反相器構成的正弦波發生器電路
反相器是可以將輸入信號的相位反轉180度,這種電路應用在模擬電路,比如說音頻放大,時鐘振蕩器等。在電子線路設計中,經常要用到反相器。隨著微電子技術與工藝的不斷發展和創新,以計算機為代表的各類數字電子產品應用越來越廣泛,與此同時也面臨著更加復雜的電磁環境。
CMOS反相器是幾乎所有數字集成電路設計的核心,它具有較大的噪聲容限、極高的輸入電阻、極低的靜態功耗以及對噪聲和干擾不敏感等優點,因此廣泛應用于數字集成電路中。HPM可以通過縫隙、孔洞以及外露連接線纜等“后門”途徑,耦合進入電子系統內部,影響系統內器件的正常工作,CMOS反相器作為構成數字集成電路最基礎的功能單元和數字電子系統中最為典型的器件,極易受HPM“后門”耦合作用的影響,進而產生干擾、擾亂或直接損傷效應。另外,CMOS反相器有明確的邏輯功能,HPM或者其它類型的強電磁脈沖對其產生的擾亂效應相比于對其它器件來講更加明顯。
因此,研究數字集成電路或者數字電子系統的HPM效應,可以從CMOS反相器的HPM效應研究入手。已有研究指出HPM可以引起CMOS反相器的閂鎖(latch-up)效應,進而導致擾亂效應,Kim等人對CMOS反相器的HPM效應進行了大量的實驗研究,得到了一些重要結論,比如,當HPM頻率較高時其引發的CMOS反相器擾亂效應將會被抑制等,CMOS反相器在HPM作用下會發生門鎖效應并導致功能擾亂,但是一段時間后其功能可能會恢復正常,HPM引起CMOS反相器閂鎖效應的能量閾值特性。這些報道多數都是HPM效應實驗的結果描述和規律統計,而針對具體效應與規律進行機理分析和微觀解釋的研究則相對較少。

如圖所示為反相器構成的正弦波發生電路。該電路可獲得幾兆赫以上高穩定性的正弦波。圖中A1和晶振組成振蕩電路,A1的輸出再經緩沖器A2后輸出正弦波信號。電路中,A1為線性放大器,整個電路工作于放大狀態。由于采用的晶振特性不同.電路輸出頻率和電壓有所不同,而R2可用來進行波形調整。為了獲得準確的振蕩頻率,可在電容C1兩端并聯半可變電容進行微調。電路的振蕩頻率由晶振決定,改變晶振可改變輸出信號頻率。
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