3、實驗結果與分析

　　3.1、光學損失

　　從圖1中可以看出單晶電池的光譜響應QE要遠遠好于多晶電池片的光伏響應。一方面是因為單晶電池片的效率要高于多晶電池片，其次單晶多晶的制絨不同，多晶由于晶界分布不規則，采用酸性制絨，為各向同性腐蝕，制絨后反射率在 25%左右，單晶晶界排列規則，采用堿性制絨，為各向異性腐蝕，制絨后反射率為10%左右。這些決定了單晶和多晶電池片光譜效應QE的差異。

　　電池片封裝成組件后的QE曲線可以發現在420nm處開始吸收太陽光，在350nm以內的紫外區域入射光全部被封裝材料玻璃、EVA等吸收，從而導致可以產生光生電流的光子數目減少。單晶組件損失的光電流比多晶組件多，與多晶電池相比，單晶電池在紫外線區域較為出色的光譜響應被浪費掉了。這樣不難發現在同樣的封裝條件下多晶電池在短波段的封裝損失要少于單晶電池。

　　組件在380nm-450nm，900nm-1200nm波段之間的量子效率要高于單晶和多晶電池，是因為電池在做成組件的時候不止存在光學損失，同時也存在光學增益，在光照射在電池、焊帶或者背板上時，由于組件玻璃對光線的反射，會有光線再次照射在電池上，增加組件的對光線的吸收利用。

　　多晶量子效率本身偏低，所以經過封裝以后，多晶組件的光學增益要多于單晶組件，這樣多晶組件在380nm-450nm及900nm-1200nm波段的封裝損失也會少于單晶組件。

　　以上光學因素決定了單晶組件CTM損失要多于多晶組件。但是沒有更好的解決單晶組件光學損失的方法。

　　3.2、B-O復合損失

　　由表1的實驗結果，不難發現單晶電池LID較多晶電池嚴重，這主要是因為單晶原料和多晶原料的生長環境不同所導致。常規單晶生長使用石英坩堝，石英坩堝在高溫時與硅溶液反應，生成SiO2，這樣使硅棒中氧的含量有一定幅度提升，從而增加了硼-氧對的數量，硼氧對在經過光照處理時會形成少子壽命低的BO5，影響電池片的輸出功率，最終增加了單晶硅電池的LID光衰值。

　　多晶采用鑄錠的方式生長，主要工藝步驟為加熱，融化，長晶，退火，冷卻步驟。多晶鑄錠時坩堝底部熱量通過冷卻裝置把熱量帶走。坩堝緩慢下降，從而是硅錠離開加熱區，多晶鑄錠用的坩堝為石英陶瓷坩堝，在鑄錠過程中引入的氧碳雜質較少，這樣在光照條件下產生的硼氧復合就會減少，因此多晶硅電池的LID光衰值相對偏低。這樣導致了多晶CTM損失要低于單晶。要改善單晶CTM可以想辦法減少單晶產品的LID光衰情況。

　　減少單晶原料的衰減可以考慮一下方法，A.模仿多晶鑄錠工藝生產單晶。B.采用磁控拉晶工藝或著區熔單晶工藝，減少氧含量的引入，提高單晶硅棒的品質。C.由摻硼改為摻鎵，避免硼氧復合的出現。

　　4、結論

　　本文簡單描述了導致組件CTM損失的可能因素，重點分析了造成單晶組件和多晶組件CTM差異的原因。光學損失和B-O復合之間的差異決定了多晶組件的CTM損失要少于單晶組件，對于硼氧復合損失可以想辦法改善，但對于光學損失的差異，針對單晶沒有更好的解決方法。