高頻或低頻應用 上面討論的應用電路覆蓋大多數(shù)情況，不過，還要特別考慮高、低頻應用。對于低頻信號(< 1MHz)的情況，大多用于聲納系統(tǒng)，頻率范圍從10kHz至200kHz。

另外，有時需要工作在更高頻率(> 20MHz)，往往在無損檢測中用于改善軸向分辨率或發(fā)送PWM調(diào)制信號。下面討論了這兩種類型的應用。

低頻(< 1MHz)

MAX4940可以工作在低于1MHz的頻率下。只需用足夠大的電容取代信號耦合電容(上例中為3.3nF)。作為一個經(jīng)驗公式，可以用下式計算：

CSIGNAL?= 3.3nF/頻率(MHz)

例如，以100kHz應用為例，耦合電容建議采用33nF。MAX4968基于自舉結(jié)構(gòu)，不能工作在100kHz頻率以下。

高頻(> 20MHz)

MAX4940驅(qū)動電路可以工作在高頻(產(chǎn)生短脈沖)，如40MHz。然而，實際情況限制了電流驅(qū)動能力。

在一階近似中，負載可以認為是純電容(CLOAD)。根據(jù)最大壓擺率，可以得到脈沖發(fā)生器輸出的峰值電流(IPEAK)。公式為：

SLEW_RATE = (δV/δt)max = IPEAK/CTOT

CTOT是總負載電容，包括傳感器電容、電纜電容和IC寄生電容。

現(xiàn)在假設(shè)工作在單極性正脈沖模式(圖6)，并試圖發(fā)送一個200V的單極性脈沖。例如，CTOT?= 400pF，則擺率限制在：

(δV/δt)max = IPEAK/CTOT?= 2A/300pF = 6.66V/ns

由此，上升和下降時間大約是：

TRISE?= TFALL?≈ 200V/(6.66V/ns) = 30ns

幅度為200V的最小脈沖寬度大約為60ns。

當然，雙極性和單極性負脈沖也可以按同樣方式計算。

按照上面介紹的方法，可以增加電路的電流驅(qū)動能力(IPEAK)，并聯(lián)更多通道(注意：IC寄生電容也會相應增大)，據(jù)此提高工作頻率。舉例來說，如圖14所示的4A脈沖發(fā)生器，可以在理論上(忽略IC寄生電容)獲得TRISE?= TFALL?= 15ns的200V輸出擺幅。

IPEAK?= 4A，CTOT?= 300pF，擺幅 = 200V??最小脈沖寬度 = 30ns

其它工作模式，如雙極性和單極性負脈沖，也可以采用類似途徑。?