本次要介紹的對策是通過增加降噪電路或增加部件來降低噪聲的三個方法。

增加緩沖電路

增加緩沖電路是降低噪聲的常用手法。本文中采用在輸出端增加緩沖電路，其實在輸入端也可以增加。在本例中，通過在開關節點增加RC，起到將開關引發的高頻振鈴引到GND的作用。

但是，增加緩沖電路會產生損耗。為了增加效果而提高電容器的容值的話，電阻需要能夠容許其功率。下面為緩沖電路損耗的公式和計算示例。

損耗計算示例）緩沖電阻10Ω、緩沖電容1000pF、輸入電壓12V、振蕩頻率1MHz時的

電阻容許損耗

1000pF × 122 × 1MHz ＝ 0.144W ? 電阻的額定功率需要在MCR18（3216）：0.25W以上

在自舉電路插入電阻

在高邊開關使用Nch MOSFET的IC中，有BOOT引腳（不同的IC其名稱可能不同）。它具有將輸出電壓供給自舉電路（多內置于IC中），并為高邊MOSFET提供足夠的柵極驅動電壓的功能。由于BOOT引腳連接于開關節點，因此通過在這里插入電阻，可減緩高邊MOSFET導通時的上升速度，從而可抑制開關導通時的噪聲。缺點是開關時間變慢，使MOSFET的開關損耗會增加。

在高邊MOSFET的柵極插入電阻

這是通過在高邊MOSFET的柵極驅動器和柵極間插入電阻，來限制柵極電荷，使高邊MOSFET的上升和下降平緩（俗話也稱“鈍化”等），從而降低ON/OFF時噪聲的方法。與在自舉電路增加電阻一樣，MOSFET的開關損耗會增大。但是，這種方法無法用于開關內置型IC。這是只適用于使用了開關外置型控制器IC的結構中的方法。

關鍵要點：

?緩沖電路可減少開關的振鈴，但效果和損耗之間存在權衡（ Trade-off）關系。

?自舉電路增加電阻可減少上升時的噪聲，但MOSFET的開關損耗會增加。

?在柵極插入電阻可降低上升和下降時的噪聲，但MOSFET的損耗會增加。另外，如果是MOSFET內置型的IC則無法插入電阻。