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電子發燒友網>測量儀表>基于氧化鎵材料性能調控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

基于氧化鎵材料性能調控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

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2022-11-21 10:10:354367

【前沿技術】NTT研究證明石墨烯成為高速光電探測器材料的前景

日本NTT公司和美國國家材料科學研究所(NIMS)共同實現了石墨烯光電探測器(PD)的超快速零偏壓運行(220GHz)。此外,NTT和NIMS的研究首次闡明了石墨烯的光到電(O-E)轉換過程。石墨烯
2022-12-27 16:49:031748

北郵在氧化雪崩探測器研究領域取得新突破

研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測器件成果的基礎上(ACS Nano,2021,15:16654),經過不斷探索,通過插入合適的寬帶隙材料(MgO)對勢壘高度進行了調整,成功研發了由β-Ga?O?/MgO/Nb:SrTiO?異質結組成的n-Barrier-n單極勢壘型雪崩光電探測器
2023-02-06 15:35:281438

氧化雪崩探測器研究領域取得新突破!

研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測器件成果的基礎上(ACS Nano,2021,15:16654),經過不斷探索,通過插入合適的寬帶隙材料(MgO)對勢壘高度進行了調整,成功研發了由β-Ga?O?/MgO/Nb:SrTiO?異質結組成的n-Barrier-n單極勢壘型雪崩光電探測器
2023-02-10 11:45:041642

西安郵電大學在8寸硅片氧化外延片取得重要進展

氧化是一種超寬禁帶半導體材料,具有優異的耐高壓與日紫外光響應特性,在功率器件和光電領域應用潛力巨大。
2023-03-13 12:25:26950

高靈敏、自供電氧化紫外光電探測器研究取得進展

氧化(Ga2O3)是一種新興寬禁帶半導體(禁帶寬度為4.9 eV),具有熱穩定性好、禁帶寬度大、紫外吸收系數大、材料易加工等優點,是紫外探測理想的半導體材料。基于Ga2O3的紫外光電探測器已有很多的報道。
2023-03-28 11:48:017112

氧化有望成為超越SiC和GaN性能材料

氧化有望成為超越SiC和GaN性能材料,有望成為下一代功率半導體,日本和海外正在進行研究和開發。
2023-04-14 15:42:06977

混合硅基光電探測器的各項性能研究

在本例中,我們將研究混合硅基光電探測器的各項性能。單行載流子(uni-traveling carrier,UTC)光電探測器(PD)由InP/InGaAs制成
2023-04-23 09:31:102867

基于碳化硅的PIN紫外光電探測器仿真介紹

隨著碳化硅等第三代半導體材料的制備和研究工作取得巨大的進展,對基于碳化硅材料紫外探測器件的研究得到了業界更多的關注。
2023-04-24 16:54:094160

高性能探測器(APDs)

Photonis高性能探測器(APDs)滿足從質譜儀到UV和X射線天文學的多種應用,高性能探測器用于一些世界上較快的飛行時間探測,物理研究和太空任務中,它們具有高靈敏度可以探測非常低水平的光子,電子
2023-05-08 07:15:091290

南郵科研團隊在氧化紫外陣列成像器件研究中獲新突破

迄今,基于Ga2O3的光電探測器陣列盡管具有相當好的光響應性能,但仍然缺少一定數目的單元。唐為華教授團隊2018年最早報道了16單元的Ga2O3矩形陣列【IEEE Photon. Technol. Lett., 2018, 30, 993】
2023-05-12 14:29:283860

InGaAs/InP光電探測器

要摘InGaAs光電探測器被廣泛地應用于光纖通訊領域,由于其特有的優點,國外已應用于空間遙感領域.本文簡要介紹了InGaAs/InP的物理特性、PIN光電探測器結構和主要性能指標,討論了研制InGaAs/InP空間遙感用光電探測器的意義.
2023-06-19 16:42:214

廈門大學張洪良團隊在氧化半導體帶隙工程和紫外光電探測器研究取得進展

另一方面,作者也通過高分辨X射線光電子能譜與密度泛函理論(DFT)計算對(AlxGa1-x)2O3的電子結構進行了深入的研究,并從電子結構和能帶的角度分析了光電探測器中器件優異性能的來源(圖4
2023-07-04 16:48:562571

三菱電機加速開發高性能低損耗氧化功率半導體

三菱電機集團近日(2023年7月28)宣布,已投資日本氧化晶圓開發和銷售企業Novel Crystal Technology,今后將加快研究開發高性能低損耗氧化功率半導體,為實現低碳社會做出貢獻。
2023-08-02 10:38:181727

基于ε-Ga2O3的紫外探測器研究

一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測器紫外探測器對可見光具有很低的響應,在環境監測、太陽輻射測量、航天科學、太陽能電池優化和軍事應用等領域都有重要的應用。由于紫外光在很多領域中具有重要的研究和應用價值,紫外探測器的發展對于提高測量的精確性和可靠性具有重要意義。
2023-08-04 11:21:082761

氧化缺陷、合金化電子結構調控光電探測器研究

半導體材料是信息技術產業的基石,Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導體,GaN、SiC等寬禁帶半導體前景廣闊。
2023-08-07 14:39:401623

紫外μLED作為紫外光通信光源的研究現狀和綜合分析

實現深紫外光通信的一個關鍵器件是深紫外光源。早期深紫外光源利用高壓汞燈實現,但汞燈的調制帶寬非常小,這嚴重影響了深紫光通信的傳輸速率。
2023-09-05 11:13:001718

