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電子發燒友網 > 設計技術 > 應用案例

32款emc設計標準電路設計方案

01 AC24V接口EMC設計標準電路 02 AC110V-220VEMC設計標準電路 03 AC380V接口EMC設計標準電路 04 AV接口EMC設計標準電路

2023-08-02 關鍵字: 以太網usb無源晶振CANemc

穩壓二極管的工作原理和穩壓二極管經典電路

穩壓管正常工作時處于反向擊穿狀態,該區間是可恢復的。不要誤以為看到擊穿兩個字就認為是器件損壞了。穩壓管也屬于二極管的一種,二極管相當一個PN結,就是利用PN結的特性而制作的。

電烙鐵焊錫有毒嗎?電烙鐵焊PCB真的有毒?

有網友吐槽稱,他在PCB工廠用電烙鐵焊錫一年整了,都感覺到身體開始不舒服了,腹部有點脹,焊錫有毒嗎?是不是會鉛中毒。

2023-08-01 關鍵字: pcb電烙鐵神經系統PCB焊接

如何使用全波矩量法(MoM)技術分析天線步驟

以RFID標簽為例,本文介紹利用 Camera Calibrator (Computer Vision System Toolbox) 和 Image Segmenter (Image Processing Toolbox) 進行照片構建和分析天線的工作流程(圖1),包括分割圖像、找到幾何邊界、校準天線尺寸以及使用全波矩量法(MoM)技術分析天線等步驟。

2023-08-01 關鍵字: RFID天線射頻識別RF系統

便攜電源如何向上突破?向上突破后的優勢有哪些?

目前的便攜電源單體,普遍在2kWh以下,而目前戶用儲能主流配置在10kWh及以上。

我們離不開的電源管理IC芯片基礎知識科普

談到芯片,出現在腦海里的是“高精尖”,是一條條電路,是一個個信號,是“0”和“1”……如今芯片已經參與到了我們生活的方方面面,凡是有電的地方,就離不開芯片。

電源緩啟動電路作用 MOS管為什么需要電源緩啟動

R2/R1和C1:實現防抖動延時功能,R1給C1提供快速放電通道;R1/R2分壓值大于D3的穩壓值;R2選20K歐姆,R1選10K,C1選4.7uF左右(具體根據濾波時長要求)。

浪涌與雪崩高魯棒性氧化鎵功率二極管

反向雪崩擊穿和正向浪涌魯棒性是半導體功率器件在高電場和大電流密度等極端條件下非平衡載流子動力學的基本特征,也是所有元器件在電動汽車、軌道交通、電網和新能源等實際應用場景中承受瞬態過壓(Overvoltage)、過流(Overcurrent)等應力沖擊的先決條件。

用于高速開關應用的1200V EasyDUAL? CoolS...

增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC,并有使用預涂的熱界面材料(TIM)版本。

深度解析雷電浪涌和過壓保護電路設計(應用實例)

這兩種類型的雷電電流波用于定義SPD的測試(IEC標準61643-11)和設備對雷電電流的抗擾性。電流波的峰值表征雷擊的強度。

關于連接器的使用要求錯誤的有

線對板連接器產品主要應用領域包括電子設備、電器和軍工領域。

2023-07-28 關鍵字: PCB板印刷電路板連接器接觸器

開發出絕對零膨脹電池材料,10C循環17000圈容量保持91...

超長壽命(至少 10 000 次循環)鋰離子電池對于固定儲能應用非常有效。然而,由于晶內應變/應力會逐漸累積,即使是單位電池體積變化小于 1% 的 "零應變 "材料也無法維持超長循環。

日志結構存儲下數據放置的方法淺析

日志結構存儲在當今存儲系統中被廣泛使用,然而其中的垃圾回收會將有效數據重新寫入導致寫放大現象。

2023-07-28 關鍵字: 存儲器

雙石墨烯:一種有前途的超高比容量鋰離子電池負極材料

 鋰離子電池長期以來一直是儲能的重點。本文,西安建筑大學Shuli Gao、陳長城 副教授等在《J. Phys. Chem. C》期刊發表名為“Twin-Graphene: A Promising Anode Material for Lithium-Ion Batteries with Ultrahigh Specific Capacity”的論文,研究采用第一性原理密度泛函理論方法研究了碳衍生結構作為鋰離子電池負極的潛在應用。

2023-07-28 關鍵字: 鋰離子電池電池充電開路電壓

USB PD快充接口浪涌靜電保護選用什么型號的TVS二極管呢...

USB Power Delivery ,簡稱USB PD,是由USB-IF組織制定的一種快速充電規范,目前主流的快充協議之一。

設計醫療PCB面臨著一些挑戰 醫療PCB技術的新興趨勢

隨著醫療行業對高質量醫療PCB的需求不斷增長,制造醫療PCB面臨著一系列挑戰。

氧化鎵異質集成和異質結功率晶體管研究

超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導體具有臨界擊穿場強高和可實現大尺寸單晶襯底等優勢, 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應用前景。

淺談雷達技術的幾個發展趨勢

氮化鎵(GaN)被認為是自硅以來影響最大的半導體創新產品,該材料能夠在比傳統半導體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率,因此基于GaN的RF功率放大器和衰減器具有更低的功耗,且產生熱量更少。隨著越來越多使用GaN的RF元件供應商為市場提供適用于生產的可靠產品,基于GaN的放大器日益普及。

直流有刷電機EMC抑制措施

S和N為永磁體,此時線圈在磁場中受力的作用沿順時針方向轉動,由于換向器的存在,在線圈轉動180°后線圈的電流依舊是左邊流入右邊流出,線圈保持沿順時針方向轉動。

高靈敏度數字雙極霍爾效應傳感器-SC2402介紹

SC2402 是一種采用混合信號 BiCMOS技術設計的霍爾效應鎖存器。

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