今天我就要開始學習雙極型晶體三極管，因為有兩個極性相反的載流子。一個自由電子、一個空穴，我們又簡稱“三極管”。

一、三極管的結構與類型

三極管也是通過一定的工藝加工出來的。有NPN型和PNP型兩種。那個箭頭方向就是發射結正偏的電流方向。看圖：

1、我們主要介紹NPN型的，以下的一些結論與原理在PNP里是同樣適用的。

三個區：發射區、基區、集電區；

三個電極：發射極（e）、基極（b）、集電極（c）；

兩個結：發射結（發射區與基區交界）、集電結（基區與集電區交界）。

2、三極管是實現電流的控制和放大作用的，但是也得滿足以下幾點：

①基區的摻雜濃度很低，也很薄，一般只有幾微米那么厚；

②發射區與集電區都是N型，但是發射區濃度比集電區大得多得多，有足夠多的自由電子；

③集電區面積大，發射區面積小。

顧名思義，發射區發射區，通上電后，自由電子大量的向集電區運動，面積就做的小一點不占用大部分結構，而集電區就像一個籠子一樣，嘩啦啦收集來自發射區的自由電子，雜質濃度低，而且面積做大一點，我收集的快。

3、三極管的三種連接方式：（一個電極輸入、一個電極輸出、一個作為公共端）

①共發射極連接：基極作為輸入端，集電極作為輸出端；

②共集電極連接：基極作為輸入端，發射極作為輸出端；

③共基極連接：發射極作為輸入端，集電極作為輸出端。

二、放大狀態原理分析

上面說到放大作用放大作用，那到底怎么放大的呢？

別著急，小編這就為你一一詳細講述。
放大狀態，得滿足：發射結正偏UBE>0、集電結反偏UBC<0。

圖來自嗶站鄭益慧老師網課視頻，小編截的圖（侵刪）

1、b、e極之間加正向電壓，就是發射結正偏，就會促進多子擴散，發射區的多子“自由電子”向基區擴散，形成一個電流，我們叫“電子注入電流IEN”。

同時，基區的多子“空穴”也向N區擴散，形成一個電流，我們叫“空穴注入電流IEP”。

但是，電子注入電流比空穴注入電流大得多的多，IEN>>IEP，所以，電流IE我們就用IE=IEN來表示了。

2、我們再看基區，從發射區跑過來的自由電子很少的一部分會與基區的空穴復合或者說結合了。假如100自由電子里，2個給了復合，剩下的98個都給了集電區。

因為UBE>0，外加的正電場，會拉走基區的電子產生空穴，來給那自由電子復合，就是剛剛說的那2個被復合的空穴，就是這樣，產生了“基區復合電流IBN”，這個是基極電流的主要成分。

3、就差集電區了。集電結UBC<0，反偏，促進少子擴散。從發射區跑到基區的電子隨距離形成濃度差，正好基區自由電子是少子，這些跑過來的電子就趁著這個機會跑到集電區，那98個都跑過去了，形成的電流我們叫“收集電流ICN”，這是IC的主要部分，自然的，集電區與基區電流出現了比例關系98/2。

但是呢，集電區也有少子空穴呀，它和基區本身少子電子的漂移形成電流，“集電結反向飽和電流ICBO”。

我們通過圖可以發現這幾個電流關系：

基極電流：IB=IBN-ICBO；

集電極電流：IC=ICN+ICBO；

發射極電流：IE=IC+IB。

還有一個ICEO，“穿透電流”。是IB=0時，集電極仍然接電源時，三極管從上到下導通的一個微弱電流。