從電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器再到充電站和無(wú)數(shù)其他應(yīng)用，硅 （Si）、碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） MOSFET 以及絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 等開(kāi)關(guān)電源半導(dǎo)體都是實(shí)現(xiàn)高效電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。但是，要讓電源裝置獲得最高性能，需要適當(dāng)?shù)?a target="_blank">柵極驅(qū)動(dòng)器。

　　顧名思義，柵極驅(qū)動(dòng)器的作用是驅(qū)動(dòng)電源裝置的柵極，使其快速利落地進(jìn)入或退出導(dǎo)通模式。要做到這一點(diǎn)，不論內(nèi)部器件和雜散（寄生）電容、電感以及負(fù)載（柵極）端的其他問(wèn)題如何，驅(qū)動(dòng)器都要有能力拉出/灌入足夠的電流。因此，提供適當(dāng)尺寸且具有適當(dāng)關(guān)鍵屬性的柵極驅(qū)動(dòng)器，對(duì)于發(fā)揮電源裝置的最大潛力和效率至關(guān)重要。然而，要想最大限度地發(fā)揮柵極驅(qū)動(dòng)器的作用，設(shè)計(jì)人員必須特別注意驅(qū)動(dòng)器的直流電源，而這個(gè)電源獨(dú)立于電源裝置的直流電軌之外。此電源與傳統(tǒng)電源類似，但也有一些重要的區(qū)別之處。它可以是單極電源，但在許多情況下，它是一個(gè)非對(duì)稱的雙極電源，同時(shí)還有其他功能和結(jié)構(gòu)差異。此外，設(shè)計(jì)人員還必須注意外形尺寸，包括電路板基底面和扁平要求，以及與設(shè)計(jì)的預(yù)期裝配和制造工藝的兼容性。

　　本文將以 Murata Power Solutions 的 MGJ2 系列 2 W 柵極驅(qū)動(dòng) DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的表面貼裝器件 （SMD） DC/DC 電源為例，重點(diǎn)介紹柵極驅(qū)動(dòng)器的電源。

　　從開(kāi)關(guān)器件開(kāi)始

　　要了解柵極驅(qū)動(dòng)器 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的作用和所需的屬性，需要從開(kāi)關(guān)器件開(kāi)始。在用作開(kāi)關(guān)器件的 MOSFET 中，柵源路徑可用于控制器件的關(guān)斷或?qū)顟B(tài)（IGBT 與之相似）。當(dāng)柵源電壓小于閾值電壓 （VGS 《 VTH） 時(shí)，MOSFET 處于截止區(qū)，沒(méi)有漏電流流動(dòng)（ID = 0 A），MOSFET 看起來(lái)像一個(gè)“開(kāi)路開(kāi)關(guān)”（圖 1）。

圖 1：在截止模式下，MOSFET 漏源路徑看起來(lái)像一個(gè)開(kāi)路開(kāi)關(guān)。（圖片來(lái)源：Quora）

　　相反，當(dāng)柵源電壓遠(yuǎn)大于閾值電壓 （VGS 》 VTH） 時(shí)，MOSFET 處于飽和區(qū)，有最大漏電流流動(dòng) （ID = VDD /RL），MOSFET 看起來(lái)像一個(gè)“閉路開(kāi)關(guān)”（圖 2）。對(duì)于理想 MOSFET，漏源電壓為零（VDS = 0 V），但在實(shí)踐中，由于內(nèi)部導(dǎo)通電阻 RDS（on）（通常低于 0.1 Ω，并且可能低至幾十 mΩ），VDS 通常為 0.2 V 左右。

圖 2：在飽和模式下，MOSFET 漏源路徑看起來(lái)像一個(gè)低電阻開(kāi)關(guān)。（圖片來(lái)源：Quora）

　　雖然原理圖讓人看起來(lái)是施加在柵極上的電壓導(dǎo)致 MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷，但這種看法并不全面。該電壓驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)入 MOSFET，直至有足夠的累積電荷將其導(dǎo)通。根據(jù)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器的大小（額定電流）和類型，快速進(jìn)入完全導(dǎo)通狀態(tài)所需的電流量可能為區(qū)區(qū)幾 mA 到幾 A。

