技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及射頻識(shí)別技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種可密集讀取的超寬帶電子標(biāo)簽。

背景技術(shù)

射頻識(shí)別是一種非接觸式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)。在RFID（Radio Frequency Identification，射頻識(shí)別）系統(tǒng)中，一般由閱讀器和標(biāo)簽組成。閱讀器通過(guò)無(wú)線(xiàn)射頻讀取標(biāo)簽內(nèi)的信息，與傳統(tǒng)條形碼相比，其具有閱讀距離遠(yuǎn)，讀取速度快，非可視識(shí)別，支持快速讀寫(xiě)等優(yōu)點(diǎn)。RFID技術(shù)與互聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線(xiàn)通訊網(wǎng)絡(luò)等技術(shù)相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)全球范圍內(nèi)物品的跟蹤與信息共享，在物流供應(yīng)鏈、生產(chǎn)自動(dòng)化、公共信息服務(wù)、交通管理以及軍事應(yīng)用等眾多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用空間。

隨著RFID技術(shù)的應(yīng)用越來(lái)越接近單品級(jí)應(yīng)用，在超高頻 RFID領(lǐng)域中關(guān)于標(biāo)簽堆疊的現(xiàn)象日益增加，標(biāo)簽密集時(shí)互相干擾越來(lái)越嚴(yán)重，而單標(biāo)簽性能卻越來(lái)越好。因此在整個(gè)系統(tǒng)中，單標(biāo)簽和多標(biāo)簽的性能不一致，導(dǎo)致了系統(tǒng)的實(shí)施困難;如典型的門(mén)禁系統(tǒng)，如果在誤讀和漏讀的矛盾中又增加了單標(biāo)簽與多標(biāo)簽性能差異過(guò)大的現(xiàn)象，門(mén)禁系統(tǒng)就很難有效工作，因此只有很好的解決了單標(biāo)簽與多標(biāo)簽性能差異過(guò)大的問(wèn)題才能解決好門(mén)禁系統(tǒng)的應(yīng)用問(wèn)題，類(lèi)似的還包括檔案文件管理等。

不難看出，現(xiàn)有技術(shù)還存在一定的缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可密集讀取的超寬帶電子標(biāo)簽，克服普通標(biāo)簽堆疊時(shí)性能下降明顯的缺點(diǎn)，有效的解決單標(biāo)簽與多標(biāo)簽性能差別過(guò)大的問(wèn)題。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供如下的技術(shù)方案：

一種可密集讀取的超寬帶電子標(biāo)簽，包括絕緣基材、位于絕緣基材上的標(biāo)簽天線(xiàn)、以及與標(biāo)簽天線(xiàn)連接的標(biāo)簽芯片;

所述標(biāo)簽天線(xiàn)包括兩組耦合塊、兩個(gè)輻射臂和短路環(huán);其中，短路環(huán)設(shè)置于中部，短路環(huán)上設(shè)有一開(kāi)口，標(biāo)簽芯片設(shè)置于短路環(huán)的開(kāi)口處，與短路環(huán)連接形成閉合環(huán)路;兩個(gè)輻射臂分別連接于短路環(huán)兩側(cè);每個(gè)輻射臂的外側(cè)設(shè)置一組耦合塊。

進(jìn)一步地，每組耦合塊中包含有至少一個(gè)耦合塊，兩組耦合塊中包含的耦合塊數(shù)量是相等的。

進(jìn)一步地，所述耦合塊與輻射臂之間，以及耦合塊與耦合塊之間，相互間隔一段距離設(shè)置，且相互直流斷開(kāi)。

進(jìn)一步地，所述絕緣基材為PET膜、PCB板或紙板。

進(jìn)一步地，所述短路環(huán)的形狀為矩形框狀或“U”形。

進(jìn)一步地，所述標(biāo)簽天線(xiàn)為覆蓋于絕緣基材上的金屬導(dǎo)體層。

進(jìn)一步地，所述耦合塊與輻射臂之間，以及耦合塊與耦合塊之間的間隔區(qū)域中填充有絕緣材料。

進(jìn)一步地，所述輻射臂朝向耦合塊的一端呈階梯狀;

所述每組耦合塊中包括至少一個(gè)階梯狀耦合塊;

所述階梯狀耦合塊與輻射臂的形狀相契合，組合安裝后整個(gè)標(biāo)簽天線(xiàn)整體呈矩形。

進(jìn)一步地，所述每組耦合塊還包括若干個(gè)矩形耦合塊，所述矩形耦合塊設(shè)置于階梯狀耦合塊和輻射臂之間。

本實(shí)用新型所提供的一種可密集讀取的超寬帶標(biāo)簽，克服了普通標(biāo)簽堆疊時(shí)性能下降明顯的缺點(diǎn)，有效的解決了單標(biāo)簽與多標(biāo)簽性能不一致的問(wèn)題，增強(qiáng)了標(biāo)簽密集堆疊性能的一致性。本實(shí)用新型具備環(huán)境適應(yīng)性好，帶寬寬，靈敏度高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的特點(diǎn)，可以應(yīng)用于全球各頻段RFID行業(yè)。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種可密集讀取的超寬帶電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)示意圖;

