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產品指南
基本信息介紹
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圖 IS6608A的基本規格信息
? IS6608A，國內首顆為CPU供電的多相并聯電源芯片，是兼容 PMBusTM?接口的高頻同步降壓變換器。其采用4mm x 5mm FCQFN-25封裝，在寬輸入范圍內每相可實現高達30A的輸出電流，最多可支持8顆芯片并聯實現峰值240A的輸出電流。在大電流應用領域內，IS6608A可實現極好的電流共享和相位交錯功能，可最大限度地減少現有標準外部元器件的使用。
圖 IS6608A典型電路圖
? IS6608A可以根據終端使用場景的多樣化進行修改GUI、外圍電路配置，為更加快速便捷幫助客戶完成產品設計導入，本文章將系統闡述IS6608A的使用說明及布局建議，簡單明了的向廣大讀者介紹該芯片在使用過程中的注意事項。
GUI使用說明
? IS6608A GUI是長工微自主研發、用于配套IS6608A設計的圖形用戶界面軟件工具，可以幫助用戶更加快捷、直觀地調試內部配置。IS6608A GUI遵循PMBUS協議，與IS6608A之間通過USB-to-I2C（dongle）進行交互。
圖 IS6608A GUI 軟件使用界面
1.GUI寫入與燒錄步驟
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步驟1：點擊SCAN,掃描查找已建立通訊的地址
步驟2：選擇所需通訊地址
步驟3：選擇所需操作分類
步驟4：在操作區中修改數據
步驟5：將修改后的數據寫入芯片內
步驟6：點擊STORE,將芯片的數據燒錄入MTP中
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2.輸出電壓調整
? VOUT COMMAND與VOUT_SCALE_LOOP用于設置VFB電壓，公式為：
? 舉例Rtop=2kΩ，Rbottom=6kΩ，VOUT=0.8V的應用，其輸出電壓步驟如下所示：
①根據Rtop=2kΩ，Rbottom=6kΩ，則VOUT_SCALE_LOOP=6kΩ/(2kΩ+6kΩ)=0.75；
②VOUT=0.8V，VOUT COMMAND=0.8V；
③點擊UPDATE，將數據寫入寄存器；
④點擊Store，將寄存器中的數據存入MTP，此時VFB=0.8V*0.75=0.6V。
3.VOUT數值的讀取
? 芯片中VOUT電壓讀取的實際讀取數值為VFB電壓，如果需要Detection中顯示正確的輸出電壓，則需要將VOUT COMMAND與VOUT_SCALE_LOOP配置正確才可以顯示正確數值。
? 舉例Rtop=2kΩ，Rbottom=6kΩ，VOUT=0.8V的應用，其讀取輸出電壓步驟如下所示：
①根據Rtop=2kΩ，Rbottom=6kΩ，則VOUT_SCALE_LOOP=6kΩ/(2kΩ+6kΩ)=0.75；
②VOUT=0.8V，VOUT COMMAND=0.8V；
③點擊UPDATE，將數據寫入寄存器；
④此時點擊Detection，即可在GUI上讀取到正確的VOUT電壓。
注意：外部VFB分壓電阻精度會影響VOUT讀取的準確性。
? IS6608A具備完善的保護功能，包括過流保護（OCP），負向過流保護（NOCP），過壓保護（OVP），欠壓鎖定（UVLO）和過溫保護（OTP）等其他保護機制，用來在發生故障或意外動作并造成異常時，保護芯片不被損壞。
4.OTP保護模式設置
? 最新版本IC的OTP默認保護溫度146℃，保護模式可在Latch和Retry【包括RETRY的遲滯溫度】中選擇，默認為Latch。下圖為修改步驟：
5.OCP保護模式的設置
? 默認DC保護電流32.66A，保護模式可在Latch和Retry【包括Retry的Hiccup Time】中選擇，默認為Latch。下圖為修改步驟：
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6.OVP保護模式的設置
? 默認過壓保護值為130%*Vref，保護模式可在Latch和Retry【包括Retry的恢復電壓和保護方式】中選擇，默認為Latch。下圖為修改步驟：
? OVP共有4種響應方式可供選擇，分別為Latch & Hiccup和w/Vo DISC & w/o Vo DISC，具體區分如下：?
Latch:過壓后掉電鎖死，需手動重啟；
Hiccup:觸發過壓保護后會下降至OVP Recovery Level 所設置電壓后重新上電；
w/Vo DISC:當觸發過壓保護后，使用Vo Discharg功能將輸出電壓拉低；
w/o Vo DISC:當觸發過壓保護后，不使用Vo Discharg功能將輸出電壓拉低。
7.芯片工作頻率和模式的設置
? 默認工作頻率為800kHz，默認工作模式為FCCM，下圖為功能設置所在分類:
走線/布局建議
? IS6608A外圍包含多種功能引腳配置，對IC走線和元件的放置有較高的要求。良好的外圍走線/布局能有效地影響芯片的工作效率和穩定性，此外，外圍電路還可以提供良好的電磁兼容性、降低噪聲及抗干擾能力。
? 值得注意的是，在沒有特定需求情況下，GUI不是用戶使用IS6608A的必需品，但走線/布局是用戶需重點注意的使用內容之一。走線/布局建議如下：
1.多相并聯時每相ISHR引腳近端需要放3K電阻；
2.芯片正下方及芯片VIN/GND引腳近端/覆銅盡可能放置足夠數量的VIA；
3.兩個VIN引腳近端放置1uF 0402小電容濾波；
4.敏感走線【如VFB-RGND/SYNC/ISHR/VC】需要避開干擾信號【如SW/BST/VIN】放置；
5.BST回路盡可能短；
6.VCC/VDRV電容盡量靠近引腳同層放置；
7.ISET/ADDR/ADDPH電阻盡可能靠近引腳放置且需要使用1%精度電阻；
審核編輯：劉清
工商網監
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