今天我們來了解一下場效應管，英文名叫Filed Effect Transistor ，簡稱FET，也是一種具有PN結的半導體器件。

場效應管（FET）分為：結型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（IGFET）。

絕緣柵型的又分：耗盡型和增強型。

而且，場效應管的導電溝道有N溝道和P溝道，所以一共分了六種場效應管。

場效應管是利用輸入電壓產生的電場，來控制輸出電流，所以叫“電壓控制型器件”。 它在工作過程中，起主要導電作用的載流子只有一種，即“多數載流子”，故場效應管又被稱為“單極型晶體管”，前面介紹的三極管是雙極型的。

之后都主要以N溝道為例，為大家分享場效應管的相關知識。

一、N、P溝道結型場效應管的結構圖

電極：G（柵極）、D（漏極）、S（源極）。

P與N之間紅色區域的是耗盡層，就是最前面學習的PN結，有P和N的地方躲不掉，PN結有。

N、P溝道的P+區域與N+區域的摻雜濃度是比較高的，而且，圖形符號，也就是電路符號，電極G上的箭頭方向其實就是PN結的方向。

二、N溝道結型場效應管的工作原理

在這之前，先介紹一個電壓參數UGS(off)，這是一個負值，就是加在G和S之間的電壓，我們前面利用學過PN結知識可以知道，PN結加上反向電壓，其內電場就會變寬，在這里也就是耗盡層變寬，而且這個電壓值恰好使得左右兩個耗盡層相連接，這就是UGS(off)。

1、當我們在G和S外加電壓| UGS|<| UGS(off)|時，兩個耗盡層還沒有相交，中間還有N型半導體N溝道在，可以導電，這個時候，N溝道越寬，其電阻越小； 反之N溝道越窄，電阻越大。

2、當我們在D和S之間加電壓時，看看會怎么樣。 D和S極其實都是一樣的，可以互換。

①UDS=0時，漏極電流ID=0；

②UDS<| UGS(off)|時，我們看下面的圖，從D極往下，電勢是逐漸降低的，所以兩邊的耗盡層的寬度是從上到下逐漸變窄的，導致N溝道的寬度，從上到下是逐漸變寬的。

這個時候，ID是隨著UDS增大而增大的。

③當UDS=| UGS(off)|，最上面D極附近，兩耗盡層開始相遇，稱“預夾斷”，這個時候UDS增大的話，夾斷的范圍就開始從上到下逐漸變大。

只要出現夾斷了，ID基本上就不再變化了，因為夾斷導致沒有N溝道可以導通了。

所以，我們畫伏安特性圖的時候，前面一段是電壓變化會影響電流大小的，我們叫“可變電阻區”，后面出現夾斷后，電流不在隨電壓變化，我們叫“恒流區”，也叫“飽和區”。

今天的內容就到這里，我們下期介紹絕緣柵型場效應管。