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      FCPF250N65S3R0L N溝道SuperFET?IIIMOSFET650 V，12 A，250mΩ，TO-220F

      數據：

      產品信息

      SuperFET
      III MOSFET是安森美半導體全新的高壓超結（SJ）MOSFET系列，采用電荷平衡技術，具有出色的低導通電阻和降低柵極電荷性能。這種先進技術專為最大限度地降低傳導損耗，提供卓越的開關性能和承受極高的dv / dt速率而量身定制。因此，SuperFET III MOSFET非常適用于各種小型化和高效率的電源系統。 優化電容 700 V @ TJ = 150°C 低效輸出電容（典型值Coss（eff。）= 248 pF） 超低柵極電荷（典型值Qg = 24 nC） 典型值。 RDS（on）=210mΩ 100％雪崩測試 內部柵極電阻：1.1ohm 符合RoHS標準

      技術文檔

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