UCC5304器件是一款隔離式單通道柵極驅動器,具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它旨在驅動 PFC、隔離式 AC/DC、DC/DC 和同步整流應用中的功率 MOSFET 和 GaNFET
2025-02-25 09:40:31
1140 
隔離式單通道柵極驅動器SLMi350的峰值驅動電流能力達2.5A,且具有 3.75kVrms的隔離電壓和高達10kV的隔離浪涌電壓,共模瞬態抗擾度(CMTI)超過150kV/us。
2021-07-19 14:46:01
4365 
EiceDRIVER F3增強型系列柵極驅動器采用爬電距離為8mm的DSO 16 300 mil寬體封裝。這款單路隔離柵極驅動器具有高達300 kV/us的超高共模瞬態抗擾度(CMTI),以及高達8.5 A的典型輸出電流。
2022-03-10 09:15:42
1288 
。 CMTI共模瞬變抗擾度,指是指瞬態穿過隔離層以破壞驅動器輸出狀態所需的最低上升或下降dV/dt(kV/μs or V/ns),如圖:圖1. CMTI定義CMTI分為靜態和動態。靜態是指把輸入引腳連
2022-11-09 06:44:50
),其定量描述隔離式柵極驅動器抑制輸入和輸出間大共模瞬變的能力。如果系統中的壓擺率很高,則驅動器需要有很高的抗擾度。因此,當在高頻和大總線電壓下工作時,CMTI數值特別重要。結 語本文旨在簡單介紹柵極
2021-07-09 07:00:00
優異的抗擾度或抗干擾性。例如,RF噪聲、共模瞬變和干擾磁場是關鍵性因素,因為它們可以耦合到柵極驅動器中,并且會激勵功率級,使其在不希望的時間內做出開關動作。隔離式柵極驅動器的共模瞬變抗擾度(CMTI
2021-11-11 07:00:00
反轉,導致效率低下,甚至在某些情況下發生直通。因此,柵極驅動器的一個決定性指標是共模瞬變抗擾度(CMTI),其定量描述隔離式柵極驅動器抑制輸入和輸出間大共模瞬變的能力。如果系統中的壓擺率很高,則驅動器
2018-10-25 10:22:56
),其定量描述隔離式柵極驅動器抑制輸入和輸出間大共模瞬變的能力。如果系統中的壓擺率很高,則驅動器需要有很高的抗擾度。因此,當在高頻和大總線電壓下工作時,CMTI數值特別重要。結語本文旨在簡單介紹柵極驅動器
2018-11-01 11:35:35
您好,歡迎觀看第三個討論隔離式柵極驅動器的 TI 高精度實驗室講座。 我們將探討可以作為隔離式柵極驅動器技術的基準核心參數。 我們將會檢查這些參數的數據表定義, 討論在隔離式和非隔離式驅動器中決定
2022-11-10 07:54:32
(SOIC-16NB/WB 封裝)兩個副邊驅動器之間具有700VDC 功能隔離性(LGA-13 封裝)共模瞬態抗擾度 (CMTI) >100kV/μs2.8V 至 5.5V 輸入 VDDI 范圍
2022-09-30 13:47:21
NSI6602A-DSWR:具備5700Vrms隔離與100kV/μs CMTI的高可靠性雙通道驅動器,一款非常可靠的隔離式雙通道柵極驅動器,特別適合那些對可靠性和抗干擾能力有嚴苛要求的功率
2025-09-29 08:40:07
)。它共模瞬變抗擾度(CMTI)達±100kV/μs,顯著提升系統在噪聲環境中的穩定性。輸入側供電范圍2.7V–5V,驅動側支持高達28V電源并自帶欠壓鎖定(UVLO)保護,適用于高可靠性功率轉換
2025-09-08 08:47:50
MOSFET、IGBT和SiC MOSFET的柵極驅動。輸入側與兩個輸出側通過一個可承受5kVRMS隔離電壓的隔離柵,以及典型的共模瞬態抗擾度(CMTI)容量為100kV/us。內部功能隔離兩個輔助側
2021-12-08 09:47:42
SLM340是兼容光耦的單通道驅動器,電流1A,CMTI可達150kV/us,傳輸延遲100ns,耐壓5kVrms。該產品與傳統的光耦柵極驅動器相比,具有低延時,低脈寬失真,共模瞬態抗擾能力強
2021-10-26 10:08:38
SLM341CK-DG是一款單通道、兼容光耦管腳的隔離式柵極驅動器,專為驅動IGBT和MOSFET設計。其具備3.0A峰值輸出電流和12.5V的欠壓鎖定(UVLO)功能,在共模瞬態抗擾度(CMTI
2025-09-19 09:24:19
(CMTI),低傳播延遲,脈沖寬度失真小。該產品與傳統的光耦柵極驅動器相比,具有低延時,低脈寬失真,共模瞬態抗擾能力強,壽命長,工作溫度范圍寬的一系列優點。同系列型號:SLM343,SLM345
2023-02-14 10:35:49
超過150kV/us的共模瞬態抗擾度(CMTI),保證了每個PWM傳輸的穩當性。隔離類型比較:該產品與傳統的光耦柵極驅動器相比,具有低延時,低脈寬失真,共模瞬態抗擾能力強,壽命長,工作溫度范圍寬的一系列
2020-07-24 09:59:18
。
出色的抗干擾與可靠性:
超高共模瞬態抗擾度(CMTI ≥ 150kV/μs),能有效抵御功率回路開關噪聲對控制側的干擾,保障系統在惡劣電磁環境下的穩定可靠運行。
創新的“模擬二極管”輸入級,徹底
2025-07-11 09:51:26
)共模瞬態抗擾度(CMTI)柵極驅動電源范圍從14 V到40 V30V反極性電壓處理能力輸入級針對針兼容光耦隔離閘門驅動器DIP8(鷗翼)組件,爬電>8mm和間隙結溫,TJ:–40°C至+150
