我們在觀察晶體振蕩電路時，通常會看到這么幾個電子元器件，晶振和晶振兩旁的電容。電容一端接地，一端接晶振。還有就是兩個電阻，一個是跨接在晶振兩端，一個接在晶振的輸出端，同芯片相連。旁接的電容我們都知道叫匹配電容，它們的大小可以改變振蕩電路的頻率，通過試驗就可以觀察的到。而兩個分別串并得電阻各自起到什么作用，其值選多大？

微控制器的時鐘源可以分為兩類：基于機械諧振器件的時鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；基于相移電路的時鐘源，如：RC （電阻、電容）振蕩器。硅振蕩器通常是完全集成的RC振蕩器，為了提高穩定性，包含有時鐘源、匹配電阻和電容、溫度補償等。

下圖給出了兩種時鐘源。兩種分立的振蕩器電路，其中圖a為皮爾斯振蕩器配置，用于機械式諧振器件，如晶振和陶瓷諧振槽路。圖b為簡單的RC反饋振蕩器。

舉例，一個振蕩電路在其輸出端串接了一個22K的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10M的電阻。

并聯電阻

電路并聯電阻是由于連接晶振的芯片端內部是一個線性運算放大器，將輸入進行反向180度輸出，晶振處的負載電容電阻組成的網絡提供另外180度的相移，整個環路的相移360度，滿足振蕩的相位條件，同時還要求閉環增益大于等于1，晶體才正常工作。Xin和Xout的內部一般是一個施密特反相器，反相器是不能驅動晶體震蕩的。因此，在反相器的兩端并聯一個電阻，由電阻完成將輸出的信號反向。電阻的作用是將電路內部的反向器加一個反饋回路，形成放大器，當晶體并在其中會使反饋回路的交流等效按照晶體頻率諧振，由于晶體的Q值非常高，因此電阻在很大的范圍變化都不會影響輸出頻率，但會影響脈寬比的。

晶振輸入輸出連接的電阻作用是產生負反饋，保證放大器工作在高增益的線性區，一般在M歐級，KHz晶振電路，并聯電阻通常為10M歐，MHz晶振，并聯電容通常為1M歐左右。

串聯電阻

電路串聯電阻常用來預防晶振被過分驅動。晶振過分驅動的后果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，并導致晶振的早期失效，又可以講drive level調整用。用來調整drive level和發振余裕度。

電阻Rs常用來防止晶振被過分驅動。過分驅動晶振會漸漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升?？捎靡慌_示波器檢測OSC輸出腳，如果檢測一非常清晰的正弦波，且正弦波的上限值和下限值都符合時鐘輸入需要，則晶振未被過分驅動；相反，如果正弦波形的波峰，波谷兩端被削平，而使波形成為方形，則晶振被過分驅動。這時就需要用電阻Rs來防止晶振被過分驅動。判斷電阻Rs值大小的最簡單的方法就是串聯一個5k或10k的微調電阻，從0開始慢慢調高，一直到正弦波不再被削平為止。通過此辦法就可以找到最接近的電阻Rs值。

輸出端串聯電阻與負載電容組成網絡，提供180度相移，同時起到限流的作用，防止反向器輸出對晶振過驅動，損壞晶振。其值的大小通常為幾百K 歐姆較多，具體大小需要通過調試，根據過驅程度去選定串接多大電阻。

晶振本身的作用

振蕩器是一種能量轉換器，石英諧振器是利用石英晶體諧振器決定工作頻率，與LC諧振回路相比，它具有很高的標準性和極高的品質因數，，具有較高的頻率穩定度，采用高精度和穩頻措施后，石英晶體振蕩器可以達到10-4~10-11穩定度。

基本性能主要是起振蕩作用，可利用其對某頻率具有的響應作用，用來濾波、選頻網絡等，石英諧振器相當于RLC振蕩電路。

石英晶體俗稱水晶，是一種化學成分為二氧化硅（SiO2）的六角錐形結晶體，比較堅硬。它有三個相互垂直的軸，且各向異性：縱向Z軸稱為光軸，經過六棱柱棱線并垂直于Z軸的X軸稱為電軸，與X軸和Z軸同時垂直的Y軸（垂直于棱面）稱為機械軸

