PN結(jié)及其特性詳細(xì)介紹
1. PN結(jié)的形成
在一塊本征半導(dǎo)體在兩側(cè)通
2009-11-09 16:09:07
32065 
PN結(jié)的單向?qū)щ娦?
P端接電源的正極，N端接電源的負(fù)極稱之為PN結(jié)正偏
2009-11-12 10:24:067422 硅管和鍺管在特性上有很大不同，使用時(shí)應(yīng)加以區(qū)別。我們知道，硅管和鍺管的PN結(jié)正向電阻是不一樣的，即硅管的正向電阻大，鍺管的小。
2011-11-21 11:16:552897 在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中，PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位，其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。
2023-11-24 15:47:533657 
半導(dǎo)體器件有四種基本結(jié)構(gòu)，而PN結(jié)無(wú)疑是最常見(jiàn)，也是最重要的結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 18:22:435419 
上期簡(jiǎn)單描述了下PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu)和耗盡區(qū)的形成過(guò)程，為方便后續(xù)定量研究，還是要從能帶圖入手，先看下平衡PN結(jié)的能帶圖吧，通過(guò)能帶圖，可以獲得PN結(jié)的很多有用的信息。
2023-11-30 18:25:2622014 
—PN結(jié)變寬—漂移運(yùn)動(dòng)>擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)—少子漂移形成極小 的反向電流I—PN結(jié)截止。圖1-7所示為PN結(jié)反向偏置時(shí)的電路圖。(3) PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴．?dāng)PN結(jié)外加正向電壓（正偏），即P區(qū)接高電 位、N區(qū)
2017-07-28 10:12:45
產(chǎn)生電場(chǎng),這電場(chǎng)阻止載流子進(jìn)一步擴(kuò)散 ,達(dá)到平衡.當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時(shí),內(nèi)外電場(chǎng)的方向相同,在外電場(chǎng)的作用下,載流子背離PN結(jié)運(yùn)動(dòng),結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬,耗盡層會(huì)（變寬）變大.PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層將變窄.
2017-04-13 10:09:24
第一章PN結(jié)伏安特性曲線當(dāng)加在二極管兩端的電壓達(dá)到0.7V左右時(shí)，二極管正向導(dǎo)通；當(dāng)反向電壓超過(guò)U（BR）一定值后就會(huì)出現(xiàn)齊納擊穿，當(dāng)反向電壓繼續(xù)增大就會(huì)出現(xiàn)雪崩擊穿。溫度...
2021-11-15 06:43:45
多的空穴，n側(cè)或負(fù)極有過(guò)量的電子。為什么存在pn結(jié)？以及它是如何工作的？什么是p-n結(jié)二極管？I. PN 結(jié)基本型1.1 PN半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體在硅晶體（或鍺晶體）中摻雜了少量的雜質(zhì)磷元素（或銻元素），由于
2023-02-08 15:24:58
PN結(jié)的定義是什么？ 對(duì)于PN結(jié)的定義，首先我們看下來(lái)自于百度百科的內(nèi)容：采用不同的摻雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面
2021-01-15 16:24:54
PN結(jié)的定義是什么？對(duì)于PN結(jié)的定義，首先我們看下來(lái)自于百度百科的內(nèi)容：采用不同的摻雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成
2021-03-16 13:50:45
;推導(dǎo)過(guò)程參見(jiàn)《晶體管原理》。當(dāng)外加反向電壓時(shí) I = Is ， CD趨于零。3、 PN結(jié)電容： PN結(jié)的總電容Cj為CT和CD兩者之和Cj = CT+CD ，外加正向電 壓CD很大
2008-09-10 09:26:16