　　柵極驅(qū)動(dòng)器的功能是，將足夠的電流快速利落地驅(qū)動(dòng)到柵極中，以使 MOSFET 導(dǎo)通，以及將該電流反向拉出，以使 MOSFET 關(guān)斷。更正式地說(shuō)，柵極需要通過(guò)一個(gè)低阻抗電源來(lái)驅(qū)動(dòng)，而該電源能夠拉出和灌入足夠的電流，從而實(shí)現(xiàn)控制電荷的快速插入和拔出。

　　如果 MOSFET 柵極看起來(lái)像一個(gè)純粹的阻性負(fù)載，那么此電流的拉出和灌入將會(huì)相對(duì)簡(jiǎn)單。但是，不僅 MOSFET 具有內(nèi)部容性和感性寄生元件，還存在來(lái)自驅(qū)動(dòng)器和電源裝置之間的互連器件的寄生效應(yīng)（圖 3）。

圖 3：此 MOSFET 模型顯示了影響驅(qū)動(dòng)器性能的寄生電容和電感。（圖片來(lái)源：Texas Instruments）

　　于是，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)在接近閾值電壓時(shí)會(huì)出現(xiàn)瞬時(shí)振蕩，導(dǎo)致器件在完全導(dǎo)通或關(guān)斷的軌跡上出現(xiàn)一次或多次導(dǎo)通和關(guān)斷；這有點(diǎn)類似于機(jī)械開(kāi)關(guān)的“開(kāi)關(guān)彈跳”現(xiàn)象（圖 4）。

圖 4：由于 MOSFET 負(fù)載中的寄生效應(yīng)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器輸出出現(xiàn)瞬時(shí)振蕩，進(jìn)而導(dǎo)致類似于機(jī)械開(kāi)關(guān)彈跳的瞬時(shí)振蕩和誤觸發(fā)。（圖片來(lái)源：Learn About Electronics）

　　這一現(xiàn)象影響的范圍很廣：小到在開(kāi)關(guān)燈這類無(wú)關(guān)緊要的應(yīng)用中，可能造成沒(méi)有人會(huì)注意到或僅僅有些煩人的細(xì)微影響；大到在電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和類似子系統(tǒng)中，可能對(duì)廣泛使用的脈寬調(diào)制 （PWM） 快速開(kāi)關(guān)電路造成損壞。在標(biāo)準(zhǔn)的半橋和全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于負(fù)載被置于上下一對(duì) MOSFET 之間，如果電橋同一側(cè)的兩個(gè) MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通，哪怕只是一瞬間，也會(huì)造成短路，甚至是永久性的損壞。這種現(xiàn)象被稱為“擊穿”（圖 5）。

圖 5：與正常的 MOSFET 導(dǎo)通（Q1 和 Q4（左圖）或 Q2 和 Q3（右圖））相比，如果由于驅(qū)動(dòng)器問(wèn)題或其他原因，電橋的 Q1 和 Q2 或 Q3 和 Q4 同時(shí)導(dǎo)通，則在電源軌和接地之間就會(huì)出現(xiàn)不可接受且可能造成損壞的短路情況，也稱為“擊穿”。（圖片來(lái)源：Quora）

　　柵極驅(qū)動(dòng)詳細(xì)信息

　　為了驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)入柵極，電軌的正電壓應(yīng)足夠高，以確保電源開(kāi)關(guān)處于完全飽和/增強(qiáng)狀態(tài)，但不應(yīng)超過(guò)其柵極的絕對(duì)最大電壓。雖然此電壓值取決于具體的器件類型和型號(hào)，但 IGBT 和標(biāo)準(zhǔn) MOSFET 通常在 15 V 驅(qū)動(dòng)電壓下就能完全導(dǎo)通，而典型的 SiC MOSFET 可能需要接近 20 V 的驅(qū)動(dòng)電壓才能完全導(dǎo)通。

　　負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓的情況則要復(fù)雜一些。原則上，對(duì)于關(guān)斷狀態(tài)，柵極上保持 0 V 電壓就足夠了。但是，利用一個(gè)負(fù)電壓（通常介于 -5 V 至 -10 V 之間），則可以實(shí)現(xiàn)受柵極電阻器控制的快速開(kāi)關(guān)。適當(dāng)?shù)呢?fù)驅(qū)動(dòng)電壓可確保柵極-發(fā)射極的關(guān)斷電壓實(shí)際始終為零或更低。

