SuperFET
III MOSFET是安森美半導(dǎo)體的全新高壓超結(jié)（SJ）MOSFET系列，利用均衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)可以最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，提供更高的開關(guān)性能，并承受極高的dv / dt速率。因此，SuperFET III MOSFET非常適用于各種小型化和高效率的電力系統(tǒng)。 700 V @ T = 150°C 低效輸出電容（典型值Coss（eff。）= 248 pF） 超低柵極電荷（典型值Qg = 24 nC） 優(yōu)化電容 內(nèi)部柵極電阻：8.7ohm 典型值。 R =222mΩ 100％雪崩測試 符合RoHS