近日，《自然通訊》雜志發布了一篇文章，它描述了一種新型天線設計方案，文中表示，根據此方案將能制造出比當前小型天線還要小一百倍的天線。新型微小型天線未來可用于無線通信、物聯網、可穿戴設備、智能手機等。

圖、目前的小型天線產品

目前，現有的小型天線都是基于電磁共振，因此天線的尺寸需要根據電磁波的波長。現實應用的天線長度至少都要大于波長的十分之一，近十年來，天線的進一步小型化已經是一個公開的難題。

而設計的新型ME天線（尺寸小于波長的千分之一）在最先進的小型天線上實現了1-2個數量級的縮小，而且性能也沒有下降。

突破點電磁諧振與聲諧振

基于交流電流和電磁（EM）波輻射之間相互轉換的天線在智能手機、平板電腦、射頻識別系統、雷達等中已廣泛使用，而這種電磁耦合的諧振波技術限制了現有天線尺寸的進一步縮小，特別是在甚高頻（VHF，30-300MHz）和超高頻（UHF，0.3-3GHz）上。

故而論文中給出的天線是一種聲學制動的納米機械磁電（ME）天線，該天線具有懸浮磁性/壓電薄膜異質結構，其在膜體聲信號共振頻率下，通過ME效應接收和發射電磁波。

具體來看，就是ME天線中的聲波刺激強磁性薄膜的磁化振蕩，導致電磁波的輻射，反之亦然，這些天線感應電磁波的磁場，產生壓電電壓的輸出。

低頻率限制

我們都知道，頻率越高，波長越短，天線也越短。但隨著頻率的提高，很多問題將會出現。

這里新型天線采用的是磁性/壓電異質結構，在低頻下，其應變介導的強磁電（ME）耦合效應已經被證實，即可以使磁性和電力之間的能量轉移更有效。

但有科學家提出，低頻情況下該結構是強耦合的，即能量轉移很有效，那是否也意味著可以在該結構中實現射頻（RF）動態過程中的強ME耦合？如果可以的話，這樣就能使用新的電磁波收發機制來輻射電磁波，制造出聲學致動的納米級ME天線。

不過，除了在數千赫茲的低頻情況下，聲波和磁化之間具有強相互作用，該強相互作用還受限于靜態或準靜態過程。而此處是射頻動態過程，困難不言而喻。

實現與驗證

為了切實解決兩大限制，研究人員進行了大量的分析與實驗，并在現有天線的基礎上做了許多細節上的改進。主要有以下幾個方面：

在器件選擇上，實驗中采用高電阻率硅晶圓作為天線裝置的基片；在薄膜結構的磁性多層沉積上，研究人員特別表示使用Al2O3靶通過RF濺射沉積FeGaB層，其中沉積速率需要用X射線反射率校準；此外，研究人員還對天線諧振器的導納幅度進行了測量和分析，并利用甚高頻鎖相放大器測出不同頻率下的電磁感應電壓。

另外，為了解決高頻動態的限制，研究人員目前嘗試了兩種結構，分別采用的是納米板諧振器（NPR）和薄膜體聲波諧振器（FBAR）。

實驗中，研究團隊分別對這兩種電磁結構的響應進行了分析，在考慮磁致伸縮和壓電異構結構中的磁場和電場之間的耦合因素下，他們使用FEM軟件，即COMSOL Multiphysics V5.1對兩種結構分別進行仿真模擬，并分析了仿真模塊的頻率響應，從而得出兩種不同的電磁結構可以發射不同的頻率。

總結：

小型ME天線主要是基于聲共振或電磁共振下的磁電耦合效應收發信號，而由于聲波波長遠小于電磁波諧振的波長，因此這些ME天線遠小于最先進的電磁共振小型天線。

實驗中，研究團隊已經嘗試了基于NPR和FBAR結構的設計。未來，這款新型的小型天線將被設計為多種不同的結構，以實現VHF（60MHz）和UHF（2.525GHz）等多種工作頻率。

此外，基于NPR和FBAR的天線可以通過相同的制造工藝在相同的硅晶圓上制造，這就意味著可以將數十兆赫茲的寬帶ME天線陣列集成到數十G赫茲的芯片上。

未來，預計這種微小型天線將會用于無線通信、物聯網、可穿戴設備、智能手機等多項領域。