　　這一點(diǎn)很關(guān)鍵，因?yàn)橹灰_(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)器基準(zhǔn)之間存在任何發(fā)射極電感 （L）（在圖 6 中的“x”點(diǎn)），都會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)反向的柵極-發(fā)射極電壓。雖然該電感可能很小，但即使是極小的 5 nH 電感（幾毫米的導(dǎo)線連接）也會(huì)產(chǎn)生 di/dt 壓擺率達(dá) 1000 A/μs 的 5 V 電壓。

圖 6：由于布局因素，在開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)器基準(zhǔn)之間的“x”點(diǎn)即使有一個(gè)很小的發(fā)射極電感，也會(huì)在開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)感應(yīng)一個(gè)反向的柵極-發(fā)射極電壓，導(dǎo)致出現(xiàn)開(kāi)/關(guān)“抖動(dòng)”。（圖片來(lái)源：Murata Power Solutions）

　　負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓也有助于克服集電極/漏極-柵極米勒效應(yīng)電容 Cm 的影響，該電容會(huì)在器件關(guān)斷期間向柵極驅(qū)動(dòng)電路注入電流。當(dāng)器件被關(guān)斷時(shí)，集電極-柵極電壓上升，值為 Cm × dVce/dt 的電流經(jīng)由米勒電容，流入柵極至發(fā)射極/源極電容 Cge，并經(jīng)由柵極電阻器流向驅(qū)動(dòng)電路。柵極上產(chǎn)生的電壓 Vge 可能足以再次導(dǎo)通器件，從而造成可能的擊穿和損壞（圖 7）。

圖 7：使用負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓可以克服由于 MOSFET 或 IGBT 內(nèi)存在米勒效應(yīng)電容而產(chǎn)生的缺點(diǎn)。（圖片來(lái)源：Murata Power Solutions）

　　不過(guò)，通過(guò)負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓，這種影響被最小化。出于此原因，有效的驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)需要正、負(fù)兩個(gè)電壓軌來(lái)實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)功能。然而，與大多數(shù)具有對(duì)稱輸出（如 +5 V 和 -5 V）的雙極 DC/DC 轉(zhuǎn)換器不同，柵極驅(qū)動(dòng)器的電源軌通常是非對(duì)稱的，且正電壓大于負(fù)電壓。

　　確定轉(zhuǎn)換器的額定功率大小

　　關(guān)鍵因素之一是柵極驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器必須提供多大的電流，進(jìn)而提供多大的額定功率。基本的計(jì)算過(guò)程非常簡(jiǎn)單。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期，柵極必須通過(guò)柵極電阻器 Rg 進(jìn)行充電和放電。該器件的規(guī)格書(shū)中提供了柵極電荷 Qg 值的曲線，其中 Qg 是指在特定的柵極電壓下需要注入到柵極電極以導(dǎo)通（驅(qū)動(dòng)）MOSFET 的電荷量。使用以下公式得出必須由 DC/DC 轉(zhuǎn)換器提供的功率：

　　其中，Qg 是所選柵極電壓擺動(dòng)（從正到負(fù)，值為 Vs，頻率為 F）對(duì)應(yīng)的柵極電荷。該功率耗散在器件的內(nèi)部柵極電阻 （Rint） 和外部串聯(lián)電阻 Rg 中。大多數(shù)柵極驅(qū)動(dòng)器需要低于一到兩瓦的電源。

　　另一個(gè)考慮因素是：給柵極充電和放電所需的峰值電流 （Ipk）。這是 Vs、Rint 和 Rg 的函數(shù)。它使用以下公式計(jì)算：

　　在許多情況下，此峰值電流超出了 DC/DC 轉(zhuǎn)換器可以提供的范圍。大多數(shù)設(shè)計(jì)并沒(méi)有采用更大、更昂貴的電源（在低占空比下運(yùn)行），而是在驅(qū)動(dòng)器電源軌上使用大容量電容器來(lái)供應(yīng)電流，這些電容器則由轉(zhuǎn)換器在低電流周期部分進(jìn)行充電。

