摘要: 首先,針對閃存Flash的存儲編程 特點,提出一種基于虛擬扇區(qū)的閃存管理技術,使系統對Flash的擦寫次數大大降低,從而提高Flash的使用壽命和整個系統的性能。然后,通過嵌入式系統電子名片管理器,介紹這一技術的使用。隨著閃存的廣泛應用,對Flash的有效存儲管理將有很大的實用意義和社會效益。
引言
隨著嵌入式系統 的迅速發(fā)展和廣泛應用,大量需要一種能多次編程,容量大,讀寫、擦除快捷、方便、簡單,外圍器件少,價格低廉的非易揮發(fā)存儲器件。閃存Flash存儲介質就是在這種背景需求下應運而生的。它是一種基于半導體 的存儲器,具有系統掉電后仍可保留內部信息,及在線擦寫等功能特點,是一種替代EEPROM 存儲介質的新型存儲器。因為它的讀寫速度比EEPROM更快,在相同容量的情況下成本更低,因此閃存Flash將是嵌入式系統中的一個重要組成單元。
然而,由于Flash讀寫存儲的編程特點,有必要對其進行存儲過程管理,以使整個系統性能得以改善。
1 閃存Flash的存儲編程特點
Flash寫:由1變?yōu)?,變?yōu)?后,不能通過寫再變?yōu)?。
Flash擦除:由0變?yōu)?,不能只某位單元進行擦除。
Flash的擦除包括塊擦除和芯片擦除。塊擦除是把某一擦除塊的內容都變?yōu)?,芯片擦除是把整個Flash的內容都變?yōu)?。通常一個Flash存儲器芯片,分為若干個擦除block,在進行Flash存儲時,以擦除block為單位。
當在一個block中進行存儲時,一旦對某一block中的某一位寫0,再要改變成1,則必須先對整個block進行擦除,然后才能修改。通常,對于容量小的block操作過程是:先把整個block讀到RAM 中,在RAM中修改其內容,再擦除整個block,最后寫入修改后的內容。顯然,這樣頻繁復雜的讀-擦除-寫操作,對于Flash的使用壽命以及系統性能是很不好的,而且系統也常常沒有這么大的RAM空間資源。一種基于虛擬扇區(qū)的管理技術可以有效地控制Flash的擦寫次數,提高Flash的使用壽命,從而提高系統性能。
2 基本原理
2.1概念
VSS(Visual Small Sector),虛擬小扇區(qū):以它為單位讀寫Flash內容。
VSS ID(Visual Small Sector Identi ty),虛擬小扇區(qū)號:只通過虛擬扇區(qū)號進行存儲,不用考慮它的真實物理地址。
SI(Sector Identity),分割號:一個擦寫邏輯塊中物理扇區(qū)的順序分割號。
BI(Block Identity),塊號:Flash芯片中按擦除進行劃分的塊號。
SAT(Sector Allocate Table),扇區(qū)分配表:一個擦寫邏輯塊中的扇區(qū)分配表。一個SAT由許多SAT單元組成,一個SAT表對應一個Block,一個SAT單元對應一個VSS。
每個SAT單元最高兩位為屬性位,后面各位為VSS ID號。如果一個SAT單元由16位組成,則VSS ID最大可以達到16×1024;而如果SAT單元由8位組成,則VSS ID最大可以達到64,具體約定由應用情況而定。
2.2 實現原理
把每個block分為更小的虛擬邏輯塊(visual small sector),稱為虛擬扇區(qū),扇區(qū)大小根據應用而定。每個block前面的一固定單元用于記錄本block中扇區(qū)分配的使用情況(即扇區(qū)分配表),包括扇區(qū)屬性及扇區(qū)邏輯號。圖1為邏輯扇區(qū)劃分示意圖。
在進行數據讀寫和修改時,以虛擬扇區(qū)塊的大小為單位。要修改某一扇區(qū)的數據時,先讀出這個扇區(qū)的內容,重新找一個未使用的扇區(qū),把修改后的內容寫入這個新扇區(qū)。然后,修改原來扇區(qū)的屬性值為無效,修改這個新扇區(qū)的屬性為有效,拷貝VSS ID號到新扇區(qū)對應的SAT單元中。
這樣,當某一個block中的SAT屬性都標為無效時,才對當前block進行擦寫??梢?,以虛擬扇區(qū)大小為單位的存儲管理,對Flash塊的擦寫次數可大大減少,從而提高了系統性能。 3 VSS管理實現要點
3.1 常數部分
#define BLOCKSIZE 128*1024 //可根據Flash型號修改
#define SECTORSIZE 512 //可根據Flash型號及應用情況修改
