值得注意的是，若該元件被設定為串聯狀態，那么Cratio通常為15。請留意，還會有些接地的并聯式寄生電容存在，而其值將取決于電容器尺寸，通常為Cmax的5～15%。另外，若該元件被設定為并聯狀態，例如Port B接地，其中一個寄生電容C1則與并聯數字電容器并聯，因而增加Cmin值，此時，Cratio則通常為7。

至于RF-MEMS電容器的質量因子(Quality Factor)部分，其金屬結桿顯著的低電阻則提供關鍵的低耗損優勢。低耗損在一般規格中以“Q值”(質量因子)來表示，Q值其實就是電阻抗(Reactive Impedance)(Xc)和實際阻抗(Rc)的比值，如公式2所示，其中ESR則是指電容器的「等效串聯電阻」。
‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥公式2

因此，若降低特定電容器(C)的ESR，自然就能提高Q值，而RF-MEMS結桿上的金屬走線便提供極低ESR，且比其他技術要低很多。舉例來說，在1GHz測量晶圓上所測得的RF-MEMS技術Q值，通常超過200，相較之下，同頻率的典型CMOS電子元件的Q值，則通常不到30。

確保晶粒正確接地維持線性度 
 
手機射頻前端元件的線性度，通常都是指雙頻的輸入三階交調載取點(Input Third-Order Intercept Point, IIP3)。RF-MEMS元件一般都是極具線性的，但卻對雙頻的間距有點敏感。例如兩個相近的頻段組合創造出電壓包絡，而其峰值為各頻調之電壓總和加上兩個頻調差之間的低拍頻(Beat Frequency)變化，若該拍頻低于或接近RF-MEMS元件的機械共振頻率，就會測得較高的非線性度。

正如前述，機械共振會發生在50k～100kHz區間，故當頻調間距在此范圍內，MEMS元件的IIP3就約為70dBm；若頻調間距更寬，其線性度就能提升至80dBm以上。另外要注意，如果晶粒沒有正確接地，則在MEMS元件上的RF走線間與遮蔽下的CMOS電路，就可能產生調變，而此調變現象可能增加非線性度，因此確保晶粒正確接地是非常重要的。

監控元件性能　參數指數/可靠度角色吃重

為監控及比對最先進的可調諧電容器，須使用一般的參數指數(Figure of Merit, FOM)，表示方式如公式3，其能快速評估所有可調諧電容器技術，檢測其損耗范圍、電容率、功率承載力(Power Handling)及晶粒面積成本等。
‥公式3

其中CR為電容率：Con/Coff；V2是電容器兩端最大電壓的均方根值(Root-Mean-Square, RMS)；Die Area是指定電容所需的晶粒面積；Ron是接通狀態下的總串聯電阻。

另一個可調諧RF-MEMS元件的關鍵問題為可靠度，除了所有半導體元件都須具備的可靠度條件外，這種接觸型MEMS元件還有額外的二個可靠度問題須關注，包括黏附(Stiction)，例如由兩個電容極板形成的聯結，無法松開；以及磨損(Wear-out)，主要系因長時間重復使用而造成元件特性改變。

首先，黏附通常是隨機發生的，可通過MEMS元件的設計方式來控制，以避免介質表面的金屬與金屬部分，或高電場部分有密切接觸。目前市面上的最佳元件皆經過仔細設計，可避免驅動器相互接觸，而唯一會產生接觸現象的區域，就只有電容器部分，因此已可確定不會發生黏附問題。

至于磨損則是元件失效的常見因素，可通過妥善設計機械MEMS結桿與接觸區的方式來控制。完整的產品級數組包含幾十個RF-MEMS電容元件，能持續運作超過150×106個周期，而一個周期是指每一次客戶通過SPI或RFFE接口進行的狀態更改。

功率/電壓息息相關　慎防自行驅動為關鍵

由于MEMS元件是由整合電荷泵所產生的高階直流電壓所驅動，當此電壓通過與電容極板相接的驅動器接頭時，極板便會因靜電力而被拉在一起，這就是電容從Cmin切換Cmax的原理。

此外，射頻信號也是隨時間變化形成電壓，此電壓以射頻頻率震蕩，通常遠高于MEMS元件的自我共振頻率；因此，射頻電壓不會“直接”調變MEMS元件。然而，元件是靠包含直流電與二次諧波的電壓平方所驅動，這種有效直流電壓，稱為RMS電壓(圖3)。

圖3 Vrms是射頻信號所產生的直流電壓；若要運用此圖，須有0電位的基準及Vpeak值。