光電探測器的主要噪聲源及其成因

轉換和處理等功能。在實際應用中,光電探測器性能往往受到各種噪聲的影響,其中主要的噪聲源有各種外部環境噪聲、光源噪聲、電路和元器件噪聲等。本文將詳細介紹光電探測器的主要噪聲源及其成因。 一、光源噪聲 光源噪聲
2023-09-19 16:44:546559

寬禁帶半導體紫外光電探測器設計研究

寬禁帶半導體光電探測技術在科學、工業和醫療領域中發揮著重要作用,提供了高效的光電轉換和探測功能,推動了許多現代科技應用的發展。
2023-09-20 17:52:092640

基于銅鹵化物單晶薄膜生長的深紫外光電探測器設計

紫外光電探測器在導彈預警、臭氧層監測、火焰探測等軍事和民用領域均有著廣泛的應用。
2023-10-09 18:16:122095

氧化釩非制冷紅外探測器敏感材料詳解

紅外探測器是紅外熱成像技術的核心元器件,它能夠感知紅外輻射并且將紅外輻射轉化成電信號輸出,目前世界上主流的紅外探測器的敏感材料主要是氧化釩和非晶硅兩種,本文詳細介紹紅外熱成像氧化釩敏感材料氧化
2023-11-03 16:54:372255

鈮酸鋰與二硫化鉬的異質集成寬帶、偏振敏感和自驅動高性能光電探測

高性能光電探測器在各種領域中具有巨大的應用潛力,例如光通信、光學成像、醫療診斷和環境監測。近年來,二維材料特別是層狀過渡金屬硫族化合物(TMDCs)因其優異的光電性能在集成光電探測器領域受到廣泛關注。其中MoS2具有較弱的暗電流、高穩定性、可調節的帶隙、高載流子遷移率和在可見光波段具有強的光吸收的特點
2023-11-12 09:21:573104

基于CVD生長的HfS?/MoS?異質結高性能光電探測器

這項研究首次提出了一種由層間激子驅動的高性能紅外光電探測器,該紅外探測器由化學氣相沉積(CVD)生長的范德華異質結所制備。這項研究標志著光電器件領域進步的一個重要里程碑。
2023-11-13 12:42:511649

基于范德瓦爾斯材料的紅外光電探測器光電響應機制、性能優化方法研究

近年來,基于二維范德瓦爾斯材料的本征吸收、能帶調制、結構設計以及新原理的紅外光電探測器展現了巨大的潛力,并取得了突出的研究成果。對該領域的研究進展進行系統總結和分析,有助于進一步促進范德瓦爾斯材料
2023-12-03 14:35:372210

近紅外寬帶響應光電探測器性能顯著提升助力健康監測

近紅外光探測能力強的光電探測器更有利于檢測人體心率,而且探測范圍覆蓋紅光與近紅外光的寬帶響應光電探測器能用于檢測血氧飽和度
2024-01-13 09:28:092570

一種用于調控Ga2O3薄膜的表面電子結構的的熱重組工程

氧化(Ga2O3)因其超寬的帶隙和高臨界擊穿電場,可滿足當前器件大功率和微型化的發展需求,已成為新一代電力電子和光電器件的熱門材料。目前日紫外光電探測是Ga2O3的一個重要應用,而提高其光電探測
2024-01-19 15:35:202612

可片上探測和預處理的仿生視聽光電探測器

模仿人類感知系統的仿生視聽光電探測器工作原理示意圖。PPC,正光電流;ZPC,無光電流;NPC,負光電流。 近日,中國科學院重慶綠色智能技術研究院微納制造與系統集成研究中心,在《科學進展
2024-03-06 06:28:321055

硅基光電子工藝中集成鍺探測器的工藝挑戰與解決方法簡介

鍺(Ge)探測器是硅基光電子芯片中實現光電信號轉化的核心器件。在硅基光電子芯片工藝中實現異質單片集成高性能Ge探測器工藝,是光模塊等硅基光電子產品實現小體積、低成本和易制造的優先選擇。
2024-04-07 09:16:493391

氧化探測器性能指標及測試方法

氧化(Ga2O3)探測器是一種基于超寬禁帶半導體材料光電探測器,主要用于紫外光探測。其獨特的物理化學特性使其在多個應用領域中展現出廣泛的前景。
2024-11-08 13:49:282171

半導體所在基于氧化紫外偏振光探測器方面取得新進展

和較強的抗干擾能力。然而相對于商用可見光偏振圖像傳感芯片而言,紫外偏振光探測器由于難以制備高透光率、高消光比和強抗輻射能力的紫外偏振片,其發展受到一定限制。寬禁帶半導體材料氧化(β-Ga2O3)由于其超寬帶
2025-01-02 13:56:411284

日本國立材料所成功研發金剛石DUV探測器

在超寬帶隙半導體領域,研究者們正致力于開發具有超高增益的深紫外(DUV)光電探測器,以期達到與光電倍增管(PMT)相媲美的性能。這些探測器對于200-280納米波長范圍內的檢測和通信至關重要
2025-02-11 09:55:47979

基于新興光響應材料光電探測器

來自全球學術界與工業界的專家團隊,在新一期《自然·光子學》雜志上發表一項具有里程碑意義的共識聲明,倡議加速研發基于新興光響應材料的新一代光電探測器,以推動醫療健康、智能家居、農業和制造業等領域的創新
2025-11-26 07:38:56148

普賽斯儀表 | 光電探測器性能參數測試解決方案

 光電探測器光電測試      光電探測器一般需要先對晶圓進行測試,封裝后再對器件進行二次測試,完成最終的特性分析和分揀操作,光電探測器在工作時,需要施加反向
2024-09-12 13:37:37

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