#define MAX_BLOCK 8 //可擦除塊個數
#define MAX_SI_1B 255 //每個可擦除塊中有效SI個數
#define SATSIZE 510 //扇區(qū)分配表大小
#define VSS_MASK 0XC000 //VSS屬性屏蔽值
#define VSS_FREE 0XC000 //VSS為未使用的屬性值
#define VSS_VALID 0X4000 //VSS為有效的屬性值
#define VSS_INVALID 0X0000 //VSS為無效的屬性值
3.2 數據結構部分
unsigned char VSS_Table[MAX_BLOCK][MAX_SI_1B/8];用于記錄Flash中各個block的使用情況。數組中的某位為1,表示相應sector為未使用;否則,為已經寫過,系統通過這個表可以跟蹤各個block的使用情況。
3.3 函數功能部分
1) Flash_Format()//擦除整塊Flash存儲介質。
2) Flash_Init()//對VSS管理系統參數進行初始化,填充VSS_Table表,統計Flash的使用情況。在系統復位初始時調用。
3) Block_Erase(int blockID)//擦除塊號為block ID的塊。
4) Find_VSS(int vss)//查找VSS所在的block ID及分割號SI。
5) Get_Ad dr(int vss)//取得VSS所在的物理地址。
6) Scan _SAT(int blockID)//整理塊號為block ID的SAT,填充VSS_Table[]。
7) Flash_Read(long addr,char *pdata,int len)//從物理地址為addr的Flash處讀取len個字節(jié)到pdata。
8) Flash_Write(long addr,char *pdata,int len)//寫pdata中長度為len的數據到指定地址為addr的Flash中。
9) Read_Sat(int bi)//讀取塊號為blockID的SAT。
10) IsValid(vat)//檢查本SAT單元屬性是否有效。
11) IsFree(vat)//檢查本SAT單元屬性是否未使用。
12) IsInvalid(vat)//檢查本SAT單元屬性是否無效。
13) Read_VSS(addr)//從地址為addr處讀一個VSS。
14) Write_VSS(addr,*pData)//把pData中的內容寫到從地址addr開始的一個VSS中。
4 計算VSS ID的物理地址
要對某個VSS ID進行讀寫操作,必須先找到其物理地址。
定位某個VSS ID物理地址的過程如下。
① 查找這個VSS ID所在的塊號(BI)以及在這個塊中所處的分割號(SI)。
從第一個block開始,搜索這個塊的SAT表。首先搜索屬性,只有屬性為有效的才比較VSS ID號。如果條件滿足,記錄所在的塊號BI及SAT的位置,即扇區(qū)分割號SI;否則,block號增加,繼續(xù)按照上面步驟查找。
bFound=0;
for(int i=0;i{//讀取對應block的SAT表
psat=ReadSat(i)
for(j=0;j{//分析每個SAT單元
sat=*psat++;
if(IsValid(sat))//比較屬性是否有效
{//比較邏輯號是否相等,相等設置標志退出
if(Equal(sat,VSSID)){bFound=1;break;}
}
}
if(bFound){bi=i;si=j;break;}//找到后記錄塊號和分割號退出
}
②找到VSS ID所在的塊號及分割號(SI)后,這個VSS ID的物理地址為:
ADDR=整個Flash的偏地址+
BLOCKID*BLOCKSIZE+SATSIZE+SI*SECTERSIZE。
5 應用
應用于名片記錄管理系統:由于名片記錄很大,而且記錄很多,存在常常修改的情況,因此可以使用Flash作存儲介質。
名片記錄結構為:
struct CARD
{
char name[10]; //姓名:10字節(jié)
char position[15]; //出職務:15字節(jié)
char companyname[40]; //公司名稱:15字節(jié)
char mobilephone[11]; //手機 號碼:11字節(jié)
