晶體管的縮小過程中涉及到三個問題。第一是為什么要把晶體管的尺寸縮小，以及是按照怎樣的比例縮小的，這個問題是縮小有什么好處。第二是為什么技術節點的數字不能等同于晶體管的實際尺寸。或者說，在晶體管的實際尺寸并沒有按比例縮小的情況下，為什么要宣稱是新一代的技術節點。這個問題就是縮小有什么技術困難。第三是晶體管具體如何縮小。也就是，技術節點的發展歷程是怎樣的。在每一代都有怎樣的技術進步。這也是真正的問題。在這里特指晶體管的設計和材料。

　　1 引言

　　在摩爾定律的指導下，集成電路的制造工藝一直在往前演進。得意于這幾年智能手機的流行，大家對節點了解甚多。例如40 nm、28 nm、20 nm、16 nm 等等，要知道的這些節點的真正含義，首先要解析一下技術節點的意思。

　　常聽說的，諸如，臺積電16 nm工藝的NvidiaGPU、英特爾14 nm 工藝的i5 CPU 等等，這個長度的含義，具體的定義需要詳細的給出晶體管的結構圖才行。在早期，可以姑且認為是相當于晶體管的尺寸。

　　為什么這個尺寸重要呢。因為晶體管的作用，是把電子從一端（S），通過一段溝道，送到另一端（D），這個過程完成了之后，信息的傳遞就完成了。因為電子的速度是有限的，在現代晶體管中，一般都是以飽和速度運行的，所以需要的時間基本就由這個溝道的長度來決定。越短，就越快。這個溝道的長度，和前面說的晶體管的尺寸，大體上可以認為是一致的。但是二者有區別，溝道長度是一個晶體管物理的概念，而用于技術節點的那個尺寸，是制造工藝的概念，二者相關，但是不相等。

　　在微米時代，一般這個技術節點的數字越小，晶體管的尺寸也越小，溝道長度也就越小。但是在22 nm 節點之后，晶體管的實際尺寸，或者說溝道的實際長度，是長于這個數字的。比方說，英特爾的14 nm 的晶體管，溝道長度其實是20 nm 左右。

　　根據現在的了解，晶體管的縮小過程中涉及到三個問題，分別是：

　　第一，為什么要把晶體管的尺寸縮小，以及是按照怎樣的比例縮小的。這個問題就是在問，縮小有什么好處。

　　第二，為什么技術節點的數字不能等同于晶體管的實際尺寸。或者說，在晶體管的實際尺寸并沒有按比例縮小的情況下，為什么要宣稱是新一代的技術節點。這個問題就是在問，縮小有什么技術困難。

　　第三，晶體管具體如何縮小。也就是，技術節點的發展歷程是怎樣的。在每一代都有怎樣的技術進步。這也是題主所提的真正的問題。在這里特指晶體管的設計和材料。

　　2 工藝節點演變路徑分析

　　2.1 縮小晶體管的尺寸

　　第一個問題，因為晶體管尺寸越小，速度就越快。這個快是可以直接解釋為基于晶體管的集成電路芯片的性能上去的。以微處理器CPU為例，見圖1，來源是40 Years of Microprocessor Trend Data。

　　圖1 的信息量很大，這里相關的是綠色的點，代表CPU的時鐘頻率，越高當然越快。可以看出直到2004年左右，CPU的時鐘頻率基本是指數上升的，背后的主要原因就是晶體管的尺寸縮小。

　　另外一個重要的原因是，尺寸縮小之后，集成度（單位面積的晶體管數量）提升，這有多個好處。一來可以增加芯片的功能，二來更重要的是，根據摩爾定律，集成度提升的直接結果是成本的下降。這也是為什么半導體行業50年來如一日地追求摩爾定律的原因，因為如果達不到這個標準，你家的產品成本就會高于能達到這個標準的對手，你家就倒閉了。

　　圖 1 微處理器芯片的發展趨勢

　　還有一個原因是晶體管縮小可以降低單個晶體管的功耗，因為縮小的規則要求，同時會降低整體芯片的供電電壓，進而降低功耗。但是有一個重要的例外，就是從物理原理上說，單位面積的功耗并不降低。因此這成為了晶體管縮小的一個很嚴重的問題，因為理論上的計算是理想情況，實際上，不僅不降低，反而是隨著集成度的提高而提高的。在2000年的時候，人們已經預測，根據摩爾定律的發展，如果沒有什么技術進步的話，晶體管縮小到2010年時，其功耗密度可以達到火箭發動機的水平，這樣的芯片當然是不可能正常工作的。即使達不到這個水平，溫度太高也會影響晶體管的性能。

