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離子注入技術培訓課件

2011-05-22 | rar | 264 KB | 次下載 | 免費

資料介紹

??? 現(xiàn)代科技的高速發(fā)展,對金屬材料表面性能(抗磨損、抗腐蝕、抗疲勞等)的要求日益提高,特別是高負荷、高轉速、高壽命、耐高溫、低損耗金屬零部件的迫切需求,廣泛采用最近發(fā)展的金屬表面處理技術及工藝(拋光、電刷鍍、化學鍍復合鍍層、熱噴涂、激光表面強化、汽相沉積、等離子體滲氮、滲碳、滲硼及金屬修補膠和薄膜性保護技術)雖然在各自領域發(fā)揮著重要作用,但都存在一定的缺點和局限性,因而使得離子注入技術應運而生。
??? 20世紀70年代,離子注入應用于材料表面改性并逐漸發(fā)展成一種新穎有效的材料表面改性方法。它是把工件(金屬,合金,陶瓷等)放在離子注入機的真空靶室中,通過加高電壓,把所需元素的離子注入到工件表層的一種工藝。材料經離子注入后,在其零點幾微米的表層中增加注入元素和輻照損傷,從而使材料的物理化學性能發(fā)生顯著變化。
??? 大量實驗證實,離子注入能使金屬和合金的摩擦因素,耐磨性,抗氧化性,抗腐蝕性,耐疲勞性以及某些材料的超導性能,催化性能,光學性能等發(fā)生顯著變化,能夠大大提高材料的性能和使用壽命。離子注入在工業(yè)中應用能取得很好的效益,除延長工件的使用壽命外,還由于離子注入僅用較少量的合金元素,就可以得到較高的表面合金濃度,因而可以節(jié)約貴重金屬。
?? 離子注入早期研究的是對金屬材料的磨擦和顯微硬度的影響,后來轉向對金屬滑動性能的研究,其結果都成功地實現(xiàn)了工業(yè)應用。近30年來,在微處理機和計算機存儲器的集成電路基片生產中,離子射入表面的離子注入已經是半導體材料(硅片)的一種標準摻雜方法。離子注入方法的可靠性、可控制性和重復性使得這項工藝成為半導體工業(yè)的支柱。近十幾年來,離子注入在金屬和半導體材料的研究和應用發(fā)展迅速并且已擴展到絕緣材料和聚合物方面。
2.離子注入技術的原理、 特點
2.1 離子注入技術的原理
??? 離子注入是將離子源產生的離子經加速后高速射向材料表面,當離子進入表面,將與固體中的原子碰撞,將其擠進內部,并在其射程前后和側面激發(fā)出一個尾跡。這些撞離原子再與其它原子碰撞,后者再繼續(xù)下去,大約在10-11s內,材料中將建立一個有數(shù)百個間隙原子和空位的區(qū)域(如圖1所示)。這所謂碰撞級聯(lián)雖然不能完全理解為一個熱過程,但經常看成是一個熱能很集中的峰。一個帶有100keV能量的離子通常在其能量耗盡并停留之前,可進入到數(shù)百到數(shù)千原子層。當材料回復到平衡,大多數(shù)原子回到正常的點陣位置,而留下一些“凍結”的空位和間隙原子。這一過程在表面下建立了富集注入元素并具有損傷的表層。離子和損傷的分布大體為高斯分布。
??? 整個阻止過程的時間僅用10-11s,位移原子的停留也是在相近時間內完成的,所以全過程很像發(fā)生在長約0.1μm和直徑為0.02μm 的圓柱材料總的快速加熱與淬火。離子注入處理的這種快速加熱-淬火與新原子注入材料中相結合,其結果可產生一些獨特的性能。
??????? 離子注入的深度是離子能量和質量以及基體原子質量的函數(shù)。能量愈高,注入愈深。一般情況下,離子越輕活基體原子越輕,注入越深。
??? 一旦到達表面,離子本身就被中和,并成為材料的整體部分,所以注入層不會像常規(guī)那樣有可能脫落或剝離。注入的離子能夠與固體原子,或者彼此之間,甚至與真空室內的殘余氣體化合生成常規(guī)合金或化合物。
??? 由于注入時高能離子束提供反應后的驅動力,故有可能在注入材料中形成常規(guī)熱力學方式不能獲得的亞穩(wěn)態(tài)或“非平衡態(tài)”化合物這就可能使一種元素的添加量遠遠超過正常熱溶解的數(shù)量。
3.離子注入技術的新發(fā)展及應用
?

離子注入技術
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