DS1877為SFP控制器，允許通過多種方式配置報警、預警、查找表LUT等功能，這一定制化需求需要一個大容量寄存器。本文介紹了寄存器表，有助于器件配置。?
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DS1877寄存器

主器件地址是A2h，用于全局變量的配置和發送器1的控制、校準、報警、預警及監控；地址B2h用于控制發送器2。

低端內存，A2h地址范圍：00h到7Fh。包括報警和預警門限、標志位、模板、控制寄存器，密碼輸入區域(PWE)和表格選擇字節。

表01h、A2h主要包括用戶EEPROM (包含PW1級訪問)以及報警、預警使能。

表02h、A2h/B2h為多功能區，包括控制寄存器、增益和偏壓設置、密碼、中斷寄存器以及各種控制字節。所有功能和狀態都可以通過A2h或B2h地址進行讀寫。

表04h、A2h包含以溫度為索引的查找表(LUT)，用于控制MOD1電壓。MOD1 LUT在40°C到+102°C溫度范圍內，以2°C為步長設置。

表05h、A2h缺省狀態為空，用于配置報警、預警的使能位(表01h，寄存器F8h-FFh)和MASK位使能(表02h，寄存器89h)。這種情況下，表01h為空。

表06h、A2h包含以溫度為索引的查找表(LUT)，用于控制APC1的電壓。APC1 LUT在40°C到+102°C溫度范圍內，以2°C為步長設置。

位于B2h的主器件用于發送器2的控制、校準、報警、預警和監控。

低端內存，B2h地址范圍：00h到7Fh，包括報警和預警門限、標志位、屏蔽位和幾個控制寄存器、密碼輸入區(PWE)和表格選擇字節。

表01h、B2h包括報警和預警使能位。

表04h、B2h包含一個以溫度為索引的查找表(LUT)，用于控制MOD2的電壓。MOD2 LUT在40°C到+102°C溫度范圍內，以2°C為步長設置。

表05h、B2h缺省狀態為空，用于配置報警、預警的使能位(表01h，寄存器F8h-FFh)和MASK位使能(02h，寄存器89h)。這種情況下，表01h為空。

表06h、B2h包含以溫度為索引的查找表(LUT)，用于控制APC2的電壓。APC2 LUT在40°C到+102°C溫度范圍內，以2°C為步長設置。

輔助內存(器件地址A0h)包含256字節EEPROM，地址范圍：00h到FFh。通過器件地址A0h選取。

以下表格對每位的功能和讀/寫權限進行了更詳細的說明。

EEPROM映射

許多非易失存儲器實際上屬于EEPROM映射(寄存器索引中列出)，受控于表02h，寄存器80h的SEEB位。

DS1877為關鍵存儲器(可能進行多次寫操作)提供EEPROM映射，EEPROM映射的控制位為SEEB，默認設置為零，此時這些存儲單元表現為常規的EEPROM。SEEB置位后，這些存儲單元的功能類似于SRAM，允許無限次數的寫操作，而且不會損壞。該功能省去了EEPROM的寫入時間tWR。SEEB使能條件下的數據變化不會影響EEPROM，也不會保留到下一個上電周期。上電后的數值為之前SEEB復位狀態下最后一次寫入EEPROM的數值。該功能可以限制校準過程中EEPROM的操作數量，或減少改變監控門限電壓時對EEPROM的寫入次數。通過存儲器的描述可以看出哪些單元提供EEPROM映射。

DS1877存儲器

寄存器索引

下列表格提供簡單的寄存器索引，包括低端內存，表00h、表01h和表02h。如需了解每個寄存器位的功能，請參照數據手冊中的對應說明。表04h至08h是查找表LUT，不需要單獨的索引，未在本節列出。如需了解這部分的詳細信息，請參照數據手冊的詳細描述。

本文使用不同的顏色標注區分A2h和B2h中的不同寄存器。標注方法如下：

注：RSVD為“保留”位。

低端內存


表01h

表02h