2021-03-30 18:09:09
能力:10A峰值拉/灌電流,能快速給功率器件的柵極電容充放電。
開關速度:80ns典型傳輸延遲,有助于提升系統響應速度和應用效率。
噪聲免疫:150 kV/μs的共模瞬態抗擾度(CMTI),對于抵抗功率
2025-11-15 10:00:15
輸出能力,可高效驅動 MOSFET、IGBT 等功率器件,有效降低開關損耗。
超高隔離與抗擾:
符合5000VRMS 的加強絕緣等級(SOP18W封裝),提供可靠的高壓隔離保障。
具備優異的共模瞬態抗
2025-08-11 08:46:08
的傳播延遲,因而不能像數字隔離器一樣實現通道間時序特性的匹配。另外,在單個IC封裝中同時集成柵極驅動器和隔離機制可以最大限度地減小解決方案的尺寸。共模瞬變抗擾度在針對高壓電源的許多半橋柵極驅動器應用中
2018-07-03 16:33:25
描述TIDA-00195 參考設計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 IGBT 柵極驅動器 ISO5852S(適用于各種應用中的電機控制)。此設計可對三相逆變器(其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
深度解析一款在電源和電機驅動領域極具競爭力的高性能隔離驅動芯片:SiLM8263BAHB-DG 雙通道隔離柵極驅動器專為應對高功率密度、高可靠性應用的嚴苛要求而設計。核心亮點與關鍵特性:
強勁驅動
2025-08-16 09:18:54
驅動器集成電路會增加電平轉換電路中的傳播延遲,因而不能像數字隔離器一樣實現通道間時序特性的匹配。另外,在單個IC封裝中同時集成柵極驅動器和隔離機制可以最大限度地減小解決方案的尺寸。共模瞬變抗擾度在針對
2018-10-16 20:28:33
集成電路會增加電平轉換電路中的傳播延遲,因而不能像數字隔離器一樣實現通道間時序特性的匹配。另外,在單個IC封裝中同時集成柵極驅動器和隔離機制可以最大限度地減小解決方案的尺寸。共模瞬變抗擾度在針對高壓電源
2018-10-23 11:49:22
大幅減小解決方案尺寸。共模瞬變抗擾度在針對高壓電源的許多半橋柵極驅動器應用中,開關元件中可能發生極快的瞬變。在這些應用中,如果較大的dV/dt可能在隔離柵上發生容性耦合,則有可能在隔離柵上導致邏輯瞬變錯
2018-10-16 16:00:23
限度地減小解決方案的尺寸。 共模瞬變抗擾度 在針對高壓電源的許多半橋柵極驅動器應用中,開關元件中可能發生極快的瞬變。在這些應用中,在隔離柵上發生容性耦合的、快速變化的瞬態電壓(高dV/dt)可能在隔離柵上
2018-09-26 09:57:10
,具有相同的封裝,能讓單個設計用于具有不同額定功率的多驅動器平臺。數字隔離器用于實現瞬態浪涌額定值為 8kV 且共模瞬變抗擾度 (CMTI) 為 50kV 的增強型隔離。該設計包含了使用快速瞬態響應
2018-09-04 09:20:51
極限。 圖2. 典型柵極驅動器的傳播延遲和CMTI性能更高的開關頻率還會產生共模瞬變抗擾性問題,這對系統設計人員來說是一個非常嚴重的問題。在隔離式柵極驅動器中的隔離柵上耦合的高壓擺率信號可能破壞
2018-10-16 06:20:46
極限。圖2. 典型柵極驅動器的傳播延遲和CMTI性能更高的開關頻率還會產生共模瞬變抗擾性問題,這對系統設計人員來說是一個非常嚴重的問題。在隔離式柵極驅動器中的隔離柵上耦合的高壓擺率信號可能破壞數據傳輸
2018-10-16 21:19:44
。 圖2. 典型柵極驅動器的傳播延遲和CMTI性能更高的開關頻率還會產生共模瞬變抗擾性問題,這對系統設計人員來說是一個非常嚴重的問題。在隔離式柵極驅動器中的隔離柵上耦合的高壓擺率信號可能破壞數據傳輸
2018-10-24 09:47:32
: 最小150kV/μs的共模瞬態抗擾度 (CMTI),確保在功率開關瞬間產生的高dv/dt噪聲環境下穩定工作,大大降低誤觸發風險。2.革命性的輸入級與可靠性:-輸入級采用創新的“模擬二極管
2025-07-21 08:56:31
35ns (最大值) 以內,保障多路應用時序精度。
強悍抗擾: 最小 150kV/μs 的共模瞬態抗擾度 (CMTI),有效抵御功率側噪聲沖擊,系統運行更穩定。
寬壓適應: 驅動器輸出電源電壓范圍 10V
2025-08-14 08:37:14
解決方案經過驗證,能夠承受 100kV/μs 以上的高共模瞬態抗擾度 (CMTI)內置低成本、組件少、緊湊型隔離式電源,可為具有負偏置的高電壓側電路供電,實現抗噪效果
2018-09-30 09:23:41
采用先進的電容隔離技術和快速可靠的開關鍵控(OOK)傳輸技術,從而實現了出色的隔離與驅動性能,同時可靠性高、兼容性廣。與傳統的光耦合器柵極驅動器相比,MP188xx 系列具有低延遲、低脈寬失真、高共模
2022-09-30 14:05:41
相同的封裝,能讓單個設計用于具有不同額定功率的多驅動器平臺。數字隔離器用于實現瞬態浪涌額定值為 8kV 且共模瞬變抗擾度 (CMTI) 為 50kV 的增強型隔離。該設計包含了使用快速瞬態響應比較器的
2009-07-24 11:43:20
