SuperFET
III MOSFET是安森美半導體的全新高壓超結（SJ）MOSFET系列，利用均衡技術實現出色的低導通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進技術專為最大限度地降低傳導損耗，提供卓越的開關性能和極高的dv / dt速率而定制。因此，SuperFET III MOSFET非常適用于各種小型化和高效率的電源系統。超級MOSFET III FRFET
MOSFET的優化反向恢復性能體二極管可以去除額外的元件并提高系統可靠性。 700 V @ T = 150°C 低效輸出電容（典型值Coss（eff。） = 248 pF） 超低柵極電荷（典型值Qg = 24 nC） 內部柵極電阻：8.7ohm 優化電容 典型。 R =222mΩ 100％雪崩測試 符合RoHS標準 波峰焊保證 < / DIV>