　　通過(guò)基本計(jì)算可以確定這些大容量電容器的規(guī)格。但同樣重要的是，它們必須具有較低的等效串聯(lián)電阻 （ESR） 和電感 （ESL），以免妨礙它們所輸送的瞬時(shí)電流。

　　其他柵極驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器考慮因素

　　柵極驅(qū)動(dòng)器的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器還面臨著其他特有的問(wèn)題。其中包括：

　　? 調(diào)節(jié)：當(dāng) DC/DC 轉(zhuǎn)換器沒(méi)有開(kāi)關(guān)時(shí)，器件上的負(fù)載接近于零。然而，大多數(shù)傳統(tǒng)轉(zhuǎn)換器任何時(shí)候都需要一個(gè)極小的負(fù)載；否則，它們的輸出電壓會(huì)急劇增加，甚至可能達(dá)到柵極擊穿電平。

　　這時(shí)會(huì)發(fā)生以下情況：此高電壓被儲(chǔ)存在大容量電容器上，導(dǎo)致器件開(kāi)始開(kāi)關(guān)時(shí)就會(huì)出現(xiàn)柵極過(guò)壓，直到轉(zhuǎn)換器電平在正常負(fù)載下下降。因此應(yīng)使用具有鉗位輸出電壓或極低的最低負(fù)載要求的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。

　　? 啟動(dòng)和關(guān)斷：在驅(qū)動(dòng)電路的電壓軌達(dá)到指定值之前，IGBT 和 MOSFET 不能由 PWM 控制信號(hào)主動(dòng)驅(qū)動(dòng)，這一點(diǎn)很重要。然而，當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器通電和斷電時(shí)，可能存在一種瞬時(shí)條件，即使在 PWM 信號(hào)處于非活動(dòng)狀態(tài)時(shí)也能驅(qū)動(dòng)器件導(dǎo)通，導(dǎo)致器件發(fā)生擊穿和損壞。因此，DC/DC 轉(zhuǎn)換器輸出在通電和斷電時(shí)應(yīng)保持穩(wěn)定，具有單調(diào)的上升和下降（圖 8）。

圖 8：DC/DC 轉(zhuǎn)換器輸出在通電和斷電序列中保持穩(wěn)定，沒(méi)有出現(xiàn)電壓瞬變，這一點(diǎn)至關(guān)重要。（圖片來(lái)源：Murata Power Solutions）

　　? 隔離和耦合電容：在高功率下，電源逆變器或轉(zhuǎn)換器通常使用電橋配置來(lái)生成線頻率交流電，或?yàn)殡姍C(jī)、變壓器或其他負(fù)載提供雙向 PWM 驅(qū)動(dòng)。為了用戶安全和滿足監(jiān)管規(guī)定，柵極驅(qū)動(dòng) PWM 信號(hào)和高壓側(cè)開(kāi)關(guān)的相關(guān)驅(qū)動(dòng)電源軌需要與接地保持電隔離，兩者之間不存在任何電阻路徑。此外，隔離柵必須非常緊固耐用，在設(shè)計(jì)壽命期內(nèi)不會(huì)因?yàn)榉磸?fù)的局部放電效應(yīng)而出現(xiàn)明顯的性能退化。

　　此外，還有一些問(wèn)題是由于跨越隔離柵的電容耦合造成的；這類似于完全絕緣的交流線路變壓器的初級(jí)和次級(jí)繞組之間的漏電流。這就要求驅(qū)動(dòng)電路和相關(guān)的電源軌不能受開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處的高 dV/dt 的影響，并且具有極低的耦合電容。

　　產(chǎn)生這一問(wèn)題的機(jī)制是，由于開(kāi)關(guān)速度非常快，dV/dt 通常高達(dá) 10 kV/μs，對(duì)于最新的 GaN 器件，甚至高達(dá) 100 kV/μs。這種快速擺動(dòng)的 dV/dt 致使瞬時(shí)電流流經(jīng) DC/DC 轉(zhuǎn)換器隔離柵的電容。

