靜電放電（ESD）會給電子器件環境會帶來破壞性的后果。事實上，在各種各樣電路的電路封裝和經過裝配、正在使用大電子器件中，超過25%的半導體芯片損壞歸咎于ESD。

　　通常情況下，來自人體某個部分（手指）的放電將給給不同的材料充電，隨后傳遞到附著在電子器件的導電觸點。這將造成IC損壞，并有理由指責終端用戶器件制造商。

　　這個問題非常嚴重，以至于歐盟（European Union）已經為任何在經濟區銷售的商品制定了特殊的ESD抑制標準。現在設計工程師必須為當今更敏感的半導體提供有效的ESD保護。

　　不幸地是，這項任務經常遵循事后回想的設計原則：首先搭建沒有額外過壓瞬間抑制的電路，依靠板上的IC來進行保護。如果測試能顯示在原型階段的靈敏度，那么就加上保護器件。如果這種方法被采用來滿足當今更低放大電壓，增加頻率和更低噪聲的要求的話，整個設計必須最優的并是集成的。在末端增加保護可能非常昂貴，或由于時間限制而不切實際。

　　通常，ESD事件是由根據充電過程類型和瞬態電泳嚴重程度的三種主要ESD算法描述的：人體模型（HBM）、充電器件模型（CDM）和機器模型（MM）。這些模型定義了瞬變效應的類型，因此設計工程師們就可以定義明確的半導體過壓芯片瞬變等級靈敏度，以及芯片及裝配產品測試規程。利用這些模型，電路設計工程師可以測試芯片和產品的ESD保護效率相一致，而且可以定量地與可選方案進行比較。

　　電荷通過一系列電阻器直接傳遞，例如人的手指，是最普遍的ESD損壞原因。因此，優秀的ESD模型是HBM。在測試中待測器件中（DUT），這是由一個100pF的電容通過一個1500Ω的電阻向器件放電來表示的。這個標準的商業版本是軍用規范883方法3015（圖1a）。

　　最流行的HBM變種是國際電工委員會IEC1000-4-2標準，定義為150pF電容通過一個330Ω電阻放電（圖1b）。這是歐盟對在其區域內商品銷售所必須的國際測試。

　　但是，明顯的瞬間電壓威脅和能量等級的不同存在于兩個模型之中。于是設計工程師可以使測試過程適合他們所期望的具體應用。例如，IEC1000-4-2具有一個非常快速的電平脈沖上升時間，能應用更多的脈沖和更高的峰值電流（見表格）。