石英晶體之所以可以作為諧振器，是由于它具有正（機械能→電能）、反（電能→機械能）壓電效應。沿石英晶片的電軸或機械軸施加壓力，則在晶片的電軸兩面三刀個表面產生正、負電荷，呈現出電壓，其大小與所加力產生的形變成正比；若施加張力，則產生反向電壓，這種現象稱為正電效應。當沿石英晶片的電軸方向加電場，則晶片在電軸和機械軸方向將延伸或壓縮，發生形變，這種現象稱為反壓電效應。因此，在晶體兩面三刀端加上交流電壓時，晶片會隨電壓的變化產生機械振動，機械振動又會在晶片內表面產生交變電荷。由于晶體是有彈性的固體，對于某一振動方式，有一個固有的機械諧振頻率。當外加交流電壓等于晶片的固有機械諧振頻率時，晶片的機械振動幅度最大，流過晶片的電流最大，產生了共振現象。石英晶片的共振具有多諧性，即除可以基頻共振外，還可以諧頻共振，通常把利用晶片的基頻共振的諧振器，利用晶片諧頻共振的諧振器稱為泛音諧振器，一般能利用的是3、5、7之類的奇次泛音。晶片的振動頻率與厚度成反比，工作頻率越高，要求晶片越?。ǔ叽缭酱?，頻率越低），這樣的晶片其機械強度就越差，加工越困難，而且容易振碎，因此在工作頻率較高時常采用泛音晶體。一般地，在工作頻率小于20MHZ時采用基頻晶體，在工作頻率大于20MHZ時采用泛音晶體。

原理：壓電效應

若在石英晶體的兩個電極上加一電場，晶片就會產生機械變形。反之，若在晶片的兩側施加機械壓力，則在晶片相應的方向上將產生電場，這種物理現象稱為壓電效應。如果在晶片的兩極上加交變電壓，晶片就會產生機械振動，同時晶片的機械振動又會產生交變電場。在一般情況下，晶片機械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小，但當外加交變電壓的頻率為某一特定值時，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關。

晶振的作用一句話簡單說就是：選擇頻率，讓跟自己固有頻率相等的和接近的振蕩蕩起來。

對于一個高可靠性的系統設計，晶體的選擇非常重要，尤其設計帶有睡眠喚醒（往往用低電壓以求低功耗）的系統。這是因為低供電電壓使提供給晶體的激勵功率減少，造成晶體起振很慢或根本就不能起振。這一現象在上電復位時并不特別明顯，原因時上電時電路有足夠的擾動，很容易建立振蕩。在睡眠喚醒時，電路的擾動要比上電時小得多，起振變得很不容易。在振蕩回路中，晶體既不能過激勵（容易振到高次諧波上）也不能欠激勵（不容易起振）。晶體的選擇至少必須考慮：諧振頻點，負載電容，激勵功率，溫度特性，長期穩定性。

晶體的匹配電容

1.匹配電容-----負載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。這樣并聯起來就接近負載電容了。

2.負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個測試條件，也是一個使用條件。應用時一般在給出負載電容值附近調整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。

3.一般情況下，增大負載電容會使振蕩頻率下降，而減小負載電容會使振蕩頻率升高。

4.負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率，一個是串聯揩振晶振的低負載電容晶 振：另一個為并聯揩振晶振的高負載電容晶振。所以，標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。

關于晶振

石英晶體振蕩器是高精度和高穩定度的振蕩器，被廣泛應用于彩電、計算機、遙控器等各類振蕩電路中，以及通信系統中用于頻率發生器、為數據處理設備產生時鐘信號和為特定系統提供基準信號。

