近年來，受益于下游光伏、儲能和新能源汽車等行業的快速增長，功率器件行業站上了“風口”。隨著我國新興產業產能的高速增長，供需缺口問題越發明顯，國內IGBT下游客戶為保證供應鏈的安全以及自主可控，對國產IGBT產品的接受意愿逐步提高，進而進一步加快了國內行業的發展。

作為國產技術研發和創新先鋒的賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司（以下簡稱：賽晶），目標就是打造出具備國際一流水平的國產IGBT芯片。2023年1月18日，賽晶重磅出擊，舉行線上新產品發布會，正式推出IGBT研發的最新成果：i20系列1700V IGBT芯片組、ST封裝IGBT模塊，受到了業內的廣泛關注。

IGBT再添“扛鼎之作”

IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，被視為電力控制領域的“CPU”，根據其結構特性，適用于較低頻及較高功率的應用。IGBT是目前技術最先進、應用最廣泛的功率半導體器件之一，是眾多國家重點發展的新興技術領域的關鍵性基礎元器件。

作為中國本土企業，賽晶以自研IGBT技術為主要攻克方向。已經量產的賽晶i20芯片，達到和超越國外競品的綜合性能，并通過了市場主流新能源汽車廠家的測試驗證，已經開始大批量交付芯片給客戶使用。

眾所周知，1700V是IGBT的主流電壓等級之一，廣泛應用于風力發電、無功補償（SVG）、智能電網，以及中高壓變頻器等領域。本次推出的賽晶i20系列1700V IGBT芯片組，基于經典的溝槽柵及場截止芯片結構，并采用了窄臺面、優化N-型增強層、短溝道、3D結構、優化P+層等多項行業前沿理念的優化設計，具有大功率、低損耗、高可靠性等卓越的芯片性能，代表了國內同類芯片技術的最高水平。

打造精品國產IGBT模塊

已經發布的首款IGBT模塊（ED封裝IGBT模塊），目前已經向電動汽車、新能源發電、工控等領域的多家行業領先客戶批量供貨，并以卓越的性能和表現廣受好評。

本次發布會上，賽晶發布了第二款工業級模塊產品—ST封裝IGBT模塊。該模塊，采用行業標準外形設計（62mm），具有極佳的通用性，是工業級IGBT模塊中的主流型號之一。特別是在光伏發電、低壓變頻器、UPS電源、電機驅動、數控機床等領域，ST封裝IGBT模塊具有廣泛的市場需求。

此外，ST封裝IGBT模塊，采用優化布局、三維信號傳輸等創新設計（已申請專利）實現了出色的模塊性能：同類產品中最低的內部熱阻、連接阻抗、內部雜散電感等。ST封裝IGBT模塊，是賽晶打造精品國產IGBT模塊戰略的最新成果。

加速國產代替進口的進程

在下游行業中，不管是變頻器、變流器，還是逆變器，以及其它光伏、風電、電動汽車、高鐵以及家用變頻電器產品，都離不開IGBT器件，而近年來，光伏發電、風力發電發展快速，汽車電氣化前景光明，但核心功率器件IGBT主要仍是依賴進口。

隨著全球制造業逐步向中國轉移，中國已逐漸成為全球最大的IGBT市場。根據海關公布的進口數據，我國有95%的高端IGBT芯片需要依賴進口，主要集中在日德等IGBT企業，幾乎壟斷了國內超過90%的高端IGBT市場。也就是說，中國是IGBT最大的需求市場，但并不是IGBT的供給市場，IGBT國產化需求刻不容緩。

近幾年，國內芯片企業加快發展，憑借為客戶提供更好服務、價格優勢等快速占據了部分市場。以光伏領域為例，2020年IGBT的國產化率幾乎為0，2021年國內逆變器廠商開始大量導入本土IGBT單管供應商及少數IGBT模塊供應商，并于2022年開始放量采購。2022年2月，賽晶自主研發的ED封裝IGBT模塊取得突破，與國內光伏行業的某知名企業正式簽訂框架采購框架協議，包含用于其集中式光伏逆變器等產品的數萬只ED封裝IGBT模塊。

賽晶的模塊并非簡單的模仿國外主流產品設計，而是建立在對技術深刻理解基礎上。從芯片到模塊開發，賽晶做到了完全自研，擁有眾多專利，形成了自有的一套體系，這也是賽晶領先于國內同行的優勢所在。此次賽晶推出的兩款IGBT新品，也將進一步推進國產代替進口的進程。

我們看到，賽晶在IGBT領域積極擴展自身優勢的同時，還在不斷前行。我們透過賽晶可以看到國產IGBT正在飛速發展，國產替代的曙光也在一步步變得更加明亮。

車規級SiC模塊不日到來

本次發布會的另一大亮點是賽晶正在研發中的兩款車規級SiC模塊：HEEV封裝和EVD封裝SiC MOSFET模塊。HEEV封裝的創新設計，能最大限度的發揮SiC模塊的出色性能。EVD封裝將推出SiC MOSFET和Si IGBT兩個版本，可以滿足汽車市場不同需求。目前，兩款模塊的研發進展順利，并已進入研發的尾聲階段。

伴隨著行業景氣度的好轉和政策的推動，功率半導體企業將面臨更加廣闊的市場機遇，當下各企業都在摩拳擦掌，推出具有競爭力的產品和技術。賽晶以業內頂級技術專家團隊為核心，致力于打造國產精品IGBT、SiC產品；以國內稀缺、國際領先的芯片技術，和創新優化、性能卓越的模塊技術，服務于電動汽車、新能源發電、工業控制等國家戰略新興產業。 成立至今，賽晶半導體業務取得了長足的進步和令人欣喜的成績：生產基地拔地而起、全自動智能化生產線穩定運行；i20系列1200V IGBT芯片、ED封裝IGBT模塊批量生產、廣受好評；研發團隊大咖云集、研發成果喜報頻傳。 賽晶表示，展望未來，賽晶將繼續以打造國產IGBT、SiC精品為己任，為新能源產業和廣大客戶提供更多、更好的產品與服務。 當下，功率半導體已站上風口，本土企業迎來自主突圍的拐點。在技術發展以及國內功率半導體廠商的積極響應下，國產替代效應逐步加強，市占率穩步提升。雖然，我國功率半導體還存在一定的技術瓶頸，但伴隨著新興領域的快速發展，功率半導體需求將持續增長，未來功率器件國產化仍存在很大的提升空間。

編輯：黃飛

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