傳統液晶市場沉寂已久，即便是OLED早早下場，在價格尚未具備足夠優勢之前，整體顯示市場仍然不會面臨太大的變化。市場調研機構IHS此前曾預計，在未來5年，OLED電視電視銷售占比將會超過10％。這意味著在大屏產品競爭中，OLED和傳統液晶電視還會僵持一陣子。

但市場的反應并不會保持被動，近日，不少終端廠商頻頻透風Mini LED背光技術將會在明年得到放量應用。這無疑為LCD和OLED的較量帶來了更多的變數，為彩電市場帶來更多的品類競爭。

在未來兩三年，Mini LED背光技術都將保持極強的競爭力，但從長期來看，它對OLED高端產品的地位影響并不大。想要徹底擊敗OLED，再次革新的彩電產品高端顯示技術的體驗，Micro LED會是更加合適的選擇。可惜的是，Micro LED短期內并沒有讓用戶看到商用的希望，此前在晶元光電的股東會上，總經理范進雍表示Mini LED在明年將會占到晶元光電藍光LED產能的2至3成，而Micro LED的推進還要向后延遲1到2年。

對于Micro LED這種具備革新意味的顯示技術，要想實際投入商用，業界人士認為需要上下游產業鏈統一協調，形成完備的產能結構它才能正式面向市場，而現在，Micro LED的推進更多集中在單個環節的推進之中。

襯底

作為小間距LED進階形態，Micro LED在上下游結構上和傳統LED供應大致相似，環節分為襯底材料、LED外延片生發、Micro LED芯片等環節。只不過Micro LED在其中新加入了巨量轉移環節，因此生產要求會更高。

首先來看看襯底材料環節，作為LED芯片制備的上游環節，業界常用的襯底材料為藍寶石以及碳化硅。雖然出于價格適中，生產工藝成熟等優點，藍寶石襯底在市場占有率達到了95％以上，但藍寶石襯底與GaN材料在工藝上存在一定的晶格失配情況，再加上藍寶石導熱性差，因此在制備更高亮度LED方面存在劣勢。

而碳化硅襯底在發光效率上擁有不錯的表現，適合制備等大功率LED產品，但碳化硅囿于生產效率、生產工藝要求高等特點，價格一直居高不下。在LED產品制備中碳化硅襯底偏向中高檔位，這無形中限制了它的應用范圍。更為重要的一點在于國內碳化硅產業規模并沒有完全成熟，在專利方面對比美國Cree公司有所不足，大面積應用存在一定的風險。

對比前兩種材料，硅襯底應用GaN要更加合適，它具有良好的導熱性，同時材料成本較低。不過在生產工藝上，GaN與硅襯底之間同樣存在著晶格失配的情況，生產良率更低。

但Micro LED終將會成為顯示技術的趨勢，從這一角度來看，硅將是襯底材料的不二選擇。一方面是硅襯底去除較為方便，可以通過化學濕法避免對外延層的破壞，在Micro LED微米級別的生產工序中，硅襯底要顯得更加可靠，另一方面則是硅襯底的價格優勢，能夠在此基礎上實現GaN基更大的外延尺寸，從而提高利用率。

目前晶能光電在硅襯底GaN基上有所布局，并且已經轉移到了Micro LED領域研究，著重完善生產工序。在Micro LED顯示技術的發展下，上游硅襯底的產能將會被進一步刺激，誕生更多的需求。

外延生長技術

除開原材料，LED產業推進還需要相應的配套設備，而在外延生長環節，MOCVD（外延爐）就是其中的核心。在完成襯底制備之后，這些襯底需要通過MOCVD來進行氣相外延工藝，通過高溫化學反應完成GaN層生產制備等步驟。如果沒有MOCVD，整套工藝便難以進行。

而MOCVD設備技術大多掌握在美日等企業，例如此前德國半導體巨頭愛思強（Aixtron）份額一度占到國際市場的70％，而美日等企業對相應技術封鎖也相當重視，希望借此鞏固自己的上游領導地位。在2016年，中國福建宏芯基金曾經想要收購愛思強，但由于擔憂其半導體技術的外泄，在美國壓力下，這樁交易最終只能無奈取消。

在整體LED制造過程中，MOCVD設備的采購金額一般占到整體生產線總投入的一半以上，如果長期保持國外壟斷格局，國內LED芯片產業無疑會被再度卡住脖子。因此在政策驅動下，諸如中微半導體和中晟光電等企業逐漸打破壟斷格局，推出自己的MOCVD設備。其中中微半導體在產量上不斷擴增，據IHS數據表示，在2018年中微半導體的MOCVD設備在全球市場GaN基LED新增市場占據41％的份額，能夠滿足國內主流廠商的需求。

此前有報道表示，中微半導體將在南昌建設高端MOCVD設備制造基地，從而擴大腔體供給。在Micro LED市場的發展中，可以預期產能提速的國內MOCVD設備廠商將提供更大助力，進一步催化市場演進。

巨量轉移

作為產業鏈的新興環節，巨量轉移被視為影響良率以及產能釋放的核心因素，也是各大廠商聚焦攻堅的地區。目前在技術路線上也已經有了不同的方向，分別為激光轉移、自組裝技術以及轉印技術。入局廠商主要有LuxVue、錼創、X－celeprint等廠商。

對于主流技術路線，業界也沒有標準認定，這也造成了產業鏈并沒有統一的工序流程。例如其中的靜電轉移方案在轉移過程中，靜電轉移頭陣列平面需要和Micro LED陣列平面對準，再進行拾取轉移，這就需要點對點、物體高度之間保持極大的精準控制，不能造成偏移；而微轉印技術中的藍寶石襯底方案需要通過鐳射做襯底移除等工作，工序復雜度會更高，良率難以保證。種種方案在利弊上沒有做到商用可行的權衡，因此業界也有傳出不需要巨量轉移的聲音，繼而轉向通過高能物理在低溫狀態下生長GaN薄膜的思路。

從上游來看，各大廠商仍然出于試錯階段，一旦敲定量產可行的方案，相信Micro LED產業架構將會迅速配套。從目前的良率和產能來看，大屏領域Micro LED應用短期無望，即便是方案敲定，產品勢必也會面臨高價的局面，難以普及。從小屏領域出發，巨量轉移技術將會更加合適，也更加適合終端產品下場來測試市場反應。

從上游配套設備技術來看，Micro LED大規模的產能釋放確實需要更多的時間。 在Yole給出的MicroLED顯示專利報告中，國內企業專利數量對比國外仍然較少，拋開市場需求條件的不成熟，各大廠商確實需要在這段時間里苦修內功，積蓄自己的專利優勢。