30 MAX22700–MAX22702為單通道隔離柵極驅動器家族,具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬態抗擾性(CMTI)。器件設計用于驅動各種逆變器或電機控制應用中的碳化硅(SiC)或氮化鎵
2023-04-19 14:35:44
MAX22700–MAX22702為單通道隔離柵極驅動器家族,具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬態抗擾性(CMTI)。器件設計用于驅動各種逆變器或電機控制應用中的碳化硅(SiC)或氮化鎵
2023-04-19 14:39:04
MAX22700–MAX22702為單通道隔離柵極驅動器家族,具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬態抗擾性(CMTI)。器件設計用于驅動各種逆變器或電機控制應用中的碳化硅(SiC)或氮化鎵
2023-04-19 15:01:12
MAX22700–MAX22702為單通道隔離柵極驅動器家族,具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬態抗擾性(CMTI)。器件設計用于驅動各種逆變器或電機控制應用中的碳化硅(SiC)或氮化鎵
2023-04-19 15:03:25
MAX22700–MAX22702為單通道隔離柵極驅動器家族,具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬態抗擾性(CMTI)。器件設計用于驅動各種逆變器或電機控制應用中的碳化硅(SiC)或氮化鎵
2023-04-19 15:10:42
MAX22700–MAX22702為單通道隔離柵極驅動器家族,具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬態抗擾性(CMTI)。器件設計用于驅動各種逆變器或電機控制應用中的碳化硅(SiC)或氮化鎵
2023-04-19 17:15:26
深度掌握隔離驅動器瞬態共模噪音抑制及其特性
2018-08-13 00:11:00
5648 要的指標之一。 CMTI共模瞬變抗擾度,指是指瞬態穿過隔離層以破壞驅動器輸出狀態所需的最低上升或下降dV/dt(kV/μs or V/ns),如圖:
圖1. CMTI定義
CMTI分為靜態和動態
2021-11-10 09:36:45
4013 
本文首先介紹共模瞬變抗擾度(CMTI)詳細概念及其在系統中的重要性。我們將討論一個新的隔離式Σ-Δ調制器系列及其性能,以及它如何提高和增強系統電流測量精度,尤其是針對失調誤差和失調誤差漂移。最后介紹推薦的電路解決方案。
2022-03-17 07:42:17
22411 CMTI(Common mode transient immunity)是隔離產品(包括數字隔離器和光耦)的重要指標之一。CMTI共模瞬變抗擾度,指瞬態穿過隔離層以破壞驅動器輸出狀態所需的最低上升或下降的dv/dt(kV/uS or V/ns)。
2023-03-29 11:57:42
3000 
5A/5A的拉灌電流峰值電流并提供彌勒鉗位功能,防止高di/dt情況下誤導通。最低150kV/μs共模瞬變抗擾度(CMTI)確保了系統魯棒性。驅動器的最大電源電壓為32V,輸入側為3.1V至17V電源電壓
2022-10-31 13:31:46
6 打造,價格則更優,極具性價比,助力企業降本增效。NSi6801x是單通道隔離式柵極驅動器,與流行的光耦合柵極驅動器引腳兼容。它可以提供高達2A的驅動電流。支持150kV/μs的最小共模瞬態免疫(CMTI
2022-10-31 13:54:55
4 電子發燒友網站提供《具有有源保護特性的高CMTI 2.5A和5A隔離式IGBT、 MOSFET柵極驅動器ISO5851數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-26 09:11:58
0 。PC86320可以配置為兩個低端驅動器,兩個高邊驅動器,或具有可編程功能的半橋驅動器卸載時間(DT)。輸入側與兩者隔離輸出驅動器由硅二氧化物隔離屏障,具有150kV/us典型共模瞬態抗擾度(CMTI)。兩個輸出同時關閉禁用引腳isset到高。驅動器在最大供電電壓下工作33V,而輸入側接受
2024-05-09 17:57:33
1322 
電子發燒友網站提供《適用于UCC2122x隔離式柵極驅動器的共模瞬態抗擾度(CMTI).pdf》資料免費下載
2024-10-14 09:51:07
1 內容概要:該文檔詳細介紹了CMT8602X,這是一種增強型隔離式雙通道柵極驅動器。該設備主要特點包括但不限于雙路低側、高側或半橋驅動配置,廣泛的操作溫度范圍(-40°C到125°C),顯著的共模瞬態
2025-02-21 09:48:08
0 驅動功率 MOSFET 和 GaN 晶體管。
UCC21231 可配置為 2 個低側驅動器、2 個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 1.6kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。
2025-05-15 14:38:21
643 
。