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
，VF變高，不會(huì)熱失控。但是VF上升，因此具有IFSM（瞬間大電流耐受能力）比Si-FRD低的缺點(diǎn)。SiC-SBD的VF特性改善為提升具有卓越本質(zhì)的SiC-SBD的特性，使之更加易用，開(kāi)發(fā)了VF降低
2018-11-30 11:52:08
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
制作穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管；利用高摻雜pn結(jié)隧道效應(yīng)制作隧道二極管；利用結(jié)電容隨外電壓變化效應(yīng)制作變?nèi)荻O管。使半導(dǎo)體的光電效應(yīng)與pn結(jié)相結(jié)合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質(zhì)結(jié)的載流子注入
2016-11-29 14:52:38
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
正向偏置的pn結(jié)為什么是擴(kuò)散增強(qiáng)漂移減小，pn 結(jié)就會(huì)變窄呢？求詳細(xì)解釋？另外還想請(qǐng)教下漂移具體是什么意思？
2013-07-04 23:39:21
為何能得到大家的青睞？MTC110-16有什么特別之處呢？ MTC110-16參數(shù)描述型號(hào)：MTC110-16品牌：ASEMI封裝：D1特性：可控硅模塊電性參數(shù)：110A 1600V正向電流：110A
2021-08-17 15:27:12
和N型導(dǎo)體組成的四層結(jié)構(gòu)，總共有三個(gè)PN結(jié)。MTC160-16在結(jié)構(gòu)上與只有一個(gè) PN 結(jié)的硅整流二極管有很大不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制電極的引入，為其“以小控大”的優(yōu)良控制特性奠定了基礎(chǔ)。在可控硅
2021-08-28 16:21:16
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
1-3 場(chǎng)板結(jié)構(gòu)示意圖當(dāng)PN結(jié)反偏時(shí)，場(chǎng)板電位相對(duì)P型區(qū)為高電位。若場(chǎng)板下的絕緣介質(zhì)厚度合適，高電位的作用使P型硅表面耗盡，結(jié)耗盡區(qū)擴(kuò)展至場(chǎng)板以下區(qū)域，表面靠近N+P結(jié)位置原有的高電場(chǎng)被分散，并在場(chǎng)板
2019-07-11 13:38:46
伏安特性曲線上升得稍慢一點(diǎn)，如圖1所示。 圖1兩種結(jié)的伏安特性比較 （5）勢(shì)壘高度和正向壓降： 熱平衡時(shí)pn結(jié)和pin結(jié)的勢(shì)壘高度（～內(nèi)建電勢(shì)Vo與電子電荷q的乘積），原則上都由兩邊半導(dǎo)體的Fermi能級(jí)
2013-05-20 10:00:38
區(qū)，進(jìn)入P區(qū)的電子和進(jìn)入N區(qū)的空穴分別成為該區(qū)的少子，因此，在P區(qū)和N區(qū)的少子比無(wú)外加電壓時(shí)多，這些多出來(lái)的少子稱為非平衡少子。在正向電壓作用下，P區(qū)空穴越過(guò)PN結(jié)，在N區(qū)的邊界上進(jìn)行積累，N區(qū)電子
2021-06-15 17:08:31
正向電阻？因?yàn)槲业牡谝桓杏X(jué)是根據(jù)PN結(jié)的情況來(lái)看，應(yīng)該是紅表筆接陽(yáng)極，黑表筆接陰極，這樣我覺(jué)得是正向電阻。2：測(cè)有的二極管，紅表筆接陰極，黑表筆接陽(yáng)極，即PN結(jié)正向，萬(wàn)用表顯示為無(wú)窮大。如果黑表筆接陰極，紅表筆接陽(yáng)極，即PN結(jié)反向，反而有讀數(shù)。這是什么原因啊?在此拜托各位了，幫我解決心中疑惑。
2017-08-25 10:59:34
通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服，二極管正向導(dǎo)通，電流隨電壓增大而迅速上升。增加很快，所以二極管上的壓降，其實(shí)很小，否則由于電流太大，就燒壞了。在正常使用的電流范圍內(nèi)
2022-01-25 10:33:57
肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，僅電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過(guò)電子與空穴（孔）流動(dòng)。SiC
