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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>淺談半導(dǎo)體器件熱設(shè)計與熱分析技術(shù)

淺談半導(dǎo)體器件熱設(shè)計與熱分析技術(shù)

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2021-01-14 14:56:2810570

電子設(shè)備中半導(dǎo)體器件設(shè)計

電子設(shè)備中半導(dǎo)體器件設(shè)計 熱量通過物體和空間傳遞。傳遞是指熱量從熱源轉(zhuǎn)移到他處。 01 左中括號三種傳遞形式左中括號 傳遞主要有三種形式:傳導(dǎo)、對流和輻射。 傳導(dǎo):由熱能引起的分子運動被
2021-03-31 09:38:343123

功率半導(dǎo)體器件風(fēng)冷散熱器阻計算

功率半導(dǎo)體器件風(fēng)冷散熱器阻計算方法。
2021-04-28 14:35:2645

設(shè)計是如何定義的?

在“電子設(shè)備中半導(dǎo)體器件設(shè)計”中,原則上,我們將以電子設(shè)備使用的IC和晶體管等半導(dǎo)體產(chǎn)品為前提來討論設(shè)計相關(guān)的話題。
2021-06-13 08:55:272960

瞬態(tài)測試儀(T3ster) 的特點/應(yīng)用/功能/技術(shù)規(guī)格

瞬態(tài)測試儀T3Ster,用于半導(dǎo)體器件的先進特性測試儀,同時用于測試IC、SoC、SIP、散熱器、熱管等的特性。
2021-09-22 09:18:397075

安森美半導(dǎo)體器件中使用的傳感方法

安森美半導(dǎo)體器件中使用的傳感方法
2022-11-15 20:26:470

R課堂 | 什么是DC-DC轉(zhuǎn)換器的仿真

本文的關(guān)鍵要點 ?ROHM Solution Simulator的分析功能具有以下特點: – 可對含有功率半導(dǎo)體、IC和無源器件的電路進行-電耦合分析。 – 除了電路工作期間的半導(dǎo)體芯片溫度(結(jié)
2022-11-23 08:20:051554

JESD 51封裝器件測量方法

JESD 51封裝器件測量方法(單個半導(dǎo)體器件
2023-01-15 11:46:413

高功率半導(dǎo)體激光器過渡沉封裝技術(shù)研究

摘要:近些年,在市場應(yīng)用驅(qū)動下,半導(dǎo)體激光器的輸出功率越來越高,器件產(chǎn)生的熱量也在增加,同時封裝結(jié)構(gòu)要求也更加緊湊,這對半導(dǎo)體激光器的熱管理提出了更高的要求。當(dāng)今,激光器的外延生長技術(shù)和芯片加工工藝
2023-01-30 10:59:153605

電子設(shè)備中半導(dǎo)體器件設(shè)計-什么是設(shè)計?

在電子設(shè)備的設(shè)計中,一直需要解決小型化、高效化、EMC(電磁兼容性)等課題,近年來,半導(dǎo)體器件對策已經(jīng)越來越受到重視,半導(dǎo)體器件設(shè)計已成為新的課題。
2023-02-13 09:30:161720

電子設(shè)備中半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展趨勢的變化和設(shè)計

上一篇大致介紹了半導(dǎo)體器件設(shè)計的重要性。本文我們希望就半導(dǎo)體器件設(shè)計再進行一些具體說明。近年來,“小型化”、“高功能化”、“設(shè)計靈活性”已經(jīng)成為半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展趨勢。在此我們需要考慮的是半導(dǎo)體器件的這些趨勢將對熱和設(shè)計產(chǎn)生怎樣的影響。
2023-02-13 09:30:162522

電子設(shè)備中半導(dǎo)體器件設(shè)計-設(shè)計的相互了解

上一篇介紹了半導(dǎo)體器件設(shè)計要適應(yīng)技術(shù)發(fā)展變化趨勢的必要性。本文中將介紹近年來半導(dǎo)體器件設(shè)計工作,如果沒有設(shè)備設(shè)計相關(guān)的所有技術(shù)部門之間的相互了解,就無法很好地進行半導(dǎo)體器件設(shè)計。
2023-02-13 09:30:161335