　　事實上，業界現在也沒有找到真正徹底解決晶體管功耗問題的方案，實際的做法是一方面降低電壓（功耗與電壓的平方成正比），一方面不再追求時鐘頻率。因此在圖1中，2005年以后，CPU頻率不再增長，性能的提升主要依靠多核架構。這個被稱作“功耗墻”，至今仍然存在，所以你買不到5 GHz 的處理器，4G的都幾乎沒有。

　　以上是三個縮小晶體管的主要誘因。可以看出，都是重量級的提升性能、功能、降低成本的方法，所以業界才會一直堅持到現在。那么是怎樣縮小的呢。物理原理是恒定電場，因為晶體管的物理學通俗地說，是電場決定的，所以只要電場不變，晶體管的模型就不需要改變，這種方式被證明效果最佳，被稱為Dennard Scaling，提出者是IBM。

　　電場等于電壓除以尺寸。既然要縮小尺寸，就要等比降低電壓。如何縮小尺寸。簡單將面積縮小到原來的一半。面積等于尺寸的平方，因此尺寸就縮小大約0.7。如果看一下晶體管技術節點的數字［3］：130 nm、90 nm、65nm、45 nm、32 nm、22 nm、14 nm、10 nm、7 nm（5 nm），會發現是一個大約為0.7 為比的等比數列，就是這個原因。當然，前面說過，在現在，這只是一個命名的習慣，跟實際尺寸已經有差距了。

　　2.2 節點的數字不能等同于晶體管的實際尺寸

　　第二個問題，為什么現在的技術節點不再直接反應晶體管的尺寸呢。原因也很簡單，因為無法做到這個程度的縮小了。有三個主要的原因。

　　首先，原子尺度的計量單位是安，為0.1 nm。10nm的溝道長度，也就只有不到100個硅原子而已。晶體管本來的物理模型這樣的：用量子力學的能帶論計算電子的分布，但是用經典的電流理論計算電子的輸運。電子在分布確定之后，仍然被當作一個粒子來對待，而不是考慮它的量子效應。因為尺寸大，所以不需要。但是越小，就越不行了，就需要考慮各種復雜的物理效應，晶體管的電流模型也不再適用。

　　其次，即使用經典的模型，性能上也出了問題，這個叫做短溝道效應，其效果是損害晶體管的性能。短溝道效應其實很好理解，通俗地講，晶體管是一個三個端口的開關。前面已經說過，其工作原理是把電子從一端（源端）弄到另一端（漏端），這是通過溝道進行的，另外還有一個端口（柵端）的作用是，決定這條溝道是打開的，還是關閉的。這些操作都是通過在端口上加上特定的電壓來完成的。

　　晶體管性能依賴的一點是，必須要打得開，也要關得緊。短溝道器件，打得開沒問題，但是關不緊，原因就是尺寸太小，內部有很多電場上的互相干擾，以前都是可以忽略不計的，現在則會導致柵端的電場不能夠發揮全部的作用，因此關不緊。關不緊的后果就是有漏電流，簡單地說就是不需要、浪費的電流。這部分電流可不能小看，因為此時晶體管是在休息，沒有做任何事情，卻在白白地耗電。目前，集成電路中的這部分漏電流導致的能耗，已經占到了總能耗的接近半數，所以也是目前晶體管設計和電路設計的一個最主要的目標。

　　最后，集成電路的制造工藝也越來越難做到那么小的尺寸了。決定制造工藝的最小尺寸的東西，叫做***［5］。它的功能是，把預先印制好的電路設計，像洗照片一樣洗到晶片表面上去，在我看來就是一種Bug級的存在，因為吞吐率非常地高。否則那么復雜的集成電路，如何才能制造出來呢。比如英特爾的奔騰4處理器，據說需要30多還是40多張不同的設計模板，先后不斷地曝光，才能完成整個處理器的設計的印制。

　　但是***，顧名思義，是用光的，當然不是可見光，但總之是光。而稍有常識就會知道，所有用光的東西，都有一個本質的問題，就是衍射。***不例外。因為這個問題的制約，任何一臺***所能刻制的最小尺寸，基本上與它所用的光源的波長成正比。波長越小，尺寸也就越小，這個道理是很簡單的。目前的主流生產工藝采用荷蘭艾斯摩爾生產的步進式***，所使用的光源是193 nm 的氟化氬（ArF）分子振蕩器產生的，被用于最精細的尺寸的光刻步驟。