2018-11-29 14:33:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
學(xué)習(xí)pn結(jié)后，一直有個(gè)問(wèn)題困惑我：當(dāng)pn結(jié)外加正向電壓是，削弱了內(nèi)電場(chǎng)，擴(kuò)散大于漂移，那豈不是又進(jìn)一步增強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)，當(dāng)內(nèi)電場(chǎng)慢慢增強(qiáng)后，那不是又重新到達(dá)一個(gè)平衡狀態(tài)，擴(kuò)散等于漂移。怎么會(huì)正向導(dǎo)通呢？望高手指教！謝謝……
2012-12-08 17:44:54
并且無(wú)法移動(dòng)。什么是p型和n型？在硅摻雜中，有兩種類型的雜質(zhì)：n型和p型。在n型摻雜中，砷或磷少量添加到硅中。。..在p型摻雜中，硼或鎵用作摻雜劑。這些元素的外軌道上都有三個(gè)電子。什么是PN結(jié)二極管
2023-02-15 18:08:32
請(qǐng)問(wèn)怎么確定可控硅的結(jié)溫？？？超過(guò)結(jié)溫時(shí)會(huì)有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
具有高電子遷移率，適用于低壓大電流器件，但其溫度特性比硅材料差。PN結(jié)的反向漏電流遠(yuǎn)大于硅材料。因此，硅管必須用于大功率器件和高背壓器件。三極管有兩個(gè)PN結(jié)。就PN結(jié)而言，鍺管的PN結(jié)的正向電壓降低
2023-02-07 15:59:32
?單向?qū)щ娦缘模嵌O管，不是
PN結(jié)！?
真正令
PN結(jié) 導(dǎo)不了電的，關(guān)非 過(guò)不去，而是? 離不開(kāi)及進(jìn)不來(lái)，
交叉對(duì)流無(wú)障礙，背道而馳不允許，所以，當(dāng)
PN結(jié)成了集電結(jié)，單向?qū)щ娦跃捅淮蚱屏恕?/div>
2024-02-25 08:57:14
晶體管發(fā)射極結(jié)間的正向壓差越大電流是越小吧
2016-01-19 22:27:49
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
` 一、硅肖特基二極管的特點(diǎn) 硅肖特基二極管早已有之。它是一種金屬與半導(dǎo)體硅接觸的肖特基二極管，由于它的這種特殊結(jié)構(gòu)，使其具有如下不同尋常的特性： 硅肖特基二極管比PN結(jié)器件的行為特性更像一個(gè)
2019-01-11 13:42:03
穩(wěn)壓二極管特點(diǎn)穩(wěn)壓二極管，利用的是PN結(jié)的反向特性，其特性與PN結(jié)的反向曲線相同。二極管的正向導(dǎo)通有壓降，但是為什么不用正向導(dǎo)通做穩(wěn)壓呢？因?yàn)殒N管或者硅管的正向導(dǎo)通電壓基本是定死的，但是在實(shí)際使用
2021-11-15 09:07:09
電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過(guò)電子與空穴（孔）流動(dòng)。SiC-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不僅擁有優(yōu)異的高速性且實(shí)現(xiàn)了高耐壓
2019-07-10 04:20:13
原理和PN結(jié)整流管有很大區(qū)別，PN結(jié)整流管被稱作結(jié)整流管，而金屬-半導(dǎo)體整流管叫做肖特基整流管。肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，正向導(dǎo)通門限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低特點(diǎn)：開(kāi)關(guān)頻率高，正向壓降低
2021-11-15 06:47:36
肖特基二極管正向壓降變大，達(dá)到2.2V左右，正向電阻比正常的大，達(dá)到8.7K左右，導(dǎo)致電源供電不正常
2015-11-30 23:03:26
），這時(shí)候稱為正向壓降。 當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)能輻射出可見(jiàn)光，PN結(jié)摻雜不同的化合物發(fā)出的光也不同，比如說(shuō)鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等。然后加上引腳，用環(huán)氧樹(shù)脂封裝起來(lái)，通上正向電壓
2023-03-03 17:11:13
請(qǐng)問(wèn),制作PN結(jié)一般在硅的哪個(gè)晶面上?cznwl@163.com,謝謝!
