二．四通道功率放大器
    與電子二分頻前級相配合，功率放大器部分由4個通道構(gòu)成――左右聲道各有一個高音功率放大器和一個低音功率放大器。圖8、圖9給出了一個聲道的高音功率放大器和低音放大器的原理圖，另外一個聲道完全相同。
    1．高音功放
高音功放主要由推動級、推動變壓器和電流輸出級三部分構(gòu)成。推動級UT1由我們熟知的優(yōu)秀集成功率放大器LM1875T構(gòu)成。由于LM1875T的在電源電壓為±15V時的靜態(tài)電流高達50－60mA，而推動變壓器的初級阻抗是約40Ω，所以當驅(qū)動推動變壓器時，最大輸出電流不會超過100mA，因此在絕大部分情況下，LM1875T都工作在甲類狀態(tài)下，使其發(fā)揮出了最佳的性能優(yōu)勢，讓這名老兵煥發(fā)出了第二青春……最后的試聽效果也充分證明了這點，算是本人的一個創(chuàng)造吧！

圖八

    推動變壓器T01事實上是一個升壓比為1:12的寬頻帶升壓變壓器。這里使用變壓器的根本原因，在于MOSFET功率管是電壓驅(qū)動元件，即使在頻率較高時，也只需要很小的驅(qū)動電流。這種方式的一個突出優(yōu)點是省略了推動級的輔助電源，用±15V的電壓就可以產(chǎn)生幾十甚至上百伏的驅(qū)動電壓。推動變壓器使用0.35mm的高矽硅鋼片優(yōu)質(zhì)鐵心分層繞制，由于體積小，所以簡單的繞制方法就能得到很高的性能，實測頻響不劣于20Hz(0dB)－50kHz(-3dB),完全能滿足全頻帶Hi-Fi放音的要求。
    電流輸出級QT1、QT2由一對Hi－Fi名管2SK1058／J162構(gòu)成互補推挽電路。RT17、RT18、RT7、RT 8、RT9、RT10和RVT1、RVT2構(gòu)成了MOSFET的偏置電路，VT1、VT2用于QT1、QT2的限流保護，約4A時開始動作。T01的次級通過耦合電容CT5、CT6直接驅(qū)動QT1、QT2兩只功率管。其他部分均屬常用的成熟電路。
    值得一提的是本電路采用了交直流雙環(huán)負反饋的電路模式。由RT3、RT2構(gòu)成了LM1875T的直流負反饋回路，而RT4和RT2又構(gòu)成了交流負反饋回路。由自動控制理論可知，雙環(huán)負反饋系統(tǒng)的瞬態(tài)響應要好于單環(huán)系統(tǒng)，因此這種電路模式對抑制瞬態(tài)失真有更好的效果。同時，推動變壓器的感性輸出與MOSFET的容性輸入結(jié)合使用，幾乎可以從根本上消除瞬態(tài)尖峰的出現(xiàn)。因此盡管電路的轉(zhuǎn)換速率不是很高，而且頻響也沒有一般放大器常見的幾百kHz的帶寬，但聽感卻非常優(yōu)秀。
    另外UT1的±15V電源的兩只繼電器K1、K2，通過接口JP1或者JP2(二者等效)控制其通斷，用于控制高音功率放大器是否工作。JP1或JP2的連接方式見后面介紹。當K1、K2釋放時，功率管QT1、QT2失去偏置，容易出現(xiàn)輸出中點電位偏移的現(xiàn)象導致?lián)P聲器保護電路誤動作，因此增加了電阻RT17、RT18用于穩(wěn)定中點電位。
    2．低音功放
    低音功放的原理圖見圖9，與圖8基本相同，只是電流輸出級使用了3對MOSFET功率管互補輸出。由于高音和低音功放安裝在一塊PCB上，所以要求電源供應充足，因此無論是±15V還是±37V的電源連接器，都采用了多引腳并聯(lián)的連接方式，如圖9中的Jv1A、Jv1B、Jv1C等。由于電流級并聯(lián)的管子增加，所以MOSFET的輸入電容也隨之增加了幾倍，所以對頻響的影響就不容忽視。實測推動變壓器的直流電阻約950Ω，每只K1058的輸入電容是600p，J162的輸入電容是900p，經(jīng)計算得到 -3dB開環(huán)帶寬約為38kHz。因為推動變壓器包含在負反饋回路之內(nèi)，所盡管沒有仔細計算，但總體的帶寬肯定足足夠用。限流保護部分的動作電流在12A左右。

圖九

    整個功率放大板的PCB見圖10，左右聲道各一塊。

圖十

    整機效果：

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