　　相比之下，目前的最小量產的晶體管尺寸是20nm（14 nm node），已經有了10 倍以上的差距。為何沒有衍射效應呢。答案是業界十多年來在光刻技術上投入了巨資，先后開發了各種魔改級別的技術，諸如浸入式光刻（把光程放在某種液體里，因為光的折射率更高，而最小尺寸反比于折射率）、相位掩模（通過180度反向的方式來讓產生的衍射互相抵消，提高精確度）等等，就這樣一直撐到了現在，支持了60 nm 以來的所有技術節點的進步。

　　又為何不用更小波長的光源呢。答案是，工藝上暫時做不到。高端***的光源，是世界級的工業難題。以上就是目前主流的深紫外曝光技術（DUV）。業界普遍認為，7 nm 技術節點是它的極限了，甚至7 nm 都不一定能夠做到量產。下一代技術仍然在開發之中，被稱為極紫外（EUV），其光源降到了13 nm。但是，因為在這個波長，已經沒有合適的介質可以用來折射光，構成必須的光路了，因此這個技術里面的光學設計，全部是反射，而在如此高的精度下，設計如此復雜的反射光路，本身就是難以想象的技術難題。

　　這還不算什么，此問題已經能被克服了。最難的還是光源，雖然可以產生所需的光線，但是強度遠低于工業生產的需求，造成EUV***的晶圓產量達不到要求，換言之拿來用就會賠本。一臺這種機器，就是上億美元。所以EUV還屬于未來。由于以上三個原因，其實很早開始就導致晶體管的尺寸縮小進入了深水區，越來越難。到了22nm之后，芯片已經無法按比例縮小了。因此，就沒有再追求一定要縮小，反而是采用了更加優化的晶體管設計，配合上CPU架構上的多核多線程等一系列技術，繼續為消費者提供相當于更新換代了的產品性能。因為這個原因，技術節點的數字仍然在縮小，但是已然不再等同于晶體管的尺寸，而是代表一系列構成這個技術節點的指標的技術和工藝的總和。

　　2.3 晶體管縮小過程中面對的問題

　　第三個問題，技術節點的縮小過程中，晶體管的設計是怎樣發展的。首先搞清楚，晶體管設計的思路是什么。主要的無非兩點：第一提升開關響應度，第二降低漏電流。

　　圖 2 晶體管漏電流-柵電壓的關系圖

　　為了講清楚這個問題，最好的方法是看圖2。晶體管物理特性圖，基本上搞清楚一張就足夠了，就是漏電流-柵電壓的關系圖，比如下面這種：橫軸代表柵電壓，縱軸代表漏電流，并且縱軸一般是對數坐標。

　　前面說過，柵電壓控制晶體管的開關。可以看出，最好的晶體管，是那種能夠在很小的柵電壓變化內，一下子就從完全關閉（漏電流為0），變成完全打開（漏電流達到飽和值），也就是虛線。這個性質有多方面的好處，接下來再說。

　　顯然這種晶體管不存在于這個星球上。原因是，在經典的晶體管物理理論下，衡量這個開關響應能力的標準，叫做Subthreshold Swing（SS），有一個極限值，約為60 mV/dec。英特爾的數據上，最新的14 nm 晶體管，這個數值大概是70 mV/dec左右。并且，降低這個值，和降低漏電流、提升工作電流（提高速度）、降低功耗等要求，是等同的，因為這個值越低，在同樣的電壓下，漏電流就越低。而為了達到同樣的工作電流，需要的電壓就越低，這樣等同于降低了功耗。所以說這個值是晶體管設計里面最重要的指標，不過分。

　　圍繞這個指標，以及背后的晶體管性能設計的幾個目標，大家都做了哪些事情呢。

　　先看工業界，畢竟實踐是檢驗真理的唯一標準。下面的記憶，和節點的對應不一定完全準確，但具體的描述應該沒錯：65 nm 引入Ge strained 的溝道。strain原理是通過在適當的地方摻雜一點點的鍺到硅里面去，鍺和硅的晶格常數不同，因此會導致硅的晶格形狀改變，而根據能帶論，這個改變可以在溝道的方向上提高電子的遷移率，而遷移率高，就會提高晶體管的工作電流。而在實際中，人們發現，這種方法對于空穴型溝道的晶體管（pmos），比對電子型溝道的晶體管（nmos），更加有效。

