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      3天內不再提示

      FGB20N60S_F085 600 V 20 A 2.2 V D2PAK

      數據：

      飛兆半導體的新的場截止IGBT系列采用新型的場截止IGBT技術，為車用充電器，逆變器及其他低導通和開關損耗至關重要的應用提供了最佳性能。 / div>
      特性
      • 高電流能力
      • 低飽和電壓：V CE（sat） = 2.2 V（I C = 20 A）
      • 高輸入阻抗
      • 快速開關
      • 符合AEC-Q101汽車行業標準要求
      • 符合RoHS標準

      電路圖、引腳圖和封裝圖