2014-01-02 19:24:51
電壓。小電流硅二極管的正向壓降在中等電流水平下，約0.6~0.8 V;鍺二極管約0.2~0.3 V。大功率的硅二極管的正向壓降往往達(dá)到1V。更多的人則了解PN結(jié)的伏安特性，即PN結(jié)壓降與正向電流關(guān)系呈對(duì)數(shù)關(guān)系
2019-10-12 15:12:19
PN結(jié)的形成及特性一、 PN結(jié)的形成 二、 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?三、 PN結(jié)的電流方程 四、 PN結(jié)的伏安特性 五、 PN結(jié)的電容效應(yīng)
2008-07-14 14:09:29
0 pn結(jié)學(xué)習(xí)課程:、pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布在一塊n型（或p型）半導(dǎo)體單晶上，用適當(dāng)?shù)墓に嚪椒ǎㄈ纾汉辖鸱āU(kuò)散法、生長(zhǎng)法、離子注入法等）把p型（或n型）雜質(zhì)摻入其中，使這塊
2009-11-24 17:53:0938 圖一 PN結(jié)物理特性的測(cè)量實(shí)驗(yàn)裝置全圖
伏安特性是PN結(jié)的基本特性，測(cè)量PN結(jié)的擴(kuò)散電流與PN結(jié)電壓之間的關(guān)系，可以驗(yàn)證它們遵守波爾茲曼分布，并進(jìn)而求出波爾茲曼常數(shù)
2010-07-17 08:49:4731 1．正偏p-n結(jié)的能帶(P+,N-)2．正偏時(shí)載流子的運(yùn)動(dòng)和電流成分 3．正偏下的電流密度 4．反偏時(shí)的p-n結(jié)(P－,N＋) 6. 理想pn結(jié)模型四、pn結(jié)電容低頻，pn結(jié)有整流作用；高
2010-07-17 08:58:1013 伏安特性是PN 結(jié)的基本特性，測(cè)量PN 結(jié)的擴(kuò)散電流與PN 結(jié)電壓之間的關(guān)系，可以驗(yàn)證它們遵守波爾茲曼分布，并進(jìn)而求出波爾茲曼常數(shù)的值．PN 結(jié)的擴(kuò)散電流很小，為10-6～10-8
2010-07-17 10:00:5130 硅管和鍺管在特性上有很大不同，使用時(shí)應(yīng)加以區(qū)別。我們知道，硅管和鍺管的PN結(jié)正向
2006-04-17 21:40:4415812 pn結(jié)工作原理
1.2.1 PN結(jié)的形成 在一塊本征半導(dǎo)體的兩側(cè)通過(guò)擴(kuò)散不同的雜質(zhì),分別形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體
2008-08-30 21:09:2161483 
PN結(jié)的擊穿特性：
當(dāng)反向電壓增大到一定值時(shí)，PN結(jié)的反向電流將隨反向電壓的增加而急劇增 加，這種現(xiàn)象稱為PN
2008-09-10 09:26:0414470 
PN結(jié)的構(gòu)成
把一塊半導(dǎo)體硅片或鍺片，通過(guò)一定的工藝方法.一邊做成P型半導(dǎo)體，另一邊做成N型半導(dǎo)體，在兩者交界處就會(huì)形成一個(gè)薄層，這個(gè)薄層就是PN 結(jié).如圖14-2 (a) 所
2009-08-22 15:22:033473 PN結(jié),PN結(jié)是什么意思?ＰＮ結(jié)的形成
（1）當(dāng)Ｐ型半導(dǎo)體和Ｎ型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，由于交界面處存在載流子濃度的差異，這樣電子和空穴都要從濃度高
2010-02-26 11:33:3533101 pn結(jié)原理是什么
1.2.1 PN結(jié)的形成 在一塊本征半導(dǎo)體的兩側(cè)通過(guò)擴(kuò)散不同的雜質(zhì),分別形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。此時(shí)將在N型
2010-02-26 11:36:454127 pn結(jié)的形成/多晶硅中PN結(jié)是怎樣形成的？
PN結(jié)及其形成過(guò)程 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中， 正負(fù)電荷數(shù)是相等的，它們的作用相互抵消