char homephone[15]; //家庭電話:15字節(jié)
char officephone[15]; //辦公電話:15字節(jié)
char Emai l[30]; //郵件地址:30字節(jié)
char homepage[30]; //公司主頁:30字節(jié)
char remark[40]; //備注:40字節(jié)
}card_record;
每個名片記錄大小為:181字節(jié)。
對于1MB的Flash,分為8個block,每個block為128KB(131072字節(jié))。
針對以上情況,作如下分配:
每個扇區(qū)大小為181字節(jié);
SAT大小為1432字節(jié),每個SAT單元用16位(2字節(jié));
分為716個扇區(qū),也相當于1個block能存716條名片記錄,則131072-1432-716×181=44字節(jié)為空閑。
常數定義部分修改如下:
#define blockSIZE 128*1024 //每個block大小
#define SECTORSIZE 181 //每個扇區(qū)大小
#define MAX_SI_1B 716 //每個可擦除塊中有SI個數
#define SATSIZE 1432?。葏^(qū)分配表大小
#define VSS_MASK 0XC000 //VSS屬性屏蔽值
#define VSS_FREE 0XC000 //VSS為未使用的屬性值
#define VSS_VALID 0X4000 //VSS為有效的屬性值
#define VSS_INVALID 0X0000 //VSS為無效的屬性值
約定:首先對名片進行編號,且約定名片的編號對應于VSS ID邏輯號。
a) 記錄增加。增加一個記錄時,根據提供的VSS?。桑奶?,首先查找這個記錄號是否在使用。如果還沒有使用,首先查找這個記錄號是否在使用。如果還沒有使用,則申請一個未使用的VSS,把相在內容寫入這個VSS,修改其對應的SAT單元,寫入有效屬性值和VSSID號;否則,進入記錄修改過程。
b) 記錄刪除。要刪除一個記錄時,根據提供的VSS ID號,查找SAT表。如果找到,修改其對應的SAT屬性為無效;否則,說明這個記錄不存在。
c) 記錄查找。①由VSS ID號進行的查找:根據提供的VSS?。桑奶?,查找所有的SAT表中屬性為有效的VSS ID,返回相應的BI及SI。②根據名片的用戶名查找:檢測所有的SAT表中屬性為有效的VSS?。桑?,得到相應的BI及SI,由BI及SI定位到指定Flash物理地址讀入用戶各到RAM中,比較是否相等。如果相等,讀取并返回SAT單元的VSS?。桑?;否則,繼續(xù)查找。
d) 記錄修改。當要修改一名片記錄時,由VSS ID先把這個記錄讀入到RAM中,然后修改其內容,重新找一個未使用的扇區(qū),把修改后的內容寫入到這個新扇區(qū)中,并拷貝其VSS ID號到這個新扇區(qū)對應的SAT單元,修改其屬性為高,修改原來的扇區(qū)屬性為無效。
結語
本文提出的Flash存儲管理技術原理簡單實用。它是對那些復雜的Flash文件管理系統的一種剪裁、簡化和定制。對于那些不需要復雜的文件管理系統,而又使用了Flash作為存儲介質的嵌入式 系統有很好的借鑒意義和使用價值,如手機電話號碼簿管理、短信管理等都可以利用這種技術進行管理。
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2010-09-10 17:59:43 519 Flash 存儲 器的簡介
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲 器系統,該存儲 器系統可用作代碼和數據
2010-11-11 18:25:09 5395 現如今,任何技術 幾乎都可以虛擬 化,按照這種邏輯的話,存儲 當然也不例外。這意味著要隱藏虛擬 層之后發(fā)生的一切——包括分層,分層概念在本質上很簡單,即在成本效益的基礎上,將數據儲存于最合適的存儲 類型中。換言之,數據的價值越高,就越應該被保存在更快