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

1、絕緣基材; 2、短路環(huán); 3、輻射臂;

4、耦合塊; 6、標(biāo)簽芯片。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例和附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。需要說(shuō)明的是，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

下面結(jié)合附圖說(shuō)明本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式。

實(shí)施例

本實(shí)用新型提供的一種可密集讀取的超寬帶電子標(biāo)簽包括絕緣基材1、位于絕緣基材1上的標(biāo)簽天線(xiàn)、以及與標(biāo)簽天線(xiàn)連接的標(biāo)簽芯片6;

所述標(biāo)簽天線(xiàn)包括兩組耦合塊4、兩個(gè)輻射臂3和短路環(huán)2;其中，兩個(gè)輻射臂3分別連接于短路環(huán)2兩側(cè)，兩組耦合塊4分別與兩個(gè)輻射臂3直流斷開(kāi)安裝。耦合塊4用于提高天線(xiàn)帶寬;短路環(huán)2用于提供一個(gè)電感來(lái)與標(biāo)簽芯片6進(jìn)行共軛匹配，以與標(biāo)簽芯片6阻抗匹配，此外，還用于防止靜電。

在本實(shí)施例中，作為優(yōu)選，標(biāo)簽天線(xiàn)整體設(shè)置成矩形狀，呈左右對(duì)稱(chēng)的分布，其中，短路環(huán)2設(shè)置于中部，短路環(huán)2上設(shè)有一開(kāi)口，標(biāo)簽芯片6設(shè)置于短路環(huán)2的開(kāi)口處，與短路環(huán)2連接形成閉合環(huán)路。兩個(gè)輻射臂3分別連接于短路環(huán)2兩側(cè);每個(gè)輻射臂3的外側(cè)設(shè)置一組耦合塊4。

標(biāo)簽堆疊的一致性是由標(biāo)簽天線(xiàn)及標(biāo)簽的寬度決定的，標(biāo)簽越窄，其互耦作用就越小，但標(biāo)簽設(shè)置得過(guò)窄則會(huì)導(dǎo)致天線(xiàn)帶寬也相應(yīng)變窄;因此，本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置適當(dāng)?shù)臉?biāo)簽寬度，設(shè)置耦合塊4增加天線(xiàn)帶寬，再裝配短路環(huán)2和標(biāo)簽芯片6進(jìn)行共軛匹配，進(jìn)而與標(biāo)簽天線(xiàn)匹配阻抗，從而解決標(biāo)簽堆疊一致性問(wèn)題，以及單標(biāo)簽與多標(biāo)簽性能不一致性的問(wèn)題。

作為優(yōu)選，每組耦合塊4中包含有至少一個(gè)耦合塊4，兩組耦合塊4中包含的耦合塊4數(shù)量是相等的。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，每組耦合塊4中包含有三個(gè)耦合塊4，在實(shí)際工程設(shè)計(jì)中，耦合塊4的數(shù)量還可以是一個(gè)、兩個(gè)、四個(gè)或者更多。

作為優(yōu)選，所述耦合塊4與輻射臂3之間，以及耦合塊4與耦合塊4之間，相互間隔一段距離設(shè)置，且相互直流斷開(kāi)。

作為優(yōu)選，在本實(shí)施例中，所述耦合塊4與輻射臂3之間，以及耦合塊4與耦合塊4之間的間隔區(qū)域中填充有絕緣材料，用于提高耦合塊4與輻射臂3之間的直流斷開(kāi)效果。

作為優(yōu)選，所述絕緣基材1為PET膜、PCB板或紙板。

作為優(yōu)選，所述短路環(huán)2的形狀為矩形框狀或“U”形。

作為優(yōu)選，在本實(shí)施例中，所述標(biāo)簽天線(xiàn)為覆蓋于絕緣基材上的銅質(zhì)、鋁質(zhì)或銀質(zhì)金屬導(dǎo)體層。

具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，以標(biāo)簽天線(xiàn)左側(cè)的輻射臂3為例，所述輻射臂3朝向耦合塊4的一端呈階梯狀;每組耦合塊4中包含兩個(gè)矩形耦合塊4和一個(gè)階梯狀耦合塊4;所述矩形耦合塊4設(shè)置于階梯狀耦合塊4和輻射臂3之間。三個(gè)耦合塊4與輻射臂3的形狀相契合，組合安裝后整個(gè)標(biāo)簽天線(xiàn)整體呈矩形。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的一種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專(zhuān)利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專(zhuān)利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。

圖1

責(zé)任編輯：ct