2010-02-26 11:40:455606 PN結(jié)的形成及應(yīng)用電路
1．ＰＮ結(jié)的形成
2010-04-20 14:30:143677 文摘：論述了PN結(jié)光伏理論,指出了硅太陽(yáng)電池旁路電阻的簡(jiǎn)便測(cè)量一文中關(guān)于光伏理論的修正和 測(cè)量旁路電阻的新方法的不妥和錯(cuò)誤之處。 關(guān)鍵詞:PN結(jié),光伏理論,硅太陽(yáng)電池,旁路電阻測(cè)量方法
2011-02-23 16:28:3774 PN結(jié)的電容效應(yīng)限制了二極管三極管的最高工作效率，PN結(jié)的電容效應(yīng)將導(dǎo)致反向時(shí)交流信號(hào)可以部分通過(guò)PN結(jié)，頻率越高則通過(guò)越多。
2018-01-22 09:05:4647852 
PN結(jié)加
正向電壓時(shí)，可以有較大的
正向擴(kuò)散電流，即呈現(xiàn)低電阻， 我們稱
PN結(jié)導(dǎo)通；
PN結(jié)加反向電壓時(shí)，只有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)
高電阻， 我們稱
PN結(jié)截止。 這就是
PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?/div>
2018-01-22 18:57:0315600 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是微電子器件設(shè)計(jì)課件之PN結(jié)，平衡態(tài)PN的詳細(xì)資料和公式詳細(xì)說(shuō)明概述。
平衡態(tài) PN 結(jié)能帶圖及空間電荷區(qū)，理想PN 結(jié)的伏安特性，實(shí)際PN 結(jié)的特性，PN 結(jié)的擊穿，PN 結(jié)的電容
2018-09-04 08:00:000 PN結(jié)加
正向電壓時(shí)，可以有較大的
正向擴(kuò)散電流，即呈現(xiàn)低電阻，我們稱
PN結(jié)導(dǎo)通；
PN結(jié)加反向電壓時(shí)，只有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)
高電阻，我們稱
PN結(jié)截止。這就是
PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?/div>
2018-09-06 18:03:1318042 本文主要詳細(xì)闡述了pn結(jié)的基本特性是什么，其次介紹了PN結(jié)的擊穿特性、PN結(jié)的單向?qū)щ娦砸约?b class="flag-6" style="color: red">PN結(jié)的電容特性。
2018-09-06 18:09:11108548 pn結(jié)工作原理就是如果將PN結(jié)加正向電壓，即P區(qū)接正極，N區(qū)接負(fù)極，如右圖所示。由于外加電壓的電場(chǎng)方向和PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相反。在外電場(chǎng)的作用下，內(nèi)電場(chǎng)將會(huì)被削弱，使得阻擋層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)因此增強(qiáng)
2018-09-06 18:14:30175276 本文首先介紹了P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，其次介紹了pn結(jié)的形成，最后詳細(xì)的闡述了pn結(jié)的形成原理。
2018-09-06 18:20:4548450 ) 正向偏置———PN 結(jié)低阻導(dǎo)通通常將加在 PN 結(jié)上的電壓稱為偏置電壓。若 PN 結(jié)外加正向電壓 ( P 區(qū)接電源的正極,N 區(qū)接電源的負(fù)極,或 P 區(qū)電位高于 N 區(qū)電位 ) ,稱為正向偏置
2018-10-23 15:14:3268517 
PN結(jié)加
正向電壓時(shí)，可以有較大的
正向擴(kuò)散電流，即呈現(xiàn)低電阻，我們稱
PN結(jié)導(dǎo)通；
PN結(jié)加反向電壓時(shí)，只有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)