2011-02-23 10:16:24 1084 FLASH 的全稱是FLASH EEPROM,但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同, FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH 按扇區(qū) 操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲 單元的結構也不同
2011-12-28 10:02:19 6445 存儲 虛擬 化技術 將底層存儲 設備進行抽象化統一管理 ,向服務器層屏蔽存儲 設備硬件的特殊性,而只保留其統一的邏輯特性,從而實現了存儲 系統集中、統一而又方便的管理 。對比一個
2012-02-15 14:40:39 2051 一般而言,存儲 虛擬 化的實現方式通常分為三種:交換架構虛擬 化,磁盤陣列虛擬 化,以及整合到應用設備內的虛擬 化。對于三種不同的虛擬 化方式,存儲 供應商都有各自的獨門兵器。
2012-08-01 09:18:26 1014 Cheap_Flash _FS--嵌入式NandFlash文件系統源碼下載
Cheap_Flash _FS 代碼已經由我們開發(fā)完成,并經過了嚴格的測試。
壞塊管理 功能包括基于壞塊表的管理 程序,可以
2016-05-11 09:46:01 0 的管理 程序,可以提供單/多扇區(qū) 的操作。
多扇區(qū) 為nandflash專門設計,可以降低NANDFLASH物理擦除數,具有FLASH 上直接預分配功能。
2016-09-19 16:57:48 0 uClinux平臺下的Flash 存儲 技術
2017-01-19 21:22:54 12 Flash 存儲 問題總是在我們技術 支持渠道位列榜首。Toradex投入了大量資源保證存儲 盡可能的穩(wěn)定。然而,了解一些關于存儲 的基本知識還是十分重要的。首先你需要知道存儲 是否磨損,當往內置的存儲 設備
2017-09-18 11:51:21 19 本文提供一種利用MCU內部數據Flash 存儲 非易失性數據的方法,它不僅操作方便,應用接口簡單,而且可以盡量避免扇區(qū) 擦除操作,提高存儲 效率,同時提高MCU內部數據Flash 的使用壽命。
2017-09-19 11:13:46 4 FLASH (閃速存儲 器)作為一種安全、快速的存儲 體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數據不丟失等一系列優(yōu)點,已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。由于FLASH 在結構和操作方式上與硬盤
2017-10-15 10:15:54 6 虛擬 化正處在業(yè)界討論的風口浪尖,它的興起使得眾多存儲 廠商爭相上馬虛擬 化技術 。然而,盡管所有人都同意存儲 虛擬 化在簡化存儲 管理 和降低存儲 資產管理 成本方面具有巨大潛力,但市場中仍然存在一些對虛擬 化的誤解
2017-10-20 11:23:54 1 。 然而,最終用戶都希望虛擬 桌面的性能和用戶體驗至少和物理桌面一樣好,但是對于某些應用如視頻播放、網頁Flash 播放等等VDI的用戶體驗均不理想。本文針對VDI環(huán)境下網頁Flash 視頻播放效果差的問題,提出了一種基于虛擬 通道的Flash 映射技術 ,大幅度提
2017-11-16 16:36:10 0 , 這就必須尋求一個完備的存儲 器數據管理 方法[ 1] 。本文介紹了一種適用于無文件系統環(huán)境下的N OR Flash 管理 方法, 采用分塊管理 和狀態(tài)轉換的方法使得Flash 的使用效率和操作可靠性得到大大提高。 2 NOR Flash 存儲 器及其特性 NOR Flash 和NAND Fl
2017-11-30 04:25:01 1639 的工作, 這就必須尋求一個完備的存儲 器數據管理 方法[ 1] 。本文介紹了一種適用于無文件系統環(huán)境下的N OR Flash 管理 方法, 采用分塊管理 和狀態(tài)轉換的方法使得Flash 的使用效率和操作可靠性得到大大提高。 2 NOR Flash 存儲 器及其特性 NOR Flash 和NAND
2017-11-30 04:44:29 482 。 然而,最終用戶都希望虛擬 桌面的性能和用戶體驗至少和物理桌面一樣好,但是對于某些應用如視頻播放、網頁Flash 播放等等VDI的用戶體驗均不理想。本文針對VDI環(huán)境下網頁Flash 視頻播放效果差的問題,提出了一種基于虛擬 通道的Flash 映射技術 ,大幅度提