UCC21331-Q1 可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 3kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。
2025-05-15 16:09:14
592 
。
UCC21331 可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 3kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。
2025-05-15 16:14:49
610 
。
UCC21330-Q1 可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 3kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。
2025-05-15 17:43:58
719 
。
UCC21550 可配置為 2 個低側驅動器、2 個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 5kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。
2025-05-16 09:17:06
920 
。
UCC21550-Q1 可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 5kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。
2025-05-16 09:30:59
664 
。
UCC21551x 可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 5kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。
2025-05-16 09:51:30
554 
UCC21738-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器,專為工作電壓高達 2121V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。該器件具有高達
2025-05-16 10:12:06
617 
UCC21717-Q1 是一款電隔離式單通道柵極驅動器,設計用于驅動高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進的集成保護、一流的動態性能和穩健性。UCC21717-Q1
2025-05-16 11:07:10
697 
。
UCC21551x-Q1 可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 5kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。DFJ28 封裝提供 >5.3mm CH 到 CH 爬電距離,以支持高壓系統。
2025-05-16 11:38:18
691 
UCC21755-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性
2025-05-16 14:27:31
605 
UCC21737-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。該器件具有高達
2025-05-16 14:34:01
782 
和可靠性得到了顯著提升,同時在原理圖和布局設計中保持了引腳對引腳的兼容性。性能亮點包括高共模瞬態抗擾度 (CMTI)、低傳播延遲和小脈寬失真。
2025-05-16 14:53:21
719 
供 3.3mm 的最小通道間距,從而實現更高的總線電壓。
UCC2154x 系列可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 5.7kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。
2025-05-16 15:45:33
768 
UCC21710 是一款電隔離式單通道柵極驅動器,旨在驅動高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進的集成保護、一流的動態性能和穩健性。UCC21710具有高達 ±10A
2025-05-16 17:26:07
845 
UCC21732 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。UCC21732具有
2025-05-16 18:00:09
807 
UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器,專為高達 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性
2025-05-17 10:27:13
691 
UCC21750 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器,專為工作電壓高達 2121 V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。UCC21750