一、石英晶體振蕩器的基本原理

1、石英晶體振蕩器的結構

石英晶體振蕩器是利用石英晶體（二氧化硅的結晶體）的壓電效應制成的一種諧振器件，它的基本構成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡 稱為晶片，它可以是正方形、矩形或圓形等），在它的兩個對應面上涂敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構成了石英晶體 諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振。其產品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。

2、壓電效應

若在石英晶體的兩個電極上加一電場，晶片就會產生機械變形。反之，若在晶片的兩側施加機械壓力，則在晶片相應的方向上將產生電場，這種物理現象稱為 壓電效應。如果在晶片的兩極上加交變電壓，晶片就會產生機械振動，同時晶片的機械振動又會產生交變電場。在一般情況下，晶片機械振動的振幅和交變電場的振 幅非常微小，但當外加交變電壓的頻率為某一特定值時，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關。

3、符號和等效電路

當晶體不振動時，可把它看成一個平板電容器稱為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關，一般約幾個PF到幾十PF。當晶體振蕩時，機 械振動的慣性可用電感L來等效。一般L的值為幾十mH 到幾百mH。晶片的彈性可用電容C來等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1pF。晶片振動時因摩擦而造成的損耗用R來等效，它的數值約為 100Ω。由于晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此回路的品質因數Q很大，可達1000～10000。加上晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切 割方式、幾何形狀、尺寸有關，而且可以做得精確，因此利用石英諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩定度。

4、諧振頻率

從石英晶體諧振器的等效電路可知，它有兩個諧振頻率，即（1）當L、C、R支路發生串聯諧振時，它的等效阻抗最小（等于R）。串聯揩振頻率用fs表 示，石英晶體對于串聯揩振頻率fs呈純阻性，（2）當頻率高于fs時L、C、R支路呈感性，可與電容C。發生并聯諧振，其并聯頻率用fd表示。

根據石英晶體的等效電路，可定性畫出它的電抗—頻率特性曲線?？梢姰旑l率低于串聯諧振頻率fs或者頻率高于并聯揩振頻率fd時，石英晶體呈容性。僅在fs

二、石英晶體振蕩器類型特點

石英晶體振蕩器是由品質因素極高的石英晶體振子（即諧振器和振蕩電路組成。晶體的品質、切割取向、晶體振子的結構及電路形式等，共同決定振蕩器的性 能。國際電工委員會（IEC）將石英晶體振蕩器分為4類：普通晶體振蕩（TCXO），電壓控制式晶體振蕩器（VCXO），溫度補償式晶體振蕩 （TCXO），恒溫控制式晶體振蕩（OCXO）。目前發展中的還有數字補償式晶體損振蕩（DCXO）等。

普通晶體振蕩器（SPXO）可產生10^（-5）～10^（-4）量級的頻率精度，標準頻率1—100MHZ，頻率穩定度是±100ppm。SPXO沒有采用任何溫度頻率補償措施，價格低廉，通常用作微處理器的時鐘器件。封裝尺寸范圍從21×14×6mm及5×3.2×1.5mm。

電壓控制式晶體振蕩器（VCXO）的精度是10^（-6）～10^（-5）量級，頻率范圍1~30MHz。低容差振蕩器的頻率穩定度是±50ppm。通常用于鎖相環路。封裝尺寸14×10×3mm。

溫度補償式晶體振蕩器（TCXO）采用溫度敏感器件進行溫度頻率補償，頻率精度達到10^（-7）～10^（-6）量級，頻率范圍1—60MHz， 頻率穩定度為±1～±2.5ppm，封裝尺寸從30×30×15mm至11.4×9.6×3.9mm。通常用于手持電話、蜂窩電話、雙向無線通信設備等。

恒溫控制式晶體振蕩器（OCXO）將晶體和振蕩電路置于恒溫箱中，以消除環境溫度變化對頻率的影響。OCXO頻率精度是10^（-10）至10^（-8）量級，對某些特殊應用甚至達到更高。頻率穩定度在四種類型振蕩器中最高。

