ROHM集團旗下的LAPIS Semiconductor公司（藍碧石半導體）開發出128Mbit NOR Flash存儲器“MR29V12852B”，該產品非常適用于對品質有高要求的車載設備和工業設備的數據存儲介質。

　　Flash存儲器根據存儲數據的存儲單元的排列形式不同而分為NAND型和NOR型兩種。NAND型的特征是每比特的價格相對便宜，多用作手機、數碼相機、數碼音響等保存數字數據的存儲介質；NOR型的特征是存儲數據的可靠性高，多用作品質要求高的車載設備、工業設備等保存固件的存儲介質。

　　包括Flash存儲器在內的非易失性存儲器，毋庸置疑會有偶發數據錯誤的可能性。尤其在品質要求高的車載設備和工業設備中，為了系統的穩定工作，必須采取有效預防這種數據錯誤引發的程序誤運行或誤停止的措施。

　　本LSI作為128Mb NOR Flash存儲器，業界首次內置糾錯碼電路和輸出驅動能力調整電路，通過替換現有存儲器，可輕松且以低成本實現系統上的數據錯誤對策。該產品非常適用于品質要求高的車載設備和工業設備，有助于系統的穩定工作和降低成本。

　　現在，樣品已開始出售，電路設計、測試程序設計、評估等Flash存儲器開發在藍碧石半導體（新橫濱技術中心）實施，生產將委托海外合作伙伴Fab實施，預計于2016年11月開始投入量產并批量銷售。

　　今后，藍碧石半導體還會繼續完善NOR Flash存儲器的產品陣容，滿足品質要求高的客戶需求。

　　＜背景＞

　　Flash存儲器的數據錯誤原因中，包括引起存儲器讀取數據錯誤（誤碼）、信號延遲及波形失真的數據交換時產生的電磁噪聲（輻射干擾）等。Flash存儲器的數據錯誤會引起Flash存儲器與其控制器間的數據通信錯誤，從而影響系統的可靠性。要想打造可靠性高的系統，需要在PCB板設計、零部件配置及其評估過程中考慮減少誤碼的誤碼糾正功能及對外圍電路的噪音干擾對策。藍碧石半導體開發出的NOR Flash存儲器，內置有糾錯碼電路與作為PCB板上輻射干擾對策的驅動能力調整電路，而且與其他公司產品具有兼容性，無需改變當前系統的結構，僅需替換現有存儲器即可輕松實現系統的穩定工作。