2025-05-17 10:54:56
1862 
UCC21710-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器,專為高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。UCC21710-Q1
2025-05-17 11:28:26
1161 
一流的傳播延遲和脈寬失真。
輸入側通過 2.5kV 與兩個輸出驅動器隔離~RMS~隔離柵,具有最小 100V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。兩個輸出側驅動器之間的內部功能隔離允許高達 700V 的工作電壓 ~直流~ .
2025-05-17 11:49:38
698 
供 3.3mm 的最小通道間距,從而實現更高的總線電壓。
UCC2154x 系列可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 5.7kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。
2025-05-24 14:00:00
609 
UCC21732-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性
2025-05-24 14:20:00
505 
一流的傳播延遲和脈寬失真。
輸入側通過 2.5kV 與兩個輸出驅動器隔離~RMS~隔離柵,具有最小 100V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。兩個輸出側驅動器之間的內部功能隔離允許高達 700V 的工作電壓 ~直流~ .
2025-05-24 14:51:00
447 
。
輸入側通過 5.7kVRMS 增強型隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。兩個次級側驅動器之間的內部功能隔離允許高達 1850V 的工作電壓。
2025-05-24 15:41:00
581 
通過 5.7kVRMS 增強型隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。兩個次級側驅動器之間的內部功能隔離允許高達 1850V 的工作電壓。
2025-05-24 15:47:00
686 
供 3.3mm 的最小通道間距,從而實現更高的總線電壓。
UCC2154x 系列可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 5.7kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。
2025-05-24 16:00:00
640 
UCC21220 和 UCC21220A 器件是基本和功能隔離式雙通道柵極驅動器,具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它們設計用于驅動 PFC、隔離式 DC/DC 和同步整流應用中的功率
2025-05-19 09:12:23
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UCC21220 和 UCC21220A 器件是基本和功能隔離式雙通道柵極驅動器,具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它們設計用于驅動 PFC、隔離式 DC/DC 和同步整流應用中的功率
2025-05-19 10:13:09
607 
側通過 5.7kVRMS 增強型隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。兩個次級側驅動器之間的內部功能隔離允許高達 1500VDC 的工作電壓。
2025-05-19 10:25:29
1330 
的傳播延遲和脈寬失真。
輸入側通過 2.5kV 與兩個輸出驅動器隔離~RMS~隔離柵,具有最小 100V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。兩個輸出側驅動器之間的內部功能隔離允許高達 700V 的工作電壓 ~直流~ .
2025-05-19 13:50:53
693 
延遲和脈寬失真。
輸入側通過 5.7kV 與兩個輸出驅動器隔離~RMS~增強型隔離柵,具有最低 100V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。兩個次級側驅動器之間的內部功能隔離允許高達 1500V 的工作電壓 ~直流~ .
2025-05-19 14:21:04
568 
寬失真。
輸入側通過 5.7kV 與兩個輸出驅動器隔離~RMS~增強型隔離柵,具有最低 100V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。兩個次級側驅動器之間的內部功能隔離允許高達 1500 V 的工作電壓 ~直流~ .
