6/7/8 器件是高速 MOSFET 驅動器,能夠提供
2.0A 的峰值電流。通過 TTL 或 CMOS(3V 至 18V)直
接控制雙反相、雙同相和互補輸出。這些器件還具有較
低的直通電流、快速的上升 / 下降時間和傳播延時,這
使其成為高開關頻率應用的理想之選。
2018-06-28 10:23:00
12 MCP14E9/10/11 器件是高速 MOSFET 驅動器,能夠提
供 3.0A 的峰值電流。通過 TTL 或 CMOS(3V 至 18V)
直接控制雙反相、雙同相和互補輸出。這些器件還具有較
低的直通電流、近似匹配的上升/ 下降時間和傳播延時,
這使其成為高開關頻率應用的理想之選。
2018-06-28 09:23:00
5 MCP14A0051/2 器件是高速 MOSFET 驅動器,在使
用單個 4.5V 至 18V 電源工作時,最高能夠提供 0.5A
的峰值電流。反相 (MCP14A0051)或同相
2018-07-03 08:24:00
1 MCP14A0151/2 器件是高速 MOSFET 驅動器,在使用單
個 4.5V 至 18V 電源工作時,最高能夠提供 1.5A 的峰值電
流。反相 (MCP14A0151)或同相
2018-07-03 08:24:00
10 UCC37323/4/5系列的高速雙MOSFET驅動器可以向電容性負載提供較大的峰值電流。提供了三種標準邏輯選項-雙反相、雙反相和一反相以及一個非反相驅動器。熱增強的8針PowerPadTM
2019-09-02 08:00:00
7 當今多種 MOSFET 技術和硅片制程并存,而且技術進步日新月異。要根據 MOSFET 的電壓 / 電流或管芯尺寸,對如何將 MOSFET 驅動器與 MOSFET 進行匹配進行一般說明,實際上顯得
2020-06-16 08:00:00
28 18V 轉 12V,18V 轉 9V,18V 轉 5V,18V 轉 3.3V,18V 轉 3V, 18V 常降壓轉成 5V 電壓,3.3V 電壓和 3V 電壓給其他芯片或設備供電,適用于這個電壓
2020-10-12 08:00:00
20 18V 轉 5V,18V 轉 3.3V,18V 轉 3V, 18V 轉 5V 穩壓芯片,18V 轉 3.3V 穩壓芯片,18V 轉 3V 穩壓芯片, 18V 常降壓轉成 5V 電壓,3.3V 電壓
2020-10-14 08:00:00
23 15V 降壓 3.3V,18V 降壓 3.3v 電源芯片,降壓芯片,穩壓芯片,的幾款大電流 DC-DC 降壓和 LDO,芯片選型和電路圖,恒壓輸出的好幾款芯片,低功耗大電流降壓 IC 15V 降壓
2020-11-30 08:00:00
23 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內工作
2021-03-18 22:10:11
3 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內工作
2021-03-19 06:51:08
1 快速 150V 高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:48
2 ADP3629_3630_3631:高速雙通道2 A MOSFET驅動器
2021-04-17 15:29:10
1 ADP3654:高速雙4 A MOSFET驅動器
2021-04-25 20:44:09
2 LTC4449:高速同步N溝道MOSFET驅動器數據表
2021-04-27 19:51:57
7 LTC1693:高速單/雙N溝道MOSFET驅動器數據表
2021-05-19 16:35:07
5 ADI隔離柵極驅動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:08
30 18V 轉 12V 轉 9V 轉 5V 轉 3.3V 轉 3V 芯片,DC-DC 和 LDO(科奧信電源技術有限公司)-18V轉12V,18V轉9V,18V轉5V,18V轉3.3V,18V轉3V,18V常降壓轉成5V電壓,3.3V電壓和3V電壓給其他芯片或設備供電
2021-09-15 13:38:49
47 (A89506) 選項,可將關鍵功能向上集成(up-integrate)以簡化系統設計,用固態驅動器代替機械繼電器以提高性能和可靠性。
2022-05-21 11:49:04
2513 本文介紹最新的驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優勢。單片DrMOS器件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進而增強最終應用的整體性能。
2023-06-14 14:25:17
4338 
在電機驅動系統中,柵極驅動器或“預驅動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用,以提供驅動電機所需的大電流。在選擇驅動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關無源元件時,有很多需要考量的設計因素。如果對這個過程了解不透徹,將導致實現方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:34
2087 
AP5101 高壓線性恒流電源驅動 輸入 24-36V 輸出3串18V LED線性恒流驅動方案
2023-07-31 10:29:59
1921 
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)MAX20474:3.0V至5.5V輸入,6V至18V輸出,同步推動轉換器數據表相關產品參數、數據手冊,更有MAX20474:3.0V至5.5V輸入,6V至18V
2023-10-09 18:52:12

電子發燒友網站提供《單通道高速MOSFET驅動器TPS28xx數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:25:46
0 電子發燒友網站提供《單通道高速Mosfet驅動器TPS28xx數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:49:44
0 電子發燒友網站提供《雙高速MOSFET驅動器TPS28xx系列數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:47:05
2 電子發燒友網站提供《雙高速MOSFET驅動器TPS2811-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:40:47
0 電子發燒友網站提供《高速3A同步MOSFET驅動器LM2724A數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-19 09:53:19
0 MOSFET驅動器是一種用于驅動MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的電路設備。MOSFET作為一種重要的半導體器件,在電子工業中有著廣泛的應用,特別是在需要高頻、高電壓、大電流控制的場合
2024-07-24 16:21:07
1852 電子發燒友網站提供《新型驅動器IC優化高速功率MOSFET的開關特性.pdf》資料免費下載
2024-10-24 10:00:22
0 MOSFET驅動器功耗 MOSFET驅動器的功耗包含三部分: 由于MOSFET柵極電容充電和放電產生的功耗。 由于 MOSFET 驅動器吸收靜態電流而產生的功耗。 MOSFET 驅動器交越導通(穿通
2024-10-29 10:45:21
2503 
MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動器。浮動溝道驅動器可用于獨立驅動兩個N溝道功率MOSFET或IGBT,工作電壓最高可達300 V。邏輯輸入
2025-03-18 16:37:02
0 轉換器中進行 N 溝道 MOSFET 控制。低側和高側柵極驅動器由獨立控制,并在彼此的導通和關斷之間匹配 1ns。為了提高在嘈雜電源環境中的性能,UCC27201A-Q1 的 HS 引腳能夠承受絕對最大 -18V。
2025-05-19 17:32:07
710 
電子發燒友網為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅動器相關產品參數、數據手冊,更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-03 18:34:35

電子發燒友網為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器相關產品參數、數據手冊,更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34

電子發燒友網為你提供()具有可選同步 MOSFET 驅動器的 28 V 降壓 DC-DC 控制器相關產品參數、數據手冊,更有具有可選同步 MOSFET 驅動器的 28 V 降壓 DC-DC 控制器
2025-07-25 18:30:53

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