三、石英晶體振蕩器的主要參數

晶振的主要參數有標稱頻率，負載電容、頻率精度、頻率穩定度等。不同的晶振標稱頻率不同，標稱頻率大都標明在晶振外殼上。如常用普通晶振標稱頻率 有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz～40.50 MHz等，對于特殊要求的晶振頻率可達到1000 MHz以上，也有的沒有標稱頻率，如CRB、ZTB、Ja等系列。負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路 中串接電容。負載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率，一個是串聯揩振晶振的 低負載電容晶振：另一個為并聯揩振晶振的高負載電容晶振。所以，標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正 常。頻率精度和頻率穩定度：由于普通晶振的性能基本都能達到一般電器的要求，對于高檔設備還需要有一定的頻率精度和頻率穩定度。頻率精度從10^（-4） 量級到10^（-10）量級不等。穩定度從±1到±100ppm不等。這要根據具體的設備需要而選擇合適的晶振，如通信網絡，無線數據傳輸等系統就需要更 高要求的石英晶體振蕩器。因此，晶振的參數決定了晶振的品質和性能。在實際應用中要根據具體要求選擇適當的晶振，因不同性能的晶振其價格不同，要求越高價 格也越貴，一般選擇只要滿足要求即可。

四、石英晶體振蕩器的發展趨勢

1、小型化、薄片化和片式化：為滿足移動電話為代表的便攜式產品輕、薄、短小的要求，石英晶體振蕩器的封裝由傳統的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝 轉變。例如TCXO這類器件的體積縮小了30～100倍。采用SMD封裝的TCXO厚度不足2mm，目前5×3mm尺寸的器件已經上市。

2、高精度與高穩定度，目前無補償式晶體振蕩器總精度也能達到±25ppm，VCXO的頻率穩定度在10～7℃范圍內一般可達±20～100ppm，而OCXO在同一溫度范圍內頻率穩定度一般為±0.0001～5ppm，VCXO控制在±25ppm以下。

3、低噪聲，高頻化，在GPS通信系統中是不允許頻率顫抖的，相位噪聲是表征振蕩器頻率顫抖的一個重要參數。目前OCXO主流產品的相位噪聲性能有 很大改善。除VCXO外，其它類型的晶體振蕩器最高輸出頻率不超過200MHz。例如用于GSM等移動電話的UCV4系列壓控振蕩器，其頻率為 650～1700 MHz，電源電壓2.2～3.3V，工作電流8～10mA。

4、低功能，快速啟動，低電壓工作，低電平驅動和低電流消耗已成為一個趨勢。電源電壓一般為3.3V。目前許多TCXO和VCXO產品，電流損耗不 超過2 mA。石英晶體振蕩器的快速啟動技術也取得突破性進展。例如日本精工生產的VG—2320SC型VCXO，在±0.1ppm規定值范圍條件下，頻率穩定時 間小于4ms。日本東京陶瓷公司生產的SMD TCXO，在振蕩啟動4ms后則可達到額定值的90%。OAK公司的10～25 MHz的OCXO產品，在預熱5分鐘后，則能達到±0.01 ppm的穩定度。

五、石英晶體振蕩器的應用

1、石英鐘走時準、耗電省、經久耐用為其最大優點。

不論是老式石英鐘或是新式多功能石英鐘都是以石英晶體振蕩器為核心電路，其頻率精度決定了電子鐘 表的走時精度。從石英晶體振蕩器原理的示意圖中，其中V1和V2構成CMOS反相器石英晶體Q與振蕩電容C1及微調電容C2構成振蕩系統，這里石英晶體相 當于電感。振蕩系統的元件參數確定了振頻率。一般Q、C1及C2均為外接元件。另外R1為反饋電阻，R2為振蕩的穩定電阻，它們都集成在電路內部。故無法 通過改變C1或C2的數值來調整走時精度。但此時我們仍可用加接一只電容C有方法，來改變振蕩系統參數，以調整走時精度。根據電子鐘表走時的快慢，調整電 容有兩種接法：若走時偏快，則可在石英晶體兩端并接電容C，如圖4所示。此時系統總電容加大，振蕩頻率變低，走時減慢。若走時偏慢，則可在晶體支路中串接 電容C。如圖5所示。此時系統的總電容減小，振蕩頻率變高，走時增快。只要經過耐心的反復試驗，就可以調整走時精度。因此，晶振可用于時鐘信號發生器。