高電阻，我們稱
PN結(jié)截止。這就是
PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?/div>
2018-10-27 11:13:0835453 
如果在PN結(jié)的兩端之間施加合適的正電壓（正向偏壓），它可以提供自由電子和空穴，它們需要額外的能量穿過(guò)結(jié)，作為耗盡層的寬度通過(guò)施加負(fù)電壓（反向偏壓）導(dǎo)致自由電荷從結(jié)被拉開(kāi)導(dǎo)致耗盡層寬度增加，因此PN結(jié)周圍的電壓降低。
2019-06-22 09:20:2413708 
PN結(jié)加
正向電壓時(shí)，可以有較大的
正向擴(kuò)散電流，即呈現(xiàn)低電阻， 我們稱
PN結(jié)導(dǎo)通；
PN結(jié)加反向電壓時(shí)，只有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)
高電阻， 我們稱
PN結(jié)截止。 這就是
PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?/div>
2019-09-04 09:15:3621499 
如果PN結(jié)加反向電壓，如右圖所示，此時(shí)，由于外加電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)一致，增強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)，多數(shù)載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)減弱，沒(méi)有正向電流通過(guò)PN結(jié)，只有少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)形成了反向電流。由于少數(shù)載流子為數(shù)很少，故反向電流是很微弱的。
2019-09-04 09:25:2790369 
同一個(gè)半導(dǎo)體一頭做成P型半導(dǎo)體，一頭做成N型半導(dǎo)體，就會(huì)在兩種半導(dǎo)體的交界面處形成一個(gè)特殊的接觸面則成為PN結(jié)。P結(jié)種空穴多點(diǎn)在少，N結(jié)種電子多空穴少。
2019-09-04 09:41:1823846 
二極管具有單向?qū)ǖ奶匦裕?dāng)二極管正向導(dǎo)通時(shí)會(huì)有一定的壓降壓，硅二極管的正向導(dǎo)通壓降壓大約為0.6V~0.8V，鍺二極管的正向導(dǎo)通壓降大約為0.2V~0.3V。有些功率較大的硅二極管正向導(dǎo)通壓降達(dá)1V左右。如果正向導(dǎo)通壓降為0V，應(yīng)該是內(nèi)部擊穿短路了。
2020-02-12 18:38:5351619 什么是PN結(jié)？PN結(jié)是構(gòu)成二極管、三極管及可控硅等許多半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
2020-03-25 15:37:5529903 《漲知識(shí)啦17》---PN結(jié)的熱效應(yīng) 在前面的PN結(jié)系列中我們提到過(guò)理想PN結(jié)的I-V曲線可用如下數(shù)學(xué)式表達(dá)，本周《漲知識(shí)啦》將繼續(xù)給大家介紹PN結(jié)系列一些基礎(chǔ)知識(shí)PN結(jié)的熱效應(yīng)。 PN結(jié)的正向電壓
2020-07-07 10:31:173824 
當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓|vD|小于擊穿電壓（VBR）時(shí)，iD≈–IS。IS很小且隨溫度變化。當(dāng)反向電壓的絕對(duì)值達(dá)到|VBR|后，反向電流會(huì)突然增大，此時(shí)PN結(jié)處于“反向擊穿”狀態(tài)。發(fā)生反向擊穿時(shí)，在反向電流很大的變化范圍內(nèi)，PN結(jié)兩端電壓幾乎不變。
2020-08-27 16:28:2727100 
PN結(jié)的基本原理及教程
2022-01-04 09:32:020 PN結(jié)的形成動(dòng)畫(huà)
2022-08-17 14:46:2615 為啥說(shuō)PN結(jié)是基礎(chǔ)呢?