　　圖 3 基本的晶體管結構

　　2.4 里程碑的突破，45nm引入高K值的絕緣層

　　（1）45nm引入了高k值絕緣層/金屬柵極的配置。這個也是一個里程碑的成果，曾經有一位教授，當年是在英特爾開發了這項技術的團隊的主要成員之一，因此對這一點提的特別多，耳濡目染就記住了。

　　這是兩項技術，但其實都是為了解決同一個問題：在很小的尺寸下，如何保證柵極有效的工作。前面沒有細說晶體管的結構，見圖3。

　　圖3 是一個最基本的晶體管的結構示意圖，現在的晶體管早就不長這樣了，但是任何半導體物理都是從這兒開始講起的，所以這是“標配版”的晶體管，又被稱為體硅（bulk）晶體管。gate就是柵。其中有一個oxide，絕緣層，前面沒有提到，但是卻是晶體管所有的構件中，最關鍵的一個。它的作用是隔絕柵極和溝道。因為柵極開關溝道，是通過電場進行的，電場的產生又是通過在柵極上加一定的電壓來實現的，但是歐姆定律告訴我們，有電壓就有電流。如果有電流從柵極流進了溝道，那么還談什么開關，早就漏了。

　　所以，需要絕緣層。為什么o x i d e （o rdielectric）而不是insulator。因為最早的絕緣層就是和硅非常自然地共處的二氧化硅，其相對介電常數（衡量絕緣性的，越高，對晶體管性能來說越好）約是3.9。一個好的絕緣層是晶體管的生命線。但是要說明，硅天然就具有這么一個性能超級好的絕緣層，對于半導體工業來說，是一件有歷史意義的幸運的事情。有人曾經感慨，上帝都在幫助人類發明集成電路，首先給了那么多的沙子（硅晶圓的原料），又給了一個完美的自然絕緣層。所以至今，硅極其難被取代。一個重要原因就是，作為制造晶體管的材料，其綜合性能太完美了。

　　二氧化硅雖好，在尺寸縮小到一定限度時，也出現了問題。縮小尺寸的過程中，電場強度是保持不變的，在這樣的情況下，從能帶的角度看，因為電子的波動性，如果絕緣層很窄很窄的話，那么有一定的幾率電子會發生隧穿效應而越過絕緣層的能帶勢壘，產生漏電流。可以想象為穿過一堵比自己高的墻。這個電流的大小和絕緣層的厚度，以及絕緣層的“勢壘高度”成負相關。因此厚度越小，勢壘越低，這個漏電流越大，對晶體管越不利。

　　但是在另一方面，晶體管的開關性能、工作電流等等，都需要擁有一個很大的絕緣層電容。實際上，如果這個電容無限大的話，會達到理想化的60mV/dec的SS極限指標。這里說的電容都是指單位面積的電容。這個電容等于介電常數除以絕緣層的厚度。顯然，厚度越小，介電常數越大，對晶體管越有利。

　　可以看出，已經出現了一對設計目標上的矛盾，那就是絕緣層的厚度要不要繼續縮小。實際上在這個節點之前，二氧化硅已經縮小到了不到2 nm的厚度，也就是十幾個原子層的厚度，漏電流的問題已經取代了性能的問題，成為頭號大敵。于是聰明絕頂的人類，開始想辦法。人類很貪心的，既不愿意放棄大電容的性能增強，又不愿意冒漏電的風險。于是人類說，如果有一種材料，介電常數很高，同時能帶勢壘也很高，那么是不是就可以在厚度不縮小的情況下（保護漏電流），繼續提升電容（提高開關性能）。

　　于是大家就開始找，找了許多種奇奇怪怪的材料，終于最后經過驗證，確定使用一種名為HfO2的材料。這個元素我以前聽都沒有聽過。這個就叫做high-k，這里的k是相對介電常數（相對于二氧化硅的而言）。當然，這個工藝的復雜程度，遠遠超過這里描述的這么簡單。具備high-k性質的材料很多，但是最終被采用的材料，一定要具備許多優秀的電學性質。

　　因為二氧化硅真的是一項非常完美的晶體管絕緣層材料，而且制造工藝流程和集成電路的其它制造步驟可以方便地整合，所以找到這樣一項各方面都符合半導體工藝制造的要求的高性能絕緣層材料，是一件了不起的工程成就。

　　圖 4 三柵極晶體管結構

　　至于金屬柵，是與high-k 配套的一項技術。在晶體管的最早期，柵極是用鋁制作，后來經過發展，改用重摻雜多晶硅制作，因為工藝簡單，性能好。到了high-k這里，大家發現，high-k材料有兩個副作用，一是會莫名其妙地降低工作電流，二是會改變晶體管的閾值電壓。閾值電壓就是把晶體管的溝道打開所需要的最小電壓值，這個值是非常重要的晶體管參數。