　　由于電流 I = C x （dV/dt），即使是僅 20 pF 的很小隔離電容，在 10 kV/μs 的開(kāi)關(guān)作用下，也會(huì)產(chǎn)生 200 mA 的電流。該電流會(huì)找到一條不確定的返回路線，通過(guò)控制器電路返回到電橋，導(dǎo)致連接電阻和電感兩端出現(xiàn)電壓尖峰，而這有可能破壞控制器甚至 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的運(yùn)行。因此，低耦合電容顯得非常重要。

　　DC/DC 轉(zhuǎn)換器的基本隔離和相關(guān)絕緣還存在另一方面的問(wèn)題。隔離柵的設(shè)計(jì)可以連續(xù)承受額定電壓，但由于是開(kāi)關(guān)電壓，因此隔離柵有可能隨著時(shí)間的推移而加速退化。這是因?yàn)楦綦x柵材料中存在電化學(xué)和局部放電效應(yīng)，而這些效應(yīng)完全取決于固定直流電壓。

　　因此，DC/DC 轉(zhuǎn)換器必須具有可靠的絕緣和寬裕的最小爬電和間隙距離。如果轉(zhuǎn)換器隔離柵也構(gòu)成安全隔離系統(tǒng)的一部分，則適用相關(guān)機(jī)構(gòu)關(guān)于所需隔離水平（基本、補(bǔ)充、增強(qiáng)）、工作電壓、污染度、過(guò)壓類別和海拔高度的監(jiān)管規(guī)定。

　　由于這些原因，只有具有適當(dāng)設(shè)計(jì)和材料的柵極驅(qū)動(dòng) DC/DC 轉(zhuǎn)換器才能通過(guò)或申請(qǐng) UL60950-1 認(rèn)證，提供各種級(jí)別的基本和增強(qiáng)保護(hù)（通常相當(dāng)于 EN 62477-1:2012 中的保護(hù)級(jí)別）；更嚴(yán)格的認(rèn)證也已部署到位或正在申請(qǐng)中，以滿足醫(yī)療標(biāo)準(zhǔn) ANSI/AAMI ES60601-1 有關(guān) 1 × 患者保護(hù)措施 （MOPP） 和 2 × 操作者保護(hù)措施 （MOOP） 的要求。

　　? 共模瞬態(tài)抗擾度：在更高的開(kāi)關(guān)頻率下，柵極驅(qū)動(dòng)器的兩個(gè)獨(dú)立接地基準(zhǔn)之間存在一個(gè)差分電壓，這時(shí) CMTI 便是一個(gè)重要的柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)，隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器便是如此。CMTI 的定義是，施加在兩個(gè)隔離電路之間的共模電壓的最大可容許上升或下降速率，并以 kV/μs 或 V/ns 為單位。

　　具有高 CMTI 意味著，當(dāng)用具有極高的上升（正）或下降（負(fù)）壓擺率的信號(hào)“沖擊”隔離柵時(shí)，隔離式部署的兩端（發(fā)射端和接收端）將會(huì)超出規(guī)格書(shū)的規(guī)格。DC/DC 轉(zhuǎn)換器的規(guī)格書(shū)應(yīng)包含此參數(shù)的規(guī)格值，設(shè)計(jì)人員則需要根據(jù)其電路工作頻率和電壓的具體情況進(jìn)行匹配。

　　滿足柵極驅(qū)動(dòng)器 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的要求

　　認(rèn)識(shí)到對(duì)柵極驅(qū)動(dòng) DC/DC 轉(zhuǎn)換器面臨的諸多富有挑戰(zhàn)性且經(jīng)常相互沖突的需求后，Murata 對(duì)其 MGJ2 系列通孔 DC/DC 轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了擴(kuò)展，以納入 SMD DC/DC 單元。他們的轉(zhuǎn)換器由于具有高性能、緊湊的外形尺寸和扁平的外形（大約 20 mm 長(zhǎng) × 15 mm 寬 × 4 mm 高），并且與 SMD 制造工藝兼容，非常適合在空間和重量受限的應(yīng)用中為 IGBT 和 MOSFET 的高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路供電。

　　該系列 2 W 轉(zhuǎn)換器的成員采用 5 V、12 V 和 15 V 標(biāo)稱輸入電壓，并提供非對(duì)稱輸出電壓選擇（+15 V/-5 V、+15 V/-9 V和 +20 V/-5 V 輸出），以支持具有最高系統(tǒng)效率和最少電磁干擾 （EMI） 的最優(yōu)驅(qū)動(dòng)電平。表面貼裝封裝簡(jiǎn)化了與柵極驅(qū)動(dòng)器的物理集成，可實(shí)現(xiàn)更緊密的布局，從而降低布線的復(fù)雜性，同時(shí)最大限度減少 EMI 或射頻干擾 （RFI） 的拾取。