高功率半導(dǎo)體激光器過渡沉封裝技術(shù)研究

摘要:近些年,在市場應(yīng)用驅(qū)動下,半導(dǎo)體激光器的輸出功率越來越高,器件產(chǎn)生的熱量也在增加,同時封裝結(jié)構(gòu)要求也更加緊湊,這對半導(dǎo)體激光器的熱管理提出了更高的要求。當(dāng)今,激光器的外延生長技術(shù)和芯片加工工藝
2023-03-15 15:07:062417

半導(dǎo)體芯片學(xué)習(xí)筆記-特性01

功率半導(dǎo)體行業(yè)的本質(zhì)是能源行業(yè),特性是功率半導(dǎo)體的靈魂
2023-05-30 16:09:513081

瞬態(tài)阻抗準(zhǔn)確計算IGBT模塊結(jié)殼阻的方法

IGBT器件研制的障礙。為解決這一瓶頸問題,近年來,國內(nèi)外專家學(xué)者們也將關(guān)注的焦點放在了IGBT模塊的失效分析方面。阻這一表征半導(dǎo)體器件熱傳導(dǎo)的參量也成了
2023-04-04 10:14:093999

常用的分析技術(shù)有哪些?

第一篇?分析定義 關(guān)分析物質(zhì)結(jié)構(gòu)的方法很有多,今天我跟大家分享下常用的一種——分析技術(shù)。如有這方面的疑問也可以留言或者私信,我將在能力范圍能及之內(nèi)答疑解惑。 分析(TA)是指用熱力學(xué)參數(shù)或物理
2023-06-26 15:46:532627

半導(dǎo)體器件指標(biāo)和結(jié)溫計算

隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展,芯片集成度不斷提高,封裝尺寸越來越小,半導(dǎo)體器件面臨著更高的熱應(yīng)力挑戰(zhàn)。結(jié)溫過高不僅降低了器件的電氣性能,而且增加了金屬遷移率和其他退化變化,從而導(dǎo)致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:386821

半導(dǎo)體器件為什么阻參數(shù)經(jīng)常被誤用?

一些半導(dǎo)體器件集成了專用的二極管,根據(jù)校準(zhǔn)后的正向電壓與溫度曲線精確測量結(jié)溫。由于大多數(shù)器件沒有這種設(shè)計,結(jié)溫的估計取決于外部參考點溫度和封裝的阻參數(shù)。常用的封裝指標(biāo)是阻和熱表征參數(shù)。
2023-09-25 09:32:264272

淺談功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別

功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于,其在設(shè)計的時候,需要多一塊區(qū)域,來承擔(dān)外加的電壓,如圖5所示,300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比,明顯尺寸更大,這也是功率半導(dǎo)體器件的有點之一。
2023-10-18 11:16:214022

半導(dǎo)體激光器的耗散功率詳解

半導(dǎo)體激光器的狀態(tài)和工作方式有關(guān),一般有三種工作方式。
2023-10-18 17:03:503118

功率半導(dǎo)體電流額定值和設(shè)計

功率半導(dǎo)體電流額定值和設(shè)計
2023-12-07 14:36:271462

設(shè)計是什么 設(shè)計介紹

變化可以影響電子部件的電氣特性,導(dǎo)致故障或性能下降。 在電子設(shè)備的設(shè)計中,每個部件,包括半導(dǎo)體器件、電容器、電阻器和電機等,都有其特定的絕對最大額定值,這些額定值通常與溫度和功耗有關(guān)。 對于半導(dǎo)體器件來說
2024-02-06 11:44:362498

探索阻測試儀在半導(dǎo)體器件熱管理中的應(yīng)用與前景

隨著半導(dǎo)體器件不斷向高頻、高功率、高集成度方向發(fā)展,器件的有源區(qū)工作溫升也隨之升高,導(dǎo)致性能及長期可靠性降低。為了有效進行散熱設(shè)計和性能檢測,必須精確測量器件有源區(qū)溫度變化并分析阻構(gòu)成分布,這對半導(dǎo)體
2024-05-16 08:57:441365

功率器件設(shè)計基礎(chǔ)(二)——阻的串聯(lián)和并聯(lián)