2022-09-15 10:22:006112 半導(dǎo)體可以摻雜其他材料，變成p型或n型。pn結(jié)二極管可以是正向偏置或反向偏置。led是產(chǎn)生光子的正向偏壓二極管。太陽(yáng)能電池是吸收光子的pn結(jié)，給電子足夠的能量進(jìn)入導(dǎo)帶。
2023-06-30 09:51:364876 
單相可控硅的結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單。它主要由PN結(jié)和操控結(jié)構(gòu)組成。PN結(jié)為正向導(dǎo)通，在正半周的情況下，直流主路通過(guò)PN結(jié)，實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載電流的控制。操控結(jié)構(gòu)通常由火焰延遲管（FC）或晶閘管控制電路組成，可以對(duì)PN結(jié)的控制進(jìn)行全波、半波或直流控制。
2023-08-26 11:43:493044 簡(jiǎn)述pn結(jié)的三種擊穿機(jī)理? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)之一，它由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體材料組成。在正向偏壓下，PN結(jié)會(huì)工作在正常的導(dǎo)電狀態(tài)，而在反向偏壓下，PN結(jié)則會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這是PN結(jié)
2023-09-13 15:09:188556 等方式制成的。它的結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)出一個(gè)正面為p型半導(dǎo)體、反面為n型半導(dǎo)體的錐形結(jié)構(gòu)，形成兩側(cè)電平的依靠。 PN結(jié)的基本特性包括正向電流、反向電流和擊穿電壓等。在正向電壓下，電子從n型區(qū)域流入p型區(qū)域，空穴則從p型區(qū)域流向n型區(qū)域，因此
2023-09-13 15:09:209084 PN結(jié)的反向擊穿電壓是多少？二極管三極管和穩(wěn)壓管是否一樣呢？ PN結(jié)的反向擊穿電壓 PN結(jié)是一種基本的半導(dǎo)體元件，在電子學(xué)中應(yīng)用廣泛。PN結(jié)的主要特點(diǎn)是它具有單向?qū)щ娦浴Ｔ?b class="flag-6" style="color: red">正向偏置狀態(tài)下，PN結(jié)可以
2023-09-13 15:09:265158 ，它可以用于描述PN結(jié)在什么條件下發(fā)生導(dǎo)通。本文將詳細(xì)介紹PN結(jié)導(dǎo)通電壓的概念，以及影響PN結(jié)導(dǎo)通電壓的因素。 PN結(jié)導(dǎo)通電壓的概念 PN結(jié)導(dǎo)通電壓也稱為正向偏壓，是指在PN結(jié)中向p端施加正向電壓的情況下，當(dāng)正向電壓超過(guò)PN結(jié)中的壘高時(shí)，PN結(jié)
2023-09-13 15:09:298514 PN結(jié)加正向電壓時(shí),空間電荷區(qū)將變窄是因?yàn)椋?*PN結(jié)外加正向電壓，此時(shí)外電場(chǎng)將多數(shù)載流子推向空間電荷區(qū)，使其變窄，削弱了內(nèi)電場(chǎng)
2023-10-18 17:38:5812061 
pn結(jié)的電容效應(yīng) 為什么在pn結(jié)間加入i層可以減小結(jié)電容？ PN結(jié)是一種半導(dǎo)體器件，其中P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體間由弱耗盡區(qū)隔離。這種器件有許多應(yīng)用，例如光電探測(cè)器、太陽(yáng)能電池、場(chǎng)效應(yīng)晶體管和整流器等
2023-10-19 16:42:492761 為什么加正向電壓PN結(jié)變薄,加反向會(huì)變厚呢？ PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本和最常用的一種器件，具有正向導(dǎo)通和反向截止的特性。如果將PN結(jié)的兩端施加正向電壓，電子從N型區(qū)流向P型區(qū)，空穴從P型區(qū)流向N型