2、隨著電視技術的發展，近來彩電多采用500kHz或503 kHz的晶體振蕩器作為行、場電路的振蕩源，經1/3的分頻得到 15625Hz的行頻，其穩定性和可靠性大為提高。面且晶振價格便宜，更換容易。

3、在通信系統產品中，石英晶體振蕩器的價值得到了更廣泛的體現，同時也得到了更快的發展。許多高性能的石英晶振主要應用于通信網絡、無線數據傳輸、高速數字數據傳輸等

晶振的負載電容

晶體元件的負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于 或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。應用時一般在給出負載電容值附近調整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和 等效負載諧振電阻。

晶振的負載電容=［（Cd*Cg）/（Cd+Cg）］+Cic+△C式中Cd，Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，Cic（集成電路內部電容）+△C（PCB上電容）。就是說負載電容15pf的話，兩邊個接27pf的差不多了，一般a為6.5～13.5pF

各種邏輯芯片的晶振引腳可以等效為電容三點式振蕩器。 晶振引腳的內部通常是一個反相器， 或者是奇數個反相器串聯。 在晶振輸出引腳 XO 和晶振輸入引腳 XI 之間用一個電阻連接， 對于 CMOS 芯片通常是數 M 到數十 M 歐之間。 很多芯片的引腳內部已經包含了這個電阻， 引腳外部就不用接了。 這個電阻是為了使反相器在振蕩初始時處與線性狀態， 反相器就如同一個有很大增益的放大器， 以便于起振。 石英晶體也連接在晶振引腳的輸入和輸出之間， 等效為一個并聯諧振回路， 振蕩頻率應該是石英晶體的并聯諧振頻率。 晶體旁邊的兩個電容接地， 實際上就是電容三點式電路的分壓電容， 接地點就是分壓點。 以接地點即分壓點為參考點， 振蕩引腳的輸入和輸出是反相的， 但從并聯諧振回路即石英晶體兩端來看， 形成一個正反饋以保證電路持續振蕩。 在芯片設計時， 這兩個電容就已經形成了， 一般是兩個的容量相等， 容量大小依工藝和版圖而不同， 但終歸是比較小， 不一定適合很寬的頻率范圍。 外接時大約是數 PF 到數十 PF， 依頻率和石英晶體的特性而定。 需要注意的是： 這兩個電容串聯的值是并聯在諧振回路上的， 會影響振蕩頻率。 當兩個電容量相等時， 反饋系數是 0.5， 一般是可以滿足振蕩條件的， 但如果不易起振或振蕩不穩定可以減小輸入端對地電容量， 而增加輸出端的值以提高反饋量。

設計考慮事項：

使晶振、外部電容器（如果有）與 IC之間的信號線盡可能保持最短。當非常低的電流通過IC晶振振蕩器時，如果線路太長，會使它對 EMC、ESD 與串擾產生非常敏感的影響。而且長線路還會給振蕩器增加寄生電容。

2.盡可能將其它時鐘線路與頻繁切換的信號線路布置在遠離晶振連接的位置。

3.當心晶振和地的走線

4.將晶振外殼接地

如果實際的負載電容配置不當，第一會引起線路參考頻率的誤差。另外如在發射接收電路上會使晶振的振蕩幅度下降（不在峰點），影響混頻信號的信號強度與信噪。

當波形出現削峰，畸變時，可增加負載電阻調整（幾十K到幾百K）。要穩定波形是并聯一個1M左右的反饋電阻。

晶振停振的可能原因及處理方法

1，在壓封時，晶體內部要求抽真空充氮氣，如果發生壓封不良，即石英晶體的密封性不好時，在酒精加壓的條件下，其表現為漏氣，稱之為雙漏，也會導致停振，

2，由于芯片本身的厚度很薄，當激勵功率過大時，會使內部石英芯片破損，導致停振；

3，在焊錫時，當錫絲透過線路板上小孔滲過，導致引腳跟外殼連接在一塊，或是晶體在制造過程中，基座上引腳的錫點和外殼相連接發生單漏，都會造成短路，從而引起停振；

4，由于石英晶體在剪腳和焊錫的時候容易產生機械應力和熱應力，而焊錫溫度過高和作用時間太長都會影響到晶體，容易導致晶體處于臨界狀態，以至出現時振時不振現象，甚至停振；