2017-12-05 11:07:48 0 由于采用了存儲 虛擬 化技術 ,數據中心的運維人員在日常管理 與維護中通常無需對單一存儲 設備進行操作,而是通過存儲 虛擬 化控制器提供的統一界面,對存儲 資源進行管理 。對存儲 系統擴容時,可以靈活地根據需求、成本、項目預算等因素考慮采用利舊,對原有設備擴容及采購異構存儲 等多種方案,實現了業(yè)務的不中斷操作。
2018-08-16 18:03:18 7243 隨著嵌入式系統的迅速發(fā)展和廣泛應用,大量需要一種能多次編程,容量大,讀寫、擦除快捷、方便、簡單,外圍器件少,價格低廉的非易揮發(fā)存儲 器件。閃存Flash 存儲 介質就是在這種背景需求下應運而生的。它是一種
2020-05-25 08:01:00 1772 FLASH 的全稱是FLASHEEPROM,但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同。 FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH 按扇區(qū) 操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲 單元的結構也
2018-09-21 22:40:01 1518 虛擬 化改變了計算機使用存儲 的方式。就像物理機器抽象成虛擬 機(VM:Virtual Machine)一樣,物理存儲 設備也被抽象成虛擬 磁盤(Virtual Disk)。
2019-05-19 11:39:20 1721 近日,據外媒報道,東芝存儲 器美國子公司宣布推出一種新的存儲 器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash ,該技術 是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術 和SLC
2019-08-07 10:56:32 1067 據外媒報道,東芝存儲 器美國子公司宣布推出一種新的存儲 器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash ,該技術 是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術 和SLC。
2019-09-04 16:41:32 1643 存儲 虛擬 化技術 可以減少存儲 系統的管理 開銷、實現存儲 系統的數據共享、提供透明的高可靠性和可擴展性、優(yōu)化使用存儲 系統。
2020-03-20 16:21:37 809 據媒體報道指國產存儲 芯片企業(yè)長江存儲 已開發(fā)出128層的NAND flash 存儲 芯片,這是當前國際存儲 芯片企業(yè)正在投產的NAND flash 技術 ,意味著中國的存儲 芯片技術 已達到國際領先水平。
2020-04-14 08:55:45 14823 SNIA 存儲 網絡工業(yè)協會對存儲 虛擬 化定義:通過對存儲 (子)系統或存儲 服務的內部功能進行抽象、隱藏或隔離,使存儲 或數據的管理 與應用、服務器、網絡資源的管理 分離,從而實現應用和網絡的獨立管理 。
2020-07-02 09:45:13 1523 服務器廠商會在服務器端實施虛擬 存儲 。同樣,軟件廠商也會在服務器平臺上實施虛擬 存儲 。
2020-07-29 14:10:15 3079 虛擬 化技術 可以更好的管理 虛擬 基礎架構的存儲 資源,使系統大幅提升存儲 資源利用率和靈活性,提高應用的正常運行時間。
2020-07-31 14:42:37 3449 Nand flash 是flash 存儲 器的其中一種,Nand flash 其內部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH 存儲 器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:08 5421 虛擬 存儲 器是存儲 管理 中一個特別重要的概念,你要認真掌握虛存的定義和特征。此外,你還要知道為何要引入虛存、實現虛存技術 的物質基礎、虛存容量受到哪兩方面的限制。
