如圖1所示，射頻前端芯片包括功率放大器（PA：Power Amplifier），天線開關（Switch）、濾波器（Filter）、雙工器（Duplexer和Diplexer）和低噪聲放大器（LNA：Low Noise Amplifier）等。

簡述PA、Switch、Filter、Duplexer和Diplexer

1、功率放大器（PA）

2、濾波器（Filter）/雙工器（Duplexer）

RF濾波器包括了SAW（聲表面濾波器）、BAW（體聲波濾波器）、MEMS濾波器、IPD（Integrated Passive Devices）等，而雙工器是包含Rx和Tx濾波器。SAW、BAW濾波器的性能（插入損耗低、Q 值高）是目前手機應用的主流濾波器。SAW 使用上限頻率為2.5GHz~3GHz，BAW使用頻率在 2.0GHz 以上。

對SAW來說，技術趨勢是小型片式化、高頻寬帶化、降低插入損耗。采用更小尺寸，包括倒裝（flip chip packaging）和WLP（晶圓級封裝）、WLCSP（Wafer Level Chip ScalePackaging）技術正在使用，同時更高通帶率、High isolation，High selectivity以及更低價格。

與 SAW 相比，BAW性能更好，成本也更高，但是當頻段越來越多，甚至開始使用載波聚合的時候，就必須得用BAW技術才能解決頻段間的相互干擾問題。BAW所需的制造工藝步驟是 SAW 的10倍，但因它們是在更大晶圓上制造的，每片晶圓產出的 BAW 器件也多了約4倍。即便如此，BAW的成本仍高于 SAW。隨著技術的演進， BAW可能會逐步替代SAW。

從“五模十七頻”說起，回溯2G到4G手機頻段發展

在4G普及的過程中，“五模十三頻”、“五模十七頻”等概念成為高端手機芯片的重要標志，也成為手機廠商重要的宣傳熱點。這并非是簡單的營銷噱頭，而體現了智能手機兼容不同通信制式的能力，是手機通信性能的核心競爭力指標。

2G到4G，射頻前端芯片數量和價值均明顯增長

手機芯片向多模方向發展以及支持頻段數量指數性增加是手機射頻前端模塊數量快速增長的主要驅動因素。觀察2G到4G射頻前端解決方案的三幅示意圖，可以形成兩點直觀感受：1，射頻前端芯片數量不斷增長；2，射頻前端系統復雜度不斷提高。

圖4是2G功能手機（Feature Phone）的典型射頻前端解決方案，主要的射頻前端芯片有：1個功率放大器模塊（PA），2個發射低通濾波器（LPF），2個接收濾波器（Saw Filter），1個SP6T開關。其中，功率放大器、LPF Filter和SP6T Switch被集成到一顆PA Module里。

圖5是3G手機（WCDMA）的典型射頻前端解決方案，主要的射頻前端芯片在2G方案的基礎上，增加了2組PA Module和4組雙工器（Duplexer）。

圖6是4G LTE手機典型射頻前端解決方案，支持“五模十二頻”，可以看到，在4G時代，射頻前端芯片不僅在數量上產生指數級增長，在設計復雜度上更是大大提高。主要的射頻前端芯片有：1個集成頻段選擇開關的多模功率放大器（MMPA），4個PA Module，3個Duplexer/Multiplexer，6個接收/發射Filter，1個用于TD-LTE模式的S1P2開關，分別用于高頻、低頻和分集電路的3個天線開關模塊，1個接收分集濾波器。

表1整理了2G至4G射頻前端解決方案中器件的數量，可以看到，4G方案的射頻前端芯片數量相比2G方案和3G方案有了明顯的增長。印證了我們對手機射頻前端芯片的數量隨著支持頻段數量的增加而指數級遞增的推論。

從更為直觀的角度觀察，圖7給出了手機射頻前端模塊從2G到4G演進過程中價格和出貨量的變化數據。目前，高端4G智能手機中射頻前端模塊的價格合計已經達到16.25美元，中高端4G產品也有7.25美元。相比2G手機的0.80美元和3G手機的3.25美元，射頻前端模塊的單位產值有了幾倍、幾十倍的提高，并且，隨著4G通信網絡滲透率的不斷提高，高端4G手機的出貨量依然在不斷攀升中。