5，有功負載會降低Q值（即品質因素），從而使晶體的穩定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩定狀態，出現時振時不振現象；

6，當石英晶體頻率發生頻率漂移，且超出石英晶體頻率偏差范圍過多時，以至于捕捉不到石英晶體的中心頻率，從而導致芯片不起振。

當遇到以上情況時的正確處理方法：

1，嚴格按照技術要求的規定，對石英晶體組件進行檢漏試驗以檢查其密封性，及時處理不良品并分析原因；

2，壓封工序是將調好的諧振件在氮氣保護中與外殼封裝起來，以穩定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈，壓封倉要連續沖氮氣，并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和氮氣流量是否正常，否則及時處理。其質量標準為：無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對稱不可歪斜。

3，由于石英晶體是被動組件，它是由IC提供適當的激勵功率而正常工作的，因此，當激勵功率過低時，晶體不易起振，過高時，便形成過激勵，使石英芯片破損，引起停振。所以，應提供適當的激勵功率。另外，有功負載會消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩定狀態，出現時振時不振現象，所以，外加有功負載時，應匹配一個比較合適有功負載。

4，控制好剪腳和焊錫工序，并保證基座絕緣性能和引腳質量，引腳鍍層光亮均勻無麻面，無變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏，可以在晶體下加一個絕緣墊片。

5，當晶體產生頻率漂移而且超出頻差范圍時，應檢查是否匹配了合適的負載電容，可以通過調節晶體的負載電容來解決。

晶振不起振的原因及解決方法

RTC晶體經常出現不起振的問題，很多人在各種電子論壇上求助類似于“求高手指點！RTC晶振不起振怎么辦”的問題，而其答案基本可以概括為“這次高手幫不了你了”

更有陰謀論者提出讓人啼笑皆非的解釋——STM32的RTC晶振不起振是ST與晶振廠商串通后故意搞出來的，目的是提高某晶振廠商高端晶振的銷量。。。

最近做的幾塊板子也用到了STM32的RTC，前后兩版一共做了大概6片，幸運的是并未遇到晶振不起振的現象。而我采用的是3毛錢一個的普通晶振，并未選用傳說中低負載高精度晶振。。。后來在另外一片實驗性質的板子上首次遇到了晶振不起振的問題，而且做了2片都不起振，這才讓我意識到這個問題的嚴重性。

從上述現象來看，我認為對RTC晶振起振影響最大的因素應該是PCB的布線。但是遇到問題時通常是PCB已做好，甚至已經做了幾百塊，沒有回頭路了。于是大家更關注的問題似乎就是“如何補救”了。在網上搜索一下，你就會發現世界是如此美好！每個人的經驗和建議都不一樣，甚至是完全相反的！這種現象告訴我們，除了PCB布線，對晶振起振影響最大的似乎不是電氣參數，而是另外一種不可忽略的因素——人品！

各種相互矛盾的經驗也告訴我們，導致晶振不起振的原因是多種多樣的，也是因“人”而異的。也許，我們無法找到一個絕對有效的經驗一舉解決STM32的RTC晶振這個讓人頭疼的問題，但我們可以從各種經驗中找到一些線索，為最終摸索到適合自己這塊板子的解決方案提供一些幫助和提示。

