（文章來源：電子工程網）

在分布式系統中，模擬信號在傳感器或負載間來回遠程傳輸。在這類系統中，信號要傳輸很長的距離，噪聲抑制能力成為一個重要考慮因素。噪聲會耦合進信號中，結果使數據遭到破壞，由此產生不良影響。系統需要得到適當的保護，了解預期噪聲的量和性質可以明確需要采取的保護措施，以取消或者至少減少環境干擾水平。

噪聲源或干擾源一般有兩種，根據其耦合進主信號的方式，分為共模噪聲和差模噪聲兩種，如圖1所示。

二者中危害較小是共模噪聲，它會同時耦合到系統GND信號和激勵信號中，這主要是由電纜與真實GND間的偶極天線效應造成的。這種情況不會使信號減弱，因為噪聲同時耦合進兩個通道，而且幅度相似。問題在于，共模噪聲會產生信號失調，使真實GND升高，結果導致兩種不良效應。首先，如果間接折合到真實GND（比如，通過金屬箱保護傳感器時），則可能使負載飽和。其次，可能產生電弧，結果會損壞傳感器。在激勵惠斯登電橋時，共模噪聲尤其麻煩，因為輸出信號需要由控制器進行處理，通常是用到一個儀表放大器，而這種放大器的CMRR有限，結果可能會放大噪聲。

使用低通濾波器（如RC濾波器），或者使用共模扼流圈來過濾輸入信號，可以減少共模噪聲。重要的是，不對稱衰減的共模噪聲會產生差模噪聲。在實際應用中，不對稱衰減的一個例子是低通濾波器；用一個電阻和電容實現截止頻率，但受元件容差影響，兩條線路中的截止頻率不一樣。

第二種，也是最麻煩的噪聲是差模噪聲，這種噪聲是在激勵與系統GND之間耦合的。該噪聲之所以會耦合到信號中，是因為系統GND與充當天線的信號電纜之間存在電流環路。在部分應用中（如化學分析），出于安全考慮，傳感器有時置于獨立于控制器的腔室中。這種設置會導致數十或數百米的電流環路，結果，任何磁通量都可能在信號中導致電流噪聲，從而使數據遭到破壞。為了減少差模噪聲的影響，建立使用鐵氧體材料來過濾高頻輻射信號，在控制器與傳感器之間采用星型連接，同時還要使用屏蔽電纜。

兩種情況下，如果該噪聲足夠大，設備甚至可能會因為電氣過應力而受損。當負載為電機或熒光燈時，尤其如此，這樣的負載構成一種強大的電磁兼容性/干擾(EMC/EMI)源；原因有二，分別為物理電磁元件和所產生信號的性質。一種較好的做法是使用EMC/EMI抑制器，如ESD保護裝置，以確保系統能維持一定的穩定水平。

在實現部分前述方法時，主要后果是與元件相關的電容。甚至電纜也會含有寄生電容，因此不能忽略。寄生電容與電纜的長度、類型和類別成比例，如表1所示。

集成式緩沖電壓DAC，如AD5683R或AD5686R，可提供高壓擺率、高帶寬，而且功耗更低，功耗已成為業界的一個主要關注點，原因多種多樣，比如電路板溫度的降低、電路板組件數量的增加（不增加功率）、功效的提高等。結果，內部放大器的阻抗ZO（開環阻抗）變大（不要與閉環阻抗ZOUT相混淆），對最大負載電容形成限制。

如果與運算放大器輸出相連的電容超過最大允許值，結果會影響運算放大器的穩定性，可能導致放大器振鈴和振蕩。
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