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2024-10-29 08:02:481426

高功率半導(dǎo)體激光器的散熱秘籍:過渡沉封裝技術(shù)揭秘

了更高的要求。過渡沉封裝技術(shù)作為一種有效的散熱解決方案,已經(jīng)成為高功率半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)的關(guān)鍵。本文將詳細探討高功率半導(dǎo)體激光器過渡沉封裝技術(shù)的研究現(xiàn)狀、技術(shù)
2024-11-15 11:29:092822

功率器件設(shè)計基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2024-11-19 01:01:531271

功率器件設(shè)計基礎(chǔ)(八)——利用瞬態(tài)阻計算二極管浪涌電流

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2024-12-11 01:03:151146

功率器件設(shè)計基礎(chǔ)(十)——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

樣品活動進行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證
2024-12-23 17:31:081709

半導(dǎo)體測試中遇到的問題

半導(dǎo)體器件的實際部署中,它們會因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱,過高的溫度會削弱甚至損害器件性能。因此,測試對于驗證半導(dǎo)體組件的性能及評估其可靠性至關(guān)重要。然而,半導(dǎo)體熱測試過程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391582

功率器件設(shè)計基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2025-01-06 17:05:481329

功率器件設(shè)計基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2025-01-13 17:36:111819

功率器件設(shè)計基礎(chǔ)知識

功率器件設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體設(shè)計基礎(chǔ)知識,不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從設(shè)計的基本概念、散熱形式、阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和分析等方面,對功率器件設(shè)計基礎(chǔ)知識進行詳細講解。
2025-02-03 14:17:001357

濕度大揭秘!如何影響功率半導(dǎo)體器件芯片焊料阻?

近年來,隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而,這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度,這對功率半導(dǎo)體器件的運行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527

GaNPX?和PDFN封裝器件設(shè)計

氮化鎵(GaN)功率器件系列能夠設(shè)計出體積更小,成本更低,效率更高的電源系統(tǒng),從而突破基于硅的傳統(tǒng)器件的限制。 這里我們給大家介紹一下GaNPX?和PDFN封裝器件設(shè)計。 *附件:應(yīng)用筆
2025-02-26 18:28:471205

分析儀測試分析溫度的方法

分析儀(TGA)主要用于對樣品在熱力學(xué)變化過程中產(chǎn)生的失重、分解過程進行記錄和分析。因此分析儀被廣泛應(yīng)用在塑料、橡膠、化學(xué)、醫(yī)藥生物、建筑、食品、能源等行業(yè)。分析儀可測材料哪幾種
2025-03-04 14:22:591168

半導(dǎo)體制冷差示掃描量儀:分析的得力助手

在材料科學(xué)、化學(xué)、生物學(xué)和藥物學(xué)等眾多領(lǐng)域,深入探究物質(zhì)的熱力學(xué)和動力學(xué)性質(zhì)至關(guān)重要。半導(dǎo)體制冷差示掃描量儀(DSC)作為一款關(guān)鍵的分析儀器,在這一過程中發(fā)揮著不可替代的作用。?上海和晟
2025-03-31 10:28:22537

分析儀在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用

電子科技的快速發(fā)展離不開半導(dǎo)體半導(dǎo)體作為現(xiàn)代科技的核心驅(qū)動力之一,其對于電子設(shè)備性能、功能拓展方面都起到關(guān)鍵的作用。分析儀作為一款材料分析工具,能夠在半導(dǎo)體材料的研究、生產(chǎn)與應(yīng)用過
2025-07-21 11:31:09337

同步分析儀的聯(lián)用技術(shù)的應(yīng)用

同步分析儀是一款可同時測量樣品的tg和dsc信號的分析儀器,被廣泛應(yīng)用在材料科學(xué)、高分子工程師、醫(yī)藥生物、能源等領(lǐng)域。隨著同步分析儀性能技術(shù)的不斷提升,同步分析儀可與其他儀器聯(lián)用,南京大
2025-08-28 16:04:24442

功率器件設(shè)計基礎(chǔ)(十四)----成像儀測溫度概述

摘要功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、SiC高功率密度設(shè)計的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體設(shè)計基礎(chǔ)知識和測試的基本技能,才能完成精確設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率
2025-09-12 17:05:13776

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