2020-11-25 16:37:22 16660 的Flash Flash 存儲 器有以下特點 最大1M字節(jié)的能力 128位,也就是16字節(jié)寬度的數據讀取 字節(jié),半字,字和雙字寫入 扇區(qū) 擦除和批量擦除 存儲 器的構成 主要存儲 區(qū)塊包含4個16K字節(jié)扇區(qū) ,1個
2021-02-23 15:59:32 6308 ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash 技術 ,64K用戶區(qū)間,支持IAP/ISPFlash擦寫技術 。MCUFlash采用32位數據總線讀寫,充分利用32位ARMCPU性能優(yōu)勢,同時它的512字節(jié)小扇區(qū) 結構,管理 操作也更加靈活。
2021-05-01 16:21:00 7279 盡管虛擬 化存儲 有很多好處,但目前還沒有一種明確的方法來部署或管理 該技術 ;這部分是因為企業(yè)有不同的要求,并且產品在功能、技術 要求和用例方面差異很大。 存儲 虛擬 化有助于簡化管理 并提高資源使用率。還可
2021-10-13 16:32:33 2423 的區(qū)別在于,①Flash 的存儲 容量大于EEPROM,②Flash 在寫入之前的擦除操作時,需要以扇區(qū) 為最小單
2021-11-26 19:21:12 23 主要介紹mcu-內部flash 1、STM32F207VET6跟GD32F407VET6,flash 的結構:包含4個16KB的扇區(qū) 、1個64KB的扇區(qū) 、3個128KB的扇區(qū) 。塊0跟塊1。內部flash
2021-12-01 21:06:07 11 FLASH 磨損均衡原理及實現背景磨損均衡原理磨損均衡實現定長數據讀寫不定長數據讀寫多個不定長數據存儲 讀寫總結背景flash 為嵌入式設備中常見的存儲 器,優(yōu)點:便宜,容量大,但缺點也比較明顯,最大的缺點
2021-12-02 10:06:05 8 項目中用到stm32內部flash 存儲 一些系統運行數據,每次上電重新加載保存的數據。早先用法如下圖所示,擦除之前每次要關閉總中斷,解鎖flash ,擦除對應扇區(qū) ,然后寫入數據
2021-12-02 11:51:13 16 寫flash 芯片時為什么需要先擦除? 在講解為什么需要先擦除Flash 芯片之前,先來了解一下Flash 芯片的基本概念和組成部分。 Flash 芯片是非易失性存儲 器,內部由多個塊組成,每個塊都是一定
2023-10-29 17:24:37 5844 ,包括其結構、特點以及如何寫入數據。 一、STM32 Flash 的結構 STM32 Flash 存儲 器通常被分為多個扇區(qū) ,每個扇區(qū) 大小為2KB到256KB不等,根據不同的型號有所不同。每個扇區(qū) 可以獨立進行
2024-01-31 15:46:03 3729 存儲 虛擬 化是一種將多個存儲 設備的物理存儲 資源抽象出來、將它們集中在一起并將它們呈現為單個邏輯存儲 單元的技術 。此過程簡化了存儲 管理 ,提高了資源利用率,并實現了跨各種存儲 設備(例如硬盤驅動器、固態(tài)驅動器
2024-03-07 16:47:42 1978 前言 在數字化時代的今天,數據的存儲 和管理 變得越來越重要。各種各樣的存儲 技術 應運而生,以滿足不同的使用場景和需求。其中,Flash 存儲 芯片以其非易失性、可擦寫性和可編程性等優(yōu)勢,占據了重要地位。本
2024-04-03 12:02:55 7925 MLC NAND Flash 作為一種均衡的存儲 解決方案,以其合理的性能、耐用性和成本效益,在消費級市場和特定企業(yè)級應用中占有重要地位。隨著技術 的進步,MLC NAND Flash 將繼續(xù)滿足日益增長的存儲 需求。
2024-06-06 11:14:15 1502 的存儲 架構,內部陣列由多個256字節(jié)的可編程頁面組成,支持頁編程、扇區(qū) 擦除、塊擦除及整片擦除等多種操作模式,為用戶帶來高度靈活的存儲 管理 體驗。
2025-12-26 11:51:49 154
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