1.晶體管是什么？

晶體管是一種三層器件，由三個PN結構構成。PN結是由不同材料的半導體單元（P型材料和N型材料）焊接在一起形成的一個結，它有兩個區域，一個是P區，一個是N區，P區和N區之間形成了空間電荷區，筑起一道屏障，把兩邊的自由載流子分開，因此，在PN結形成的空間電荷區內沒有載流子流動，也即空間電荷區在兩邊阻攔了自由載流子的運動，起到了開關的作用，這種開關就被稱為晶體管。

2.場效應管是什么？

場效應管又叫做MOSFET，它是一種基于電場效應控制的半導體晶體管。場效應管由源、柵和漏出三個區域組成，其中柵由金屬或多晶硅構成，被氧化層隔離，因此柵極沒有連通的電路。柵極和漏出區域之間存在一個絕緣薄膜，與普通三層晶體管不同的是，場效應管的控制信號是電場，而不是電流。

3.晶體管和場效應管的工作原理

晶體管的工作原理是，輸入信號會激發出一些少量載流子，這些載流子會受到電場的作用而在PN結內的空間電荷區移動，帶動更多的載流子進行集電流，從而形成電流放大的效果，最終在輸出端輸出控制信號的增強版。

場效應管的工作原理和開關一樣，控制信號是由柵極和通道之間的電場構成，當柵極給定的電壓足夠大時，會在源和漏極之間產生一個電場，使得電子得到加速從而形成在通道內形成導電，進而使得漏出端流過電流。

4.晶體管和場效應管的區別

晶體管和場效應管在結構上和工作原理上都有非常大的不同。晶體管是三極管，由P、N、P三極管構成；場效應管屬于四極管，由源、柵和漏出三極結構加上氧化膜管制。在一些電路中，晶體管更常被用作放大器的任務而場效應管則被用來代替雙極晶體管在開關電路中被使用。

另外，晶體管的性能受到溫度的影響非常大，在高溫下性能會大幅降低；而場效應管的性能穩定，更適合高溫環境中的使用。

在響應速度方面，晶體管具有優勢，響應時間通常在納秒級別；而場效應管的響應時間較長，但適用范圍更廣。

總之，晶體管和場效應管都是非常重要的半導體器件，根據具體的應用場合選擇合適的器件是非常重要的。