　　MGJ2 系列被指定用于滿足電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和逆變器中使用的電橋電路所需的高隔離度和 dV/dt 要求，其工業(yè)級(jí)額定溫度和結(jié)構(gòu)提供了長(zhǎng)使用壽命和高可靠性。其他關(guān)鍵屬性包括：

• 　　增強(qiáng)型絕緣，符合 UL62368 認(rèn)證要求（申請(qǐng)中）
• 　　ANSI/AAMI ES60601-1 認(rèn)證（申請(qǐng)中）
• 　　5.7 kV DC 絕緣測(cè)試電壓（根據(jù)“高壓測(cè)試”）
• 　　超低的隔離電容
• 　　工作溫度高達(dá) +105°C（降額）
• 　　短路保護(hù)
• 　　特征化的共模瞬變抗擾度 （CMTI） 》200 kV/μs
• 　　2.5 kV 的連續(xù)隔離耐壓性能
• 　　特征化的局部放電性能

　　以下兩個(gè)單元展示了 MGJ2 系列可提供的性能范圍：

　　? MGJ2D152005MPC-R7 接受 15 V 標(biāo)稱輸入（13.5 V 至 16.5 V），并提供高度非對(duì)稱的 +20 V 和 -5.0 V 輸出，每路電流高達(dá) 80 mA。主要規(guī)格包括：兩路輸出分別具有 9% 和 8% 的負(fù)載調(diào)整率（最大值），紋波和噪聲低于 20/45 mV（典型值/最大值），效率為 71/76%（最小值/典型值），隔離電容僅為 3 pF，平均故障時(shí)間 （MTTF） 約為 1100 kHr（使用 MIL-HDBK-217 FN2 確定）和 43，500 kHr（根據(jù) Telecordia SR-332 計(jì)算模型）。

　　? MGJ2D121509MPC-R7 采用 12 V 標(biāo)稱輸入電壓（10.8 V 至 13.2 V），并提供非對(duì)稱的 +15 V 和 -9.0 V 輸出，每路電流同樣高達(dá) 80 mA。其他主要規(guī)格包括：+15 V 輸出具有 8%/13% 的負(fù)載調(diào)整率（典型值/最大值），-9.0 V 輸出具有 7%/12% 的負(fù)載調(diào)整率（典型值/最大值），紋波和噪聲低于 20/45 mV（典型值/最大值），效率為 72/77%（最低值/典型值），隔離電容為 3 pF，MTTF 約為 1550 kHr（使用 MIL-HDBK-217 FN2 確定）和 47，800 kHr（根據(jù) Telecordia 模型）。

　　除了詳細(xì)說(shuō)明靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能的預(yù)期列表和圖表外，該系列成員的通用規(guī)格書(shū)還列出了這些轉(zhuǎn)換器符合的許多行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和監(jiān)管規(guī)定，以及用于確定這些因素的相關(guān)測(cè)試條件的全面細(xì)節(jié)。這不僅提高了產(chǎn)品的可信度，在具有嚴(yán)格合規(guī)性要求的應(yīng)用中還能加速產(chǎn)品認(rèn)證。

　　總結(jié)

　　為開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)選擇合適的 MOSFET 或 IGBT 器件是設(shè)計(jì)過(guò)程中的一個(gè)重要步驟。此外，還要選擇相關(guān)的柵極驅(qū)動(dòng)器，用于控制開(kāi)關(guān)器件在開(kāi)和關(guān)的狀態(tài)之間快速利落地翻轉(zhuǎn)。反過(guò)來(lái)，驅(qū)動(dòng)器需要一個(gè)合適的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為其提供工作電源。如前所示，Murata 的 MGJ2 系列 2 W 表面貼裝 DC/DC 轉(zhuǎn)換器不僅提供了所需的電氣性能，還能滿足這一功能所需的許多復(fù)雜的安全和監(jiān)管規(guī)定。