2025-05-19 14:27:00
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5.7kVRMS 增強型隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。兩個次級側驅動器之間的內部功能隔離允許高達 1500VDC 的工作電壓。
2025-05-19 15:34:43
1495 
峰值灌電流,可驅動功率MOSFET和GaN晶體管。UCC21231可配置為兩個低壓側、兩個高壓側或半橋驅動器。輸入端通過1.6kV~RMS~ 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離。這種隔離的最低要求是125V/ns共模瞬態抗擾度(CMTI)。
2025-07-21 16:38:53
605 
驅動功率MOSFET、SiC和IGBT晶體管。UCC21331/UCC21331-Q1可配置為兩個高壓側驅動器、兩個低壓側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過3kV~RMS~ 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,共模瞬態抗擾度 (CMTI) 至少為125V/ns。
2025-07-29 15:17:31
539 
,可驅動功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管。UCC21330可配置為兩個低側、兩個高側或半橋驅動器。輸入側通過5kV~RMS~ 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,該隔離柵具有最小125V/ns的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。
2025-08-03 16:29:23
941 
性。該器件具有高達±10A峰值拉電流和灌電流。采用SiO~2~ 電容隔離技術,輸入側與輸出側隔離。該特性支持高達1.5kV~RMS~ 工作電壓和12.8kV~PK~ 浪涌抗擾度,隔離柵壽命超過40年。并提供較低的器件間偏移,共模瞬態抗擾度 (CMTI) 大于150V/ns。
2025-08-06 10:45:08
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柵極驅動器可配置為兩個低側、兩個高側或一個半橋驅動器。輸入側通過一個5kV~RMS~ 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,該隔離柵具有最小值125V/ns的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。UCC21551
2025-08-06 15:09:10
941 
5kV~RMS~ 隔離柵(共模瞬態抗擾度 (CMTI) 至少為125V/ns)將輸入側與兩個 輸出驅動器隔離。這些柵極驅動器非常適合車載電池充電器、高壓DC-DC轉換器、汽車HVAC和車身電子設備。
2025-08-11 14:36:40
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Texas Instruments UCC21717-Q1隔離式單通道柵極驅動器設計用于驅動高達1700V SiC MOSFET和IGBT。它具有高級集成保護、出色的動態性能和穩健性
2025-08-18 10:32:02
1585 
Texas Instruments UCC21756-Q1隔離式單通道柵極驅動器設計用于工作電壓高達2121 V DC的SiC MOSFET和IGBT,具有先進的保護特性、同類最佳的動態性能和穩健性
2025-08-26 10:01:15
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半導體CMTI(共模瞬變抗擾度)是衡量隔離器件在高頻共模干擾下維持信號完整性的關鍵指標,其定義為隔離電路兩側地電位間瞬變電壓的最大耐受變化率(單位:kV/μs或V/ns)?。該指標直接反映器件對快速
2025-08-26 16:29:25
836 共模瞬態抗擾度(CMTI)是衡量半導體隔離器件在高壓瞬變干擾下保持信號完整性的關鍵指標,尤其在SiC/GaN等寬禁帶半導體應用中至關重要。以下是核心要點: 一. ? 定義與單位 ? CMTI指隔離
2025-09-04 15:29:23
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。
UCC21351-Q1 可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過3kVRMS隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,共模瞬態抗擾度(CMTI)最小為125V/ns。
2025-09-25 14:14:21
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該UCC21330可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過3kVRMS隔離柵與兩個輸出驅動器隔離,共模瞬態抗擾度(CMTI)最小為125V/ns。
2025-10-11 16:20:14
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,關鍵特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性升級,同時在原理圖和布局設計中保持引腳到引腳的兼容性。性能亮點包括高共模瞬態抗擾度 (CMTI)、低傳播延遲和小脈寬失真。
2025-10-14 14:44:27
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半導體CMTI(共模瞬變抗擾度)是衡量隔離器件在高頻共模干擾下維持信號完整性的關鍵指標,其定義為隔離電路兩側地電位間瞬變電壓的最大耐受變化率(單位:kV/μs或V/ns)?。該指標直接反映器件對快速
2025-10-30 12:10:41
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