如果晶振不起振，尤其是你已經使用了傳說中的愛普生6pF晶振后還是不行，也許你應該嘗試對以下幾個方面排列組合，找到適合你這塊板子的，更容易起振的方式。

下面就羅列一下可能影響RTC晶振起振的因素

1. 晶振的品牌和負載電容

大家貌似都知道要用6pF的晶振，但我發現其實12.5pF的也可以用。大家都說KDS日本原裝的好，我那個3毛錢的國產晶振貌似也沒啥大問題。。。

2. 晶振外接的匹配電容

有人說6pF的晶振要配6pF的電容。但有經驗公式指出這個電容的值應該是晶振本身負載電容的兩倍，6pF的晶振應該配10pF的匹配電容，當然12.5pF的就應該配20pF或者22pF的電容了~電容值不匹配可能造成晶振不起振。更神奇的是，有人指出去掉外接的匹配電容會使晶振起振！這似乎沒啥道理，但在我的板子上，有且僅有這個方案是可行的?。?！

3. 晶振并聯的反饋電阻

晶振可以并聯一個高阻值的電阻，據說這樣更容易起振。。。這個電阻的阻值有人說是1MΩ，有人說是5MΩ，也有人說是10MΩ，，，當然也有人說不能并聯這個電阻，并聯了反而不起振

4. XTALout到晶振間串聯電阻

這種做法是官方的應用筆記指出的，而且給出了這個電阻的計算公式。對這個電阻的的必要性也是眾說紛紜，同樣存在兩種矛盾的說法，即必須要有這電阻，否則不起振。還有一說不能有這個電阻，否則不起振。。。從官方的應用筆記來看，這個電阻的主要作用是保護晶振，以防晶振發熱。由此看來這個這個電阻似乎并非影響晶振起振的主要因素，甚至可能讓晶振更難起振。

5. 晶振的外殼是否接地

這個就不用說了吧。。。晶振的外殼是金屬的，做封裝時可以把那個焊盤做成機械焊盤而懸空，也可以做成電氣焊盤，然后連接到GND。對這個說法同樣存在爭議，有人說外殼必須接地，也有人說接地后反而不起振。

6. 提高Vbat引腳的電源質量

這種說法是有一定道理的，因為RTC部分是由Vbat的來供電的。有人說Vbat引腳對電源質量要求比較高，如果紋波較大可能會影響晶振的起振。更有人說反而需要一些噪聲，激勵晶振產生正反饋從而順利起振（本人對此表示呵呵）。。。但不管怎樣，提高電源質量對大家都是好事~

7. 晶振周圍的環境

有人指出應該仔細清洗RTC晶振周圍的電路，甚至是使用環氧樹脂膠將晶振密封起來。這種說法得到了一些人的支持，看來也是有相當多的事實依據。

8. 減少晶振焊接時加熱的時間

有人認為長時間加熱晶振進行焊接會對晶振本身帶來影響，卻不是徹底損壞晶振，從而使得晶振不容易起振。。。這種說法我沒驗證過，個人表示懷疑。。。

9. 焊接的焊錫量

這個種說法感覺就更不靠譜了，但真的有人在晶振引腳上多加了點焊錫晶振就能起振了。從原理上說，多加點焊錫確實會改變晶振和PCB間的寄生參數，但我感覺影響微乎其微。。。可能晶振已經徘徊在臨界值的邊緣了，這種做法才會起到一點作用。

10. 使用有源晶振

個人認為這是一勞永逸解決晶振不起振問題的不二法門！有人對STM32的RTC晶振不易起振的原因做了一個解釋，即出于低功耗的考慮，STM32對晶振的驅動功率比較低，所謂“好鼓不用重錘”，一些差的晶振就需要更高的驅動功率，所以不易起振。我認為這種解釋是有道理的。使用有源晶振則不存在驅動功率的問題，如果問題確實是因為驅動功率造成的，那使用有源晶振毫無疑問可以徹底解決問題。而且目前網上還沒看到說有源晶振不起振的求助帖。但是有源晶振通常比較昂貴，甚至要比一顆外置的RTC芯片還要貴。至于這個問題的取舍，就要看各位看官自己的想法了?！　?/p>