　　這個原理不細說了，主要原因是，high-k 材料會降低溝內的道載流子遷移率，并且影響在界面上的費米能級的位置。載流子遷移率越低，工作電流就越低，而所謂的費米能級，是從能帶論的圖像上來解釋半導體電子分布的一種分析方法，簡單地說，它的位置會影響晶體管的閾值電壓。這兩個問題的產生，都和high-k材料內部的偶極子分布有關。偶極子是一端正電荷一端負電荷的一對電荷系統，可以隨著外加電場的方向而改變自己的分布，high-k材料的介電常數之所以高的原因，就跟內部的偶極子有很大關系。所以這是一把雙刃劍。

　　于是人類又想，就想到了用金屬做柵極，因為金屬有一個效應叫做鏡像電荷，可以中和掉high-k材料的絕緣層里的偶極子對溝道和費米能級的影響。這樣一來就兩全其美。至于這種或這幾種金屬究竟是什么，除了掌握技術的那幾家企業之外，外界沒有人知道，是商業機密。于是摩爾定律再次勝利。

　　（2 ）3 2 n m 第二代的high-k絕緣層/金屬柵工藝。因為45 nm 英特爾取得了巨大的成功（在很多晶體管、微處理器的發展圖上，45 nm 這一代的晶體管，會在功耗、性能等方面突然出現一個較大的進步標志），32 nm 時候繼續在基礎上改換更好的材料，繼續了縮小尺寸的老路。當然，前代的Ge strain 工藝也是繼續使用的。

　　（3）22 nm FinFET（英特爾成為Tri-gate）三柵極晶體管。

　　這一代的晶體管，在架構上進行了一次變革。變革的最早設計可以追溯到伯克利的胡正明教授2000年左右提出的三柵極和環柵晶體管物理模型，后來被英特爾變為了現實。

　　圖4 是FinFET一般模型。它的實質上是增加了一個柵極。直觀地說，如果看回前面的那張“標配版”的晶體管結構圖的話，在尺寸很短的晶體管里面，因為短溝道效應，漏電流是比較嚴重的。而大部分的漏電流，是通過溝道下方的那片區域流通的。溝道在圖上并沒有標出來，是位于氧化絕緣層以下、硅晶圓表面的非常非常薄（1～2 nm）的一個窄窄的薄層。溝道下方的區域被稱為耗盡層，就是大部分的淺色區域。

　　圖 5 SOI（絕緣層上硅）晶體管結構

　　圖 6 FinFET晶體管結構

　　2.5 聰明的IBM，天才的英特爾。

　　于是有人就開始想啊，既然電子是在溝道中運動，那么我為何非要在溝道下面留有這么一大片耗盡層呢。當然這是有原因的，因為物理模型需要這片區域來平衡電荷。但是在短溝道器件里面，沒有必要非要把耗盡層和溝道放在一起，等著漏電流白白地流過去。于是有人（IBM）開了一個腦洞：把這部分硅直接拿掉，換成絕緣層，絕緣層下面才是剩下的硅，這樣溝道就和耗盡層分開了，因為電子來源于兩極，但是兩極和耗盡層之間，被絕緣層隔開了，這樣除了溝道之外，就不會漏電了。比如圖5這樣。這個叫做SOI（絕緣層上硅）［10］，雖然沒有成為主流，但是因為有其優勢，所以現在還有制造廠在搞。

　　有人（英特爾）又想了，既然都是拿掉耗盡層的硅，插入一層氧化層，那么為什么非要放上一堆沒用的硅在下面，直接在氧化層底下，再弄一個柵極，兩邊夾著溝道，豈不是更好。看看IBM，是否有雄心。但是英特爾還覺得不夠，又想，既然如此，有什么必要非得把氧化層埋在硅里面。把硅弄出來，周圍像三明治一樣地被包裹上絕緣層，外面再放上柵極，豈不是更加優化。于是就有了FinFET，圖6這種。FinFET勝出在于，不僅大大降低了漏電流，而且因為有多一個柵極，這兩個柵極一般都是連在一起的，因此等于大大地增加了前面說過的那個絕緣層電容，也就是大大地提升了晶體管的開關性能。所以又是一次革命式的進步。