2023-10-19 16:42:525055 PN結(jié)加反向電壓引起反向電流增大的主要原因是什么？ PN結(jié)是一種極其重要的電子器件，其作用在于可以控制電流的流動(dòng)方向及大小。在PN結(jié)中，當(dāng)外加正向電壓時(shí)，電子從N區(qū)向P區(qū)擴(kuò)散，空穴從P區(qū)向N區(qū)擴(kuò)散
2023-10-19 16:42:555320 二極管若加很大的正向電壓，PN結(jié)會(huì)不會(huì)損壞？ 二極管是一種基本的半導(dǎo)體器件，它是由一個(gè)p型半導(dǎo)體和一個(gè)n型半導(dǎo)體組成的，中間有一個(gè)PN結(jié)，二極管是具有單向?qū)щ娦缘碾娮釉?dāng)施加的電壓為正向電壓
2023-10-19 16:53:202702 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《pn結(jié)工作原理.zip》資料免費(fèi)下載
2023-11-20 14:39:413 【科普小貼士】什么是pn結(jié)？
2023-12-13 15:06:074821 
SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:551297 
何謂PN結(jié)的擊穿特性？雪崩擊穿和齊納擊穿各有何特點(diǎn)？ PN結(jié)的擊穿特性是指當(dāng)在PN結(jié)上施加的電壓超過(guò)一定的值時(shí)，PN結(jié)將發(fā)生擊穿現(xiàn)象，電流迅速增大，導(dǎo)致結(jié)電壓快速降低。擊穿是指在正向或反向電壓
2023-11-24 14:20:275306 PN結(jié)是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成，這兩種半導(dǎo)體材料具有不同的摻雜濃度，形成一個(gè)正負(fù)載流的結(jié)構(gòu)。當(dāng)在PN結(jié)上施加正向電壓時(shí)，會(huì)引起空間電荷效應(yīng)，即在PN結(jié)區(qū)域形成帶電區(qū)
2024-03-01 11:14:594656 PN結(jié)是半導(dǎo)體物理中的一個(gè)基本概念，它是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接觸形成的界面區(qū)域。
2024-05-27 16:54:543068 PN結(jié)正向偏置和反向偏置是半導(dǎo)體器件（如二極管、晶體管等）中非常重要的兩種工作狀態(tài)，它們的工作原理基于PN結(jié)獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì)。以下將詳細(xì)闡述PN結(jié)正向偏置和反向偏置的原理，并結(jié)合相關(guān)數(shù)字和信息進(jìn)行說(shuō)明。
2024-07-25 11:28:2315302 PN結(jié)的反向擊穿是半導(dǎo)體物理學(xué)中的一個(gè)重要概念，它指的是在PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)時(shí)，當(dāng)外加的反向電壓增加到一定程度時(shí)，PN結(jié)的電流會(huì)突然激增，這種現(xiàn)象稱為PN結(jié)的反向擊穿。反向擊穿是PN結(jié)在特定條件
2024-07-25 11:48:3411015 摻雜對(duì)PN結(jié)伏安特性的影響是半導(dǎo)體物理學(xué)中的一個(gè)重要議題。PN結(jié)作為半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，其性能在很大程度上取決于摻雜濃度、摻雜類型以及摻雜分布等因素。以下將詳細(xì)探討摻雜對(duì)PN結(jié)伏安特性的影響，包括正向特性、反向特性以及擊穿特性等方面。
2024-07-25 14:27:145465 硅二極管的正向壓降是指在二極管導(dǎo)通時(shí)，其兩端的電壓差。這個(gè)值對(duì)于硅二極管來(lái)說(shuō)通常在0.6V到0.7V之間，但這個(gè)值會(huì)受到溫度、電流和制造工藝等因素的影響。 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ) 要理解硅二極管的正向壓降
2024-10-14 15:48:535632 已全部加載完成
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