　　圖 7 14 nmFinFET結構

　　這個設計其實不難想到，難的是，能夠做到。為什么呢。因為豎起來的那一部分硅，也就是用作溝道的硅，太薄了，只有不到10 nm，不僅遠小于晶體管的最小尺寸，也遠小于最精密的***所能刻制的最小尺寸。于是如何把這個Fin 給弄出來，還得弄好，成了真正的難題。

　　英特爾的做法是很聰明的，解釋起來需要很多張工藝流程圖。但是基本原理是，這部分硅不是光刻出來的，而是長出來的。它先用普通精度的光刻刻出一堆架子，然后再沉淀一層硅，在架子的邊緣就會長出一層很薄的硅，然后再用選擇性的刻蝕把多余的材料弄走，剩下的就是這些立著的、超薄的硅Fin了。當時說出這套方法的時候，徹底絕了。14 nm 繼續FinFET。接著是英特爾的14 nm 晶體管的SEM橫截面圖，大家感受一下，Fin的寬度只有平均9 nm。當然了，在所有的后代的技術節點中，前代的技術也是繼續整合采用的。所以現在，在業界和研究中，一般聽到的晶體管，都被稱作high-k / metalgate Ge-strained 14 nm FinFET（圖7），整合了多年的技術精華。

　　2.6 為摩爾定律的延續而奮斗

　　而在學術界，近些年陸續搞出了各種異想天開的新設計，比如隧穿晶體管、負電容效應晶體管、碳納米管等等。所有這些設計，基本是四個方向，材料、機理、工藝、結構。而所有的設計方案，其實可以用一條簡單的思路概括，就是前面提到的那個SS值的決定公式，里面有兩項相乘組成：

　　（For this expression. The first term could be seen as electrostatics， the second term could be seen

　　as transport. This is not a very physically strict way todescribe， but it provides a convenient picture of variousways to improve transistor properties.）

　　因此，改進要么是改善晶體管的靜電物理（electrostatics），這是其中一項，要么改善溝道的輸運性質（transport），這是另一項。而晶體管設計里面，除了考慮開關性能之外，還需要考慮另一個性能，就是飽和電流問題。很多人對這個問題有誤解，以為飽不飽和不重要，其實電流能飽和才是晶體管能夠有效工作的根本原因，因為不飽和的話，晶體管就不能保持信號的傳遞，因此無法攜帶負載，換言之只中看，不中用，放到電路里面去，根本不能正常工作的。

　　舉個例子，有段時間石墨烯晶體管很火，石墨烯作溝道的思路是第二項，就是輸運，因為石墨烯的電子遷移率遠遠地完爆硅。但直到目前，石墨烯晶體管還沒有太多的進展，因為石墨烯有個硬傷，就是不能飽和電流。但是，去年貌似聽說有人能做到調控石墨烯的能帶間隙打開到關閉，石墨烯不再僅僅是零帶隙，想來這或許會在晶體管材料方面產生積極的影響。

　　在2016 年的IEDM會議上，臺積電已經領先英特爾，發布了7 nm 技術節點的晶體管樣品，而英特爾已經推遲了10 nm 的發布。當然，兩者的技術節點的標準不一樣，臺積電的7 nm 其實相當于英特爾的10 nm，但是臺積電率先拿出了成品。三星貌似也在會上發表了自己的7 nm 產品。可以看出，摩爾定律確實放緩了。22 nm 是在2010 年左右出來的，到了2017年現在，技術節點并沒有進步到10 nm 以下。

　　而且2016 年，ITRS已經宣布不再制定新的技術路線圖，換言之，權威的國際半導體機構已經不認為，摩爾定律的縮小可以繼續下去了。這就是技術節點的主要現狀。

　　3 結語

　　技術節點不能進步，是不是一定就是壞事。其實不一定。28 nm 這個節點，其實不屬于前面提到的標準的dennard scaling 的一部分，但是這個技術節點，直到現在，仍然在半導體制造業界占據了很大的一塊市場份額。臺積電、中芯國際等這樣的大代工廠，都是在28 nm 上玩得很轉的。為何，因為這個節點被證明是一個在成本、性能、需求等多方面達到了比較優化的組合的一個節點，很多芯片產品，并不需要使用過于昂貴的FinFET技術，28 nm能夠滿足自己的需求。

　　但是有一些產品，比如主流的CPU、GPU、FPGA、memory等，其性能的提升有相當一部分是來自于芯片制造工藝的進步。所以再往后如何繼續提升這些產品的性能，是很多人心中的問